Лабараторная работа №6, седьмая. Исследование характеристик диодов / Лабараторная работа 6. Исследование характеристик диодов
.docxФедеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)»
Кафедра электронных приборов и устройств КЭПУ)
ОТЧЕТ
по лабораторной работе № 6
Исследование характеристик диодов
Выполнил : Попов Алексей Павлович
Группа № 9802
Преподаватель: Староверов Николай Евгеньевич
Санкт-Петербург, 2021
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 6
Исследование характеристик диодов
Работа № 6. Исследование характеристик диодов
Цель работы: ознакомление с работой выпрямительного диода, диода Шоттки и стабилитрона, а также исследование их характеристик.
Схема установки
Рис. 1. Схема исследования прямой ветви ВАХ диодов
Рис. 2. Схема исследования диодов на различной частоте
ПРОТОКОЛ НАБЛЮДЕНИЙ
Лабораторная работа №6
Исследование характеристик диодов
Таблица 1. Исследование прямой ветви ВАХ диодов
I, мА |
1 |
2 |
5 |
10 |
15 |
20 |
25 |
30 |
35 |
|
U, В |
1N4007 |
0,598 |
0,628 |
0,674 |
0,715 |
0,745 |
0,768 |
0,789 |
0,808 |
0,828 |
1N5819 |
0,214 |
0,232 |
0,259 |
0,285 |
0,304 |
0,319 |
0,333 |
0,345 |
0,357 |
Экспериментальный макет: _______________________________________
_______________________________________________________________
Выполнил Попов А.П.
Факультет электроники
Группа № 9802
“____” __________ _____
Преподаватель: ______________
Обработка результатов эксперимента
Рис. 3. Вольтамперная характеристика диода 1N4007
Рис. 4. Вольтамперная характеристика диода 1N5819
Рис. 5. Осциллограмма диода 1N4007 при 50 Гц.
Рис. 5. Осциллограмма диода 1N4007 при 2251 Гц.
Рис. 6. Осциллограмма диода 1N4007 при 4451 Гц.
Рис. 7. Осциллограмма диода 1N5819 при 50 Гц.
Рис. 8. Осциллограмма диода 1N4007 при 58 кГц.
Рис. 8. Осциллограмма диода 1N4007 при 168 кГц.
Вывод
Проведено исследование выпрямительного диода и диода Шоттки, также исследование их характеристик. Вольтамперные характеристики и осциллограммы полностью отображают теоретические выкладки этих компонентов. Прямое падение напряжения на диоде Шоттки меньше в 2,5-3 раза, чем на диоде с p-n-переходом при одном и том же прямом токе; напряжение открытия диода Шоттки близко к 0, а у диода с p-n-переходом составляет десятые доли вольт, поэтому они не пригодны для выпрямления слабых сигналов; обратный ток диода с p-n-переходом меньше обратного тока диода Шоттки при одинаковых обратных напряжениях.
Диод Шоттки более устойчив при работе на высоких частотах. Изменения в осциллограмме, характерные для частоты смены напряжения при которой рекомбинация не поспевает за частотой, наступает при частоте в 58 кГц против 2,3 кГц у выпрямительного диода.