Учебники 8038

соответствующего ряда номиналов резисторов. При этом рекомендуется Rб1 выбирать в сторону уменьшения номинала, а Rб2 в сторону увеличения.

Номиналы разделительных конденсаторов Ср1 и Ср2 выбирают исходя из того, что коэффициент усиления каскада не должен заметно снижаться в пределах заданной полосы

частот fн…fв.

Помимо подавления постоянной составляющей, разделительные конденсаторы оказывают воздействие и на переменную: подавляют переменную составляющую (несущую полезный сигнал) на нижних частотах и смещают фазы выходного сигнала. Подавление переменного сигнала на нижних частотах связано с характером емкостного сопротивления Xс = 1/ωC, где ω= 2πf – круговая частота, в результате коэффициент усиления на частотах от 0 до fн оказывается мал и при f →0 также стремится к нулю. Этим объясняется провал АЧХ на нижних частотах у усилителей, в которых используются конденсаторы. В рассматриваемой схеме воздействие конденсаторов на разность фаз между напряжением и током, в связи с малыми значениями емкостей конденсаторов, незначительно и мы им можем пренебречь.

Ёмкость конденсатораCр1 рассчитывается исходя из того, что его емкостное сопротивление на нижней частоте должно быть много меньше входного сопротивления каскада. Обычно бывает достаточно, чтобы XCр1 не превышало 10% от входного сопротивления:

2f1Cp1 0,1Rв ,

н

откуда

Входное сопротивление каскада Rв равно сумме сопротивлений базы и входного сопротивления транзистора:

11

Аналогично рассчитывается ёмкость разделительного конденсатора на выходе каскада Ср2, только расчёт ведётся с учётом не входного сопротивления каскада, а сопротивления нагрузки:

Ср2 107

fн Rн , мкФ.

В завершение расчета определяются коэффициенты усиления каскада по току KI:

KI = Iвых / Iвх ≈ h21,

по напряжению KU:

KU Uвых h21 Rк Uвх Rв ,

и по мощности KР:

KР = KIKU.

Знак «минус» в выражении для KU говорит о том, что каскад усиления с общим эмиттером дает фазовый сдвиг входного сигнала 1800 (). Поэтому для определения коэффициента усиления по мощности KU следует брать по модулю.

В табл. 1 приведены исходные данные для выполнения практической части задания

12

Таблица 1

13

3.КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ

1.Общие принципы усиления сигналов. Структурная схема усилителя.

2.Биполярные транзисторы pnp и npn-типа. Схемы включения. Вольтамперные характеристики.

3.Дифференциальные (h) параметры биполярных транзисторов. Режимы и классы работы. Понятие смещения.

4.Цепи смещения биполярных транзисторов.

5.Цепи стабилизации биполярных транзисторов.

6.Усилительный каскад по схеме с ОЭ.

7.Полевые транзисторы с управляющим pn-переходом. Статические характеристики, параметры.

8.Схемы включения полевых транзисторы с управляющим pn-переходом.

9.Цепи смещения в каскаде на ПТ с управляющим pnпереходом.

10.Усилительный каскад на ПТ с управляющим pnпереходом.

11.МДП транзисторы с индуцированным каналом.

12.МДП транзисторы со встроенным каналами.

13.Параметры усилительных каскадов. Виды обратных связей. Коэффициент передачи усилителя с обратной связью.

14.Операционные усилители. Структурная схема. Принцип работы дифференциального каскада. Обозначение операционных усилителей.

15.Схемы включения операционных усилителей: инвертирующая, неинвертирующая.

16.Схемы включения операционных усилителей: интегратор, дифференциатор.

17.Схемы включения операционных усилителей: усилитель-сумматор.

18.Схемы включения операционных усилителей: повторитель, дифференциальный усилитель.

19.Схемы включения операционных усилителей: компараторы.

14

20.Тиристоры. Назначение и классификация.

21.Диодные тиристоры, диак.

22.Триодные тиристоры. Симистор.

23.Принципы работы приборов вакуумной электроники. Электронная эмиссия.

24.Вакуумный диод. Накал.

25.Цепи накала электронных ламп.

26.Вакуумный триод: принцип работы, статические и динамические характеристики, ВАХ.

27.Схемы включения вакуумного триода.

28.Вакуумный тетрод: принцип работы, ВАХ, особенности работы. Динатронный эффект.

29.Лучевой тетрод: принцип работы, ВАХ, особенности работы.

30.Вакуумный пентод: принцип работы, ВАХ, схемы включения.

31.Гибридные и пленочные интегральные схемы.

32.Радиоэлементы пленочных микросхем.

33.Полупроводниковые интегральные схемы. Методы создания радиоэлементов.

34.Акустоэлектроника. Линии задержки на объемных кристаллах.

35.Акустоэлектроника. Встречно-штыревые преобразователи ПАВ, ПАВ-фильтры.

36.Акустоэлектроника. Пьезоизлучатели. Кварцевые резонаторы.

37.Оптоэлектроника. Принципы генерации оптического излучения. Светоизлучающие диоды.

38.Фотодиоды, pin-фотодиоды.

39. Фоторезисторы, фототранзисторы

40. Оптроны. Резисторные, диодные, транзисторные, тиристорные оптопары.

15

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1.Кучумов, А. И. Электроника и схемотехника [Текст] / А. И. Кучумов. – М.: Гелиос АРВ, 2005. – 336 с.

2.Петров, К. С. Радиоматериалы, радиокомпоненты и электроника [Текст] / К. С. Петров. – СПб.: Питер, 2003. – 506 с.

«Воронежский государственный технический университет», 2013. 165 с.

4. Миловзоров, О. В. Электроника [Текст] / О. В. Миловзоров, И. Г. Панков. – М.: Высш. шк., 2006. – 288 с.

5. Гусев, В. Г. Электроника и микропроцессорная техника

16