
1. 2. Влияние длины расплавленной зоны на процесс очистки.
Исходные данные: Материал - Si, примесь Ge, In, Bi. L = 80 см, Lo = 3; 10 см, f = 1,5 мм/мин, Со = 5 * 10 14 см-3, Ср = 0, kIn ≈ 0,00041, kBi ≈ 0,00072, kGe ≈ 0,336, δ = 0,001 см, C0 = Cп
Пример расчёта для Bi при x = 65:
L0
= 3 см: СтвBi(65)
= C0
* (1 + (kBi
– 1) *
)
= 5 * 1014
* (1 + (0,00072 –
1) *
)
≈ 8,07 * 1012
см-3
L0
= 10 см: СтвBi(65)
= C0
* (1 + (kBi
– 1) *
)
= 5 * 1014
* (1 + (0,00072 –
1) *
)
≈ 2,68 * 1012
см-3
Рис. 5 – Зависимость концентраций примеси германия в закристаллизовавшейся части слитка при различных размерах расплавленной зоны
Рис. 6 – Зависимость концентраций примеси индия в закристаллизовавшейся части слитка при различных размерах расплавленной зоны
Рис. 7 – Зависимость концентраций примеси висмута в закристаллизовавшейся части слитка при различных размерах расплавленной зоны
1.3. Влияние скорости движения зоны f = 0,5; 5; 15 мм/мин на процесс очистки
Исходные данные: Материал - Si, примесь Ge, In, Bi. L = 80 см, Lo = 3 см, f = 0,5; 5; 15 мм/мин, Со = 5 * 10 14 см-3, Ср = 0 (вакуум), δ = 0,001 см, C0 = Cп
Эффективные коэффициенты распределения для Ge, In, Bi при различных скоростях движения расплавленной зоны сведены в таблицу 4:
Рис. 8 – Зависимость концентраций примеси германия в закристаллизовавшейся части слитка при различных скоростях движения расплавленной зоны
Рис. 9 – Зависимость концентраций примеси индия в закристаллизовавшейся части слитка при различных скоростях движения расплавленной зоны
Рис. 10 – Зависимость концентраций примеси висмута в закристаллизовавшейся части слитка при различных скоростях движения расплавленной зоны
1.4. Очистка от примесей
Исходные данные: Материал - Si, примесь Ge, In и C, L = 80 см, Lo = 5 см, f = 1,5 мм/мин, Со = 5 * 10 14 см-3, Ср = 0 (вакуум), δ = 0,001 см, C0 = Cп; k0C = 1,
DC = 10-4 см2/с, из пункта 1. 1: kIn ≈ 0,00041, kGe ≈ 0,336
kC
=
=
= 1 – метод зонной плавки, базирующийся
на различии растворимости примеси в
твёрдой и жидкой фазах, при очистке от
углерода неэффективен.
При 1-ом проходе:
Ств(x) = C0 * (1 + (k – 1) * );
При 2-ом проходе:
C0 = Cп = Cтв(x) = C0 * (1 + (k – 1) * ) – концентрация примеси в переплавляемом слитке, тогда Ств(x) = C0 * (1 + (k – 1) * )2
Пример расчёта для Ge при x = 25 см:
n
= 1: Ств
Ge1(25)
= C0
* (1 + (kGe
– 1) *
)
= 5 * 1014
* (1 + (0,336 –
1) *
)
≈ 4,38 * 1014
см-3
n = 2: Ств Ge2(25) = Ств Ge1(25) * (1 + (0,336 – 1) * ) = 3,84 * 1014 см-3
n = 3: Ств Ge3(25) = Ств Ge2(25) * (1 + (0,336 – 1) * ) = 3,36 * 1014 см-3
Рис. 11 – Зависимость концентраций примеси германия при различном количестве проходов расплавленной зоны
Рис. 12 – Зависимость концентраций примеси индия при различном количестве проходов расплавленной зоны (полулогарифмический масштаб)
2. Прохождение легирующей зоны через чистый исходный образец (Сп = 0).
Закон распределения примеси при прохождении легирующей зоны через чистый исходный образец при Cп = 0, Cр = 0, C0 ≠ 0:
Для летучей примеси (α ≠ 0): Ств(x) = k * C0 * )
Для нелетучей примеси (α = 0): Ств(x) = k * C0 * )
Исходные данные: 1) БКДБ-0,5–80 и 2) БКЭФ-1,8-100, L = 80 см, Lo = 3 см, f =1,5 мм/мин = 0,0025 см/с, Ср = 0 (вакуум), δ = 0,001 см, /0, k0B = 0,8, k0P = 0,35, DB = 2,4 * 10-4 см2/с, DP = 2 * 10-4 см2/с, αP = 5 * 10-4 см/с
1) БКДБ-0,5–80 – кремний легирован бором методом зонной плавки, p-тип проводимости, ρ = 0,5 Ом * см, Dкр = 80 мм, B – нелетучая примесь:
Для Si p-типа: ρ = 0,5 Ом * см → Cтв B = 3,08 * 1016 см-3;
kB
=
=
≈ 0,802
C0B
=
=
≈ 3,84 * 1016
см-3
Пример расчёта концентрации примеси B при x = 1 см:
Ств
B(1)
= kB
* C0B
*
)
= 0,802 * 3,84 * 1016
*
)
≈ 2,36 * 1016
см-3
Определение выхода годного продукта:
/ 0,1 = ΔCтв B/Cтв B → ΔCтв B = 0,1 * Cтв B
Концентрации Cтв
B
– ΔCтв
B
= 0,9 * Cтв
B
≈ 2,77 * 1016
см-3
при x
= 0 см соответствует концентрация Cтв
B
+ ΔCтв
B
= 1,1 * Cтв
B
при x
= 0,75 см, тогда выход годного продукта:
* 100% =
* 100% ≈ 0,94 %
Рис. 13 – Определение выхода годного продукта для примеси бора

2) БКЭФ-1,8-100 – кремний легирован фосфором методом зонной плавки, n-тип проводимости, ρ = 1,8 Ом * см, Dкр = 100 мм, P – летучая примесь:
Для Si n-типа: при ρ = 1 Ом * см - Cтв P = 1,41 * 1016 см-3, при ρ = 2 Ом * см - Cтв P = 6,75 * 1015 см-3,
тогда при ρ = 1,8 Ом
* см - Cтв
P
= 6,75 * 1015
+
≈ 8,22 * 1015
см-3
kP
=
=
≈ 0,353
kи
P
=
=
=
= 0,24
kоб P = kP + kи P = 0,24 + 0,353 ≈ 0,593
C0P
=
=
≈ 2,33 * 1016
см-3
Пример расчёта концентрации примеси P при x = 1 см:
Ств
P(1)
= kP
* C0P
*
)
= 0,353 * 2,33 * 1016
*
)
≈ 6,75 * 1015
см-3
Определение выхода годного продукта:
/ 0,1 = ΔCтв P/Cтв P → ΔCтв P = 0,1 * Cтв P
Концентрации Cтв
P
– ΔCтв
P
= 0,9 * Cтв
P
≈ 7,4 * 1015
см-3
при x
= 0 см соответствует концентрация Cтв
P
+ ΔCтв
P
= 1,1 * Cтв
P
при x
= 1,015 см, тогда выход годного продукта:
* 100% =
* 100% ≈ 1,27 %
Рис. 14 – Определение выхода годного продукта для примеси фосфора