Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Учебники 80269

.pdf
Скачиваний:
6
Добавлен:
01.05.2022
Размер:
2.12 Mб
Скачать

Для крыльчатых ветроколёс, существует ещё одна характеристика, связанная с коэффициентом использования энергии ветра и быстроходностью.

Это так называемый коэффициент заполнения, который рассчитывается по формуле:

C = (nкRLк)/(πR2),

(2.6)

где nк – число крыльев; R – радиус ветроколеса, м; Lк – средняя ширина крыла, м.

Увеличение C ведёт к возрастанию вращающего момента, и к уменьшению коэффициента использования энергии ветра (рис. 2.4).

Рис. 2.4. Данные по коэффициенту заполнения, вращающему моменту и коэффициенту использования энергии ветра

Приведённая информация позволяет определить максимальную технически доступную мощность, но не принимает во внимание потери на трение и возникновение турбулентностей в потоке за турбиной.

3 Описание лабораторного оборудования

В данной лабораторной работе используется учебная аэродинамическая труба с комплектом измерительного оборудования, схематично изображённая на рис. 2.5. В основном канале (1) трубы на стойках (2) в подшипниках установлен исследуемый ротор ветроприёмника (3). Ламинатор (4) в виде металлической решетки большой толщины не позволяет воздушному потоку, протекающему по основному каналу закручиваться вокруг своей оси.

Диффузор (5) служит соединительной частью между основным каналом и каналом вентилятора (6). Вентилятор (7) создаёт рабочий и приводится во вращение универсальным коллекторным двигателем (9) , установленным на пилонах (8) в канале вентилятора. Регулирование частоты вращения крыльчатки

21

вентилятора осуществляется с помощью ЛАТРа (10), питаемого от сети (220 В, 50 Гц).

Измерение частоты вращения в ходе исследований осуществляется с помощью электронного счётчика оборотов (11). Датчик счётчика (14) установлен на валу исследуемого ротора. Частоту вращения следует определять в об/с.

Механическая нагрузка на валу ротора создаётся при помощи моментомера (13), путём изменения тока, протекающего по обмоткам его нагрузочного механизма, при помощи регулируемого источника питания (12). Шкала моментомера (нагрузочного устройства) проградуирована в г·см производителем оборудования. Для использования результатов измерений их предварительно следует перевести в единицы системы СИ, то есть в н·м.

Скорость воздушного потока определяется с помощью стандартного чащечного анемометра и измеряется в м/с.

Поскольку скорость воздушного потока в основном канале аэродинамической трубы зависит от частоты вращения приводного двигателя, а эта частота в свою очередь, определяется напряжением питания двигателя, на корпусе ЛАТРа нанесена шкала соответствия положения регулировочной рукоятки скоростям воздушного потока.

Рис. 2.5. Описание используемого оборудования

4 Порядок выполнения работы

4.1Ознакомиться с конструкцией стенда.

4.2Установить в аэродинамическую трубу модель ротора Савониуса и измерить его диаметр (D) и высоту (h).

22

4.3Выполнить все необходимые электрические соединения и привести модель ветроколеса во вращение, плавно изменяя напряжение питания на приводе аэродинамической трубы при помощи ЛАТРа.

4.4Для данного значения скорости ветра проведите измерение момента на валу (Мр ) и частоты вращения (nр) ветроколеса (3…5 измерений).

Регулирование нагрузки на валу ветроколеса осуществляется изменением напряжения питания моментомера. Определение частоты вращения ветроприёмника производится с помощью секундомера и счётчика оборотов.

Результаты измерений заносятся в таблицу 1. Повторить опыт для других скоростей ветра (3…4 раза).

4.5По полученным в ходе измерении значениям (v, nр, Мр), используя формулы 1 – 4 рассчитать мощность ветроколеса (Рр), мощность воздушного потока (Рвп), коэффициент использования энергии ветра (η). Результаты измерений и расчётов занести в табл. 2.

Таблица 2

Результаты измерений и расчётов

Pр = ωрMр = 2πnрMр ,

(2.7)

Pвп = 0.5ρSv3 ,

(2.8)

S = hD, ρ = 1,215 кг/м3

(2.9)

ξ = Pр/ Pвп.

(2.10)

4.6Построить основную энергетическую характеристику исследуемого ротора, проанализировать её и сделать выводы.

4.7Повторить пункты 4.3 – 4.6 для других моделей ветроприёмников.

4.8Провести сравнительный анализ энергетических характеристик исследованных ветроприёмников и сделать выводы.

Контрольные вопросы

5.1 Приведите выражение для расчёта удельной мощности воздушного потока.

23

5.2Какие факторы оказывают влияние на плотность воздуха?

5.3Какие факторы определяют направление ветра на конкретной местно-

сти?

5.4Какие статистические закономерности применяются для описания поведения ветра?

5.6Как изменяется скорость ветра с высотой над поверхностью земли, каким выражением описывается характер изменения?

5.7Перечислите основные параметры, характеризующие ветроприёмники

вцелом.

5.8Какая зависимость называется основной энергетической характеристикой ветроприёмника?

5.9По каким признакам классифицируются ветроприёмники?

5.10В чём заключается принцип действия ветроприёмника дифференциального аэродинамического сопротивления?

5.11Опишите принцип действия ветроприёмника подъёмной силы.

5.12Приведите выражение для определения подъёмной силы элемента крыла конечных размеров

5.13Какие ветроприёмники и почему требуют обязательного наведения

на ветер?

5.14Для чего осуществляется регулирование частоты вращения ветроприёмников?

5.15Перечислите известные вам способы наведения ветроустановок на

ветер.

5.16Перечислите основные элементы современной крупной (мощностью свыше 600 кВт) ВЭС.

5.17Назовите основные недостатки ВЭУ с точки зрения экологического воздействия и возможные пути их устранения.

Лабораторная работа №3 Исследование свойств полупроводникового

фотоэлектрического преобразователя

1. Цель работы

1.1.Практическое знакомство с устройством и принципом действия полупроводниковых фотопреобразователей.

1.2.Исследование характеристик полупроводниковых преобразователей.

2 .Краткие теоретические сведения

Солнце – самый мощный источник энергии по сравнению со всеми другими, доступными человеку. Полная мощность солнечного излучения выражается цифрой: 4·1026 Вт, или 4·1014 млрд. кВт.

24

На границе атмосферы на 1 м2 поверхности Земли, расположенной перпендикулярно солнечным лучам, приходится около 1,4 кВт солнечной радиации.

Солнечная энергия может использоваться как для производства электроэнергии (точнее говоря, путем преобразования солнечной радиации в электрическую энергию), так и для отопления и горячего водоснабжения.

В настоящее время применяются два способа преобразования энергии солнечного излучения в электрическую энергию:

гелиотермодинамические установки, в которых солнечное излучение, сконцентрированное с помощью системы зеркал, используется для производства пара, который в свою очередь приводит в действие турбогенераторную группу

полупроводниковые фотовольтаические преобразователи (фотоэлементы и батареи фотоэлементов или фотоэлектрические модули);

Гелиотермодинамические установки представляют собой сложные дорогие комплексы, построенные на основе высоких технологий с применением современных материалов и электронных устройств управления. Однако, их общий коэффициент полезного действия составляет около 10%, и широкого применения они пока не нашли.

Полупроводниковые фотопреобразователи осуществляют прямое преобразование энергии фотонов в электрическую энергию, основанное на свойстве полупроводникового перехода разделять генерируемые носители зарядов.

2.1. Фотовольтаический эффект

При освещении p–n перехода в обеих его областях генерируются элек- тронно-дырочные пары (рис. 3.1).

Обозначения

- дырки

- Основные электроны

- Неосновные дырки

- Неосновные электроны

Рис .3.1. Фотоэффект

Дырки, образовавшиеся в зоне P, и электроны, образовавшиеся в зоне N, являются для этих областей основными носителями зарядов. Присоединяясь к

25

уже имеющимся основным носителям зарядов, они несколько увеличивают их концентрацию.

Напротив, дырки, образовавшиеся в зоне N, и электроны, образовавшиеся

взоне P, являются для этих зон неосновными носителями. Диффундируя к переходу, они легко его пересекают, поскольку потенциальный барьер не тормозит их своим полем, а наоборот ускоряет.

Врезультате область P вблизи перехода заряжается положительно, а зона N – отрицательно и между ними возникает разность потенциала, направленная

впрямом направлении. Эта разность потенциалов называется фото-э.д.с.

При замыкании электрической цепи на сопротивление нагрузки только часть неосновных носителей зарядов, сгенерированных под действием света понижает уровень потенциального барьера, то есть создаёт разность потенциалов на выводных концах фотоэлемента. Оставшаяся часть неосновных носителей зарядов создаёт электрический ток, протекающиё по внешней цепи.

Фотоэлемент структура которого приведена на рис. 3.2 состоит из ПП Ρ- типа (2) на поверхности которого с помощью добавки создан тонкий слой (1) N-типа. В результате получен P-N-переход (6), расположенный совсем близко к освещаемой поверхности. Задняя поверхность полупроводника Ρ-типа покрыта металлическим контактом (3) , который играет роль положительного полюса фотоэлемента. Отрицательный полюс (4) представляет собой металлическую сетку, покрывающую снаружи часть N-типа.

Солнечное излучение

Рис. 3.2. Структура фотоэлемента

Для подключения фотоэлемента к нагрузке предусмотрены соединительные провода (5). Отметим, что элемент содержит только один переход и полученное напряжение обычно не превышает 0,6 В, а величина тока нескольких десятков mA/см2.

Схема замещения фотоэлемента показана на рис. 3.3. Он может быть представлен как источник тока соединённый параллельно с диодом Dj и сопротивлением нагрузки Rc.

26

Рис. 3.3. Схема замещения фотоэлемента

Из рисунка видно, что фототок Ip это сумма двух токов: тока диода ID и тока нагрузки IС.

 

 

 

 

 

Ip=ID+Ic,

(3.1)

откуда:

 

 

 

 

Ic=Ip - ID.

(3.2)

Для диода, поляризованного в прямом направлении:

 

 

 

= I

 

qVpc

1),

(3.3)

I

D

(e kT

 

 

s

 

 

 

 

где Vpc – фото- э.д.с. нагруженного элемента; Is – ток насыщения.

Заменяя ID в (2) на (3), мы получаем

 

 

 

 

 

 

,

(3.4)

 

 

 

 

 

 

 

 

qVpc

 

 

 

I

c

= I

p

I

s

e kT

−1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

или

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(3.5)

 

 

kT

 

Ip Ic

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Vpc =

 

 

ln

 

 

 

−1 .

 

 

q

 

Is

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Соотношения (3.4) и (3.5) представляют собой вольтамперную характеристику фотоэлемента: Ic =f(Vpc) или Vpc =f(Ic). В этих соотношениях q это заряд электрона (чтобы не спутать с основанием натурального логарифма). Эта характеристика имеет почти прямоугольную форму (рис. 3.4) с двумя замечательными точками:

-Ток короткого замыкания Icc (точка Vcc = 0; Rc = 0);

-напряжение холостого хода Vco (точка Ic = 0; Rc =).·

-Принимая во внимание условия:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

qVpc

-

 

 

 

 

 

 

 

 

- (3.6)

-

Тогда

 

 

 

 

Ic = Ip Is (e

kT

1) = 0

 

 

 

 

 

qVpc

 

 

 

(3.7)

-

откуда

 

 

 

 

 

 

 

 

(3.8)

I

p

= I

s

(e kT

1),

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

27

 

 

 

- и Vco =ln(I +Ip/Is)kT/q. (3.9)

-

-

Рис. 3.4. Вольтамперная характеристика фотоэлемента

Третья замечательная точка характеристики – рабочая точка, в которой мощность, развиваемая фотоэлементом максимальна Pmax.

В общем виде электрическая мощность: Ρ = UI. Тогда для фотоэлемента:

 

 

 

 

 

Vpc

 

(3.10)

P =V

 

 

 

I

 

 

1)),

pc

(I

p

(eVT

 

 

s

 

 

 

 

где VT = kT/q . Координаты Vm и Im соответствующие Pmax определены приравниванием нулю производной от отношения Ρ к V = Vpc:

Заменяя V на Vm, получают импликату, дающую Vm в функции соотношения If /Is для максимальной мощности:

1+ I

p

/ I

s

= (1+V /V

)eV VT .

(3.11)

 

 

T

 

 

Это трансцендентное уравнение, которое решается численными методами. Максимальный ток рассчитан с помощью (4) с заменой Vpc на Vm.

28

2.3. К.П.Д. фотовольтаического преобразования

К.п.д. преобразования определяется в соответствии со следующим выраже-

нием:

η = VpcIc/ NeEph,

(3.12)

где VpcIc – развиваемая электрическая мощность; Eph – средняя энергия фотонов; N – число фотонов падающих на поверхность элемента в течение секунды.

Произведение NeEph, представляет мощность падающего светового потока. Теоретический к.п.д. фотоэлемента, изготовленного из кремния порядка 60%

и зависит от множества факторов, на практике величина к.п.д. находится в диапазоне 7…15%.

Анализ практических потерь в кремниевом фотоэлементе даёт следующие

результаты (по Вольфу):

 

 

 

Непоглощённые фотоны

 

23%

Энергия, потерянная вследствие термализации электронов........

34%

Различные электрические факторы

25,3%

 

Суммарные потери

 

..86%

Полученная энергия................................................................

 

14% .

 

2.4. Влияние освещённости и температуры на вольтамперные харак-

теристики фотоэлементов

Электрический ток, вырабатываемый фотоэлементом (Ip) практически пропорционален падающему световому потоку. Напротив, напряжение (Vpc) на клеммах перехода изменяется мало, поскольку определяется как функция разности потенциалов N-P перехода зависимая от материала (для монокристаллического кремния, это порядка 590 при Tj = 25°C). На холостом ходу напряжение практически неощутимо снижается с уменьшением светового потока. Это говорит о том, что:

оптимальная мощность фотоэлемента (Pmax) пропорциональна освещён-

ности;

для разной освещённости оптимальные режимы наблюдаются при весьма близких напряжениях (рис. 3.5).

Не стоит пренебрегать влиянием температуры на ВАХ фотоэлемента (см. рис. 3.6). Для кремния, когда температура повышается, ток возрастает на 0,025 mA/cм2/°C в то время как напряжение падает примерно на 2,2 mВ/ °C/на элемент. Это выражается в снижении развиваемой мощности приблизительно на 0,4%/ °C. Влияние рабочей температуры должно учитываться при расчётах систем электроснабжения на базе фотопреобразователей.

В соответствии с международным соглашением принято характеризовать фотоэлемент его пиковой мощностью (в Втc). Пиковая мощность это оптимальная мощность, развиваемая фотоэлементом в нормированных условиях: удельная мощность светового потока1 кВт/м2 и температура полупроводникового перехода 25 °C.

29

Рис. 3.5. Влияние освещённости на ВАХ фотоэлемента

Рис. 3.6. Влияние температуры на ВАХ фотоэлемента

Эффективный к.п.д. преобразования фотоэлемента – это отношение между оптимальной развиваемой мощностью (Pm) и мощностью падающего светового потока при нормированной температуре. Таким образом, монокристал-

30

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]