Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Учебное пособие 800597

.pdf
Скачиваний:
7
Добавлен:
01.05.2022
Размер:
7.08 Mб
Скачать

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Воронежский государственный технический университет

Ю.С.Балашов В.В.Зенин Ю.Е.Сегал

СБОРОЧНЫЕ ОПЕРАЦИИ

ИИХ КОНТРОЛЬ

ВМИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ

Издание второе, переработанное и дополненное

Утверждено Редакционно-издательским советом в качестве учебного пособия

Воронеж 2003

УДК 621.3.049.77.001

Балашов Ю.С., Зенин В.В., Сегал Ю.Е. Сборочные операции и их контроль в микроэлектронике: Учеб. пособие. Воронеж: Воронеж. гос. техн. ун-т, 2003. 228 с.

В учебном пособии рассматриваются основные сборочные операции в технологии производства изделий микроэлектроники: пайка кристаллов и плат к корпусам; присоединение электродных выводов; герметизация полупроводниковых приборов, ИС и микросборок в корпуса. Применительно к микросварке и пайке конкретных контактных материалов рассмотрено влияние конструктивно-технологических факторов на качество микросоединений полупроводниковых изделий электронной техники. Приведены сведения об особенностях поверхностного монтажа компонентов на платы различными способами пайки.

Издание соответствует требованиям Государственного образовательного стандарта по направлению 654300 «Проектирование и технология электронных средств», специальности 200800 «Проектирование и технология радиоэлектронных средств», а также по специальности 200100 «Микроэлектроника и твердотельная электроника».

Учебное пособие подготовлено в электронном виде в текстовом редакторе MS Word XP и содержится в файле СБОР_ОПЕРАЦ_В_МИКРОЭЛ.zip

Табл. 16. Ил. 89. Библиогр.: 27 назв.

Рецензенты: кафедра полупроводникой электроники Воронежского государственного технического университета (зав. каф., д-р физ.-мат. наук, проф. С.И. Рембеза); д-р техн. наук, проф. Б.К. Петров

©Балашов Ю.С., Зенин В.В., Сегал Ю.Е., 2003

©Оформление. Воронежский государственный технический университет, 2003

Введение

Надежность современной радиоэлектронной аппаратуры зависит, в основном, от надежности полупроводниковых изделий электронной техники (ИЭТ): диодов, транзисторов, интегральных и гибридных схем. В свою очередь надежность полупроводниковых ИЭТ в значительной степени определяется операциями сборки, где затруднительно применить групповые методы обработки, характерные для обработки полупроводниковых чипов.

Наиболее ответственной операцией в технологии производства полупроводниковых приборов и микросборок является получение надежных микросоединений, которые определяют безотказность роботы ИЭТ. По данным отечественной и зарубежной литературы, от 35 до 60 % всех отказов ИЭТ приходится на долю микросоединений.

Под сборкой ИЭТ понимают монтаж кристаллов (плат) в корпуса и присоединение электродных выводов. При сборке кристаллы или платы устанавливают на основания корпусов и выполняют электрические соединения. Для монтажа кристаллов и присоединения электродных выводов на ножках и держателях предусматриваются монтажные площадки и поля металлизации.

Основными способами монтажа кристаллов (плат) являются: пайка, приклеивание и механическое кропление. Электродные выводы обычно присоединяют пайкой или сваркой (термокомпрессионной, ультразвуковой и микроконтактной). Основные особенности выполнения таких электрических соединений связаны с небольшой толщиной (0,25 – 2,0 мкм) и сравнительно невысокой прочностью нанесения пленок, малыми размерами контактных площадок и большой толщиной или диаметром (25 – 180 мкм) выводов.

При решении вопроса о надежности контактных соединений, наряду с выбором оптимальных способов и режимов монтажа, необходимо учитывать качество металлизации, микропроволоки, материала и конструкции сварочного инстру-

6

мента. В то же время при разработках технологических процессов и оборудования для сборочных операций очень важно в зависимости от применяемого метода монтажа правильно выбрать необходимые способы управления процессом сборки и контроля полученных соединений.

Учебное пособие предназначено для студентов радиотехнических специальностей, а также других специальностей, изучающих дисциплины по технологии производства ИЭТ.

7

1. Особенности изготовления полупроводниковых изделий электронной техники

Основной особенностью производства полупроводниковых изделий является применение в технологии изготовления групповых методов. При этом в объеме и на поверхности полупроводниковых подложек различными технологическими приемами формируют большое количество структур диодов, транзисторов или ИС. Затем подложки разделяют на кристаллы, после напайки кристалла к корпусу и присоединения внутренних выводов осуществляют герметизацию в корпусах или пластмассой. Полученные готовые полупроводниковые приборы и ИС монтируют

врадиоэлектронную аппаратуру. Для использования

вГИС выпускаются бескорпусные полупроводниковые приборы и ИС.

Сложность технологических процессов изготовления полупроводниковых приборов и ИС, включающих более ста технологических операций, приводит к тому, что воспроизводимость результатов техпроцесса не всегда может носить устойчивый характер. Все это вызывает появление скрытых дефектов, которые приводят к непостоянству выхода годных изделий. Поэтому изготовление полупроводниковых изделий начинается с входного контроля используемых материалов и технологических сред, а в процессе производства проводится пооперационный контроль на всех стадиях изготовления.

8

Изготовленные изделия должны обладать заданными критериями качества и надежности при воздействии на них различных механических и климатических факторов (ударов, вибрации, повышенных и пониженных температур и давления, повышенной влажности и радиации), а также электрической нагрузки.

В последние годы наиболее широко распространена теория «относительного качества», сущность которой состоит в том, что качество изделия определяется его целевым назначением. Под качеством понимают совокупность свойств изделия, обуславливающих его пригодность удовлетворять определенным требованиям в соответствии с назначением. Что касается микросоединений полупроводниковых приборов и ИС, то можно выделить три основных параметра, характеризующих качество контактов:

1.Процент выхода годных изделий на операции сборки. Этот параметр задается на этапе разработки ИЭТ.

2.Разброс по прочности микросоединений при их контроле методом механического разрушения.

3.По характеру разрушения микросоединений при оценки их прочности.

Второй и третий критерии качества микросоединений внутренних выводов контролируют на этапе серийного производства ИЭТ. Следует отметить, что в настоящее время в технологии производства полупроводниковых ИЭТ соедине-

9

ний считается качественным, если при оценке его прочности разрушение происходит по присоединенной проволоке.

1.1. Конструктивные элементы микроэлектронной аппаратуры

Основными конструктивными элементами микроэлектронной аппаратуры (МЭА) являются: полупроводниковые кристаллы, в поверхностном слое которых сформированы электрорадиоэлементы (ЭРЭ); подложки и платы, на которые монтируются ЭРЭ МЭА; электрические соединения, объединяющие ЭРЭ и элементы различного структурного уровня МЭА; корпусные ЭРЭ. Особенностью МЭА является то, что наряду с традиционными конструктивными материалами в ней находят широкое применение многослойные неоднородные материалы для монтажных плат и подложек, тонкопроволочные и тонкопленочные материалы для электромонтажных соединений, а также низкотемпературные припои, полимерные материалы и герметизирующие покрытия.

В качестве материала полупроводниковых кристаллов используют кремний, германий и арсенид галлия. Полупроводниковые кристаллы имеют прямоугольную или квадратную форму размерами от 0,7 0,7 до 10 10 (мм) и толщиной 0,2 – 0,3 мм.

Подложка является важным составным элементом гибридных микросхем. Она одновременно выполняет несколько функций: представляет собой конструктивную основу, на которой формируются и мон-

тируются элементы гибридной микросхемы; обеспечивает электрическую изоляцию элементов гибридной микросхемы, а также служит теплоотводящим элементом всей конструкции.

К материалу подложки независимо от конструкции и назначения микросхемы предъявляют следующие требования: высокое качество обработки рабочей поверхности; высокая механическая прочность; минимальная пористость; высокая теплопроводность; химическая стойкость; высокое удельное сопротивление; близость коэффициентов термического расширения подложки и наносимых на нее пленок; низкая стоимость исходного материала и технологии его обработки; высокие значения диэлектрической проницаемости (для микросхем, работающих в СВЧдиапазоне).

Для изготовления подложек гибридных микросхем используются материалы: стекла электровакуумные С48-3 и С41-1, глазурь Г90011, керамические вакуумно-плотные материалы 22ХС, поликор, сапфирит, ситаллы СТ50- 1,

СТ-38-1 и СТ-32-1, сапфир, кварц и некоторые другие.

Из всех критериев выбора материала для подложек главным является высокий коэффициент теплопроводности. Данные о коэффициентах теплопроводности материалов, используемых в качестве кристаллов и корпусов в производстве ИЭТ приведены в табл. 1.1 и 1.2.

 

 

Таблица 1.1

Материал

Теплопроводность,

Примечание

 

 

Вт/м К

 

 

Алмаз

2000

Высокая стои-

 

мость

 

 

 

 

BN

1300

Высокая стои-

 

мость

 

 

 

 

SiC

490

Полупроводник

 

ВеО

370

Высокая ток-

 

сичность

 

 

 

 

AlN

320

Хороший ди-

 

электрик

 

 

 

 

Si

160

Полупроводник

 

Al2О3

20

Хороший ди-

 

электрик

 

 

 

 

Анализ физико-механических свойств материалов, указанных в табл. 1.1 и 1.2, указывает на перспективность использования нитрида алюминия (AlN) для подложек массовых интегральных микросхем. Подложки из AlN имеют высокий коэффициент пропускания для инфракрасного излучения (при = 6 мкм и толщине подложек 0,5 мм он равен 48 %). При напылении на подложки из AlN слоев

Ti-Pd-Au, NiCr-Pd-Au и Ti2N-NiCr-Pd-Au путем испа-

рения или ионного распыления обеспечивается их высокая адгезия к подложке.

Подложки из AlN используются в качестве теплоотвода для кремниевых транзисторов, световых

диодов на GaAlAs и лазерных диодов на InGaAsP. Эффективность отвода тепла сопоставима с эффективностью отвода тепла при использовании для этих же приборов подложек из ВеO и алмаза.

В ГИС, для которых важна проблема отвода тепла и которые работают при значительных механических нагрузках, применяют двухслойные металлические подложки: алюминиевые, покрытые слоем анодного оксида, или эмалированные стальные. Подложки для гибридных микросхем имеют квадратную и прямоугольную форму с

размерами, мм: 60

48, 30

48, 30 24, 30 16,

20 16, 10 16, 10

12 и 5

6. Толщину подло-

жек рекомендуется принимать равной 0,6; 1,0 и 1,6 мм с отклонениями до 0,06 мм.

Таблица 1.2

Электрофизические параметры материалов подложек

 

 

 

 

 

Материал

 

 

Параметр

Стек-

 

Плавленный кварц

 

 

Керамика

 

-41С1

 

-48С3

Ситалл СТ50-1

Кремний

 

 

 

Сапфир ХС22(96 Al2O3)% Поликор

Глазурованная 99,5% BeO

 

 

ло

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1. Класс

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

тей

чистоты

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Высота микронеровнос мкм0,45до

обработки

 

 

 

 

 

 

 

 

12

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

поверхно-

 

 

 

13 –

 

 

 

 

 

 

14

 

14

14

 

 

12

14

 

сти

 

14

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

14

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10

11

2. ТКЛР

–7

–7

–7

 

 

 

–7

–7

–7

 

при

 

–7

 

–7

–7

Т = 20 –

 

(41 2)10·

(48 2)10·

(50 2)10·

55·10

 

80·10

(60 5)10·

(70-75)10·

(73-78)10·

70·10

300 оС

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3. Коэффиц

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

иент тепло-

 

 

 

7 –

14

 

 

30

1,2 –

 

проводно-

1

1,5

1,5

33,5

10

210

15

0

1,7

сти

 

 

 

 

 

 

45

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Вт/(м °С)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4. Диэлектр

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ическая

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

проницае-

 

3,2

5 –

 

 

 

 

10,

13 –

6,4 –

мость при

7,5

3,8

 

10,6

10,3

– 8

8,5

 

5

16

9,5

f = 106 Гц

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

и Т = 20 °С

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

5. Тангенс

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

угла ди-

4

 

4

 

 

 

 

4

4

4

электриче-

 

 

 

 

4

ских потерь

 

 

 

 

20·10

 

20·10

 

 

6·10

10·10

18·10

16·10

при

 

 

 

 

6

 

 

 

 

f = 10

Гц и

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Т = 20 °С

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

6. Объем-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ное сопро-

101

101

 

 

 

 

 

 

 

101

тивление

 

15

 

 

при

 

7

4

 

10

 

 

4

 

 

 

 

 

 

 

Т = 20 ºС,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ом см

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

7. Электри-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ческая

40

40

 

 

50

50

20

прочность,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

кВ/мм

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В последнее время для изготовления гибридных БИС и микросборок применяют гибкие подложки из полимерных материалов, например, полиамидных пленок толщиной 40 – 50 мкм. Для этих пленок возможна двусторонняя обработка и вакуумное нанесение металлических пленок для создания двухслойной разводки, а также фототравление отверстий для создания металлизированных переходов между слоями.

Основные трудности при разработке печатных плат на металлических основаниях связаны с формированием на поверхности металлов диэлектрического разделительного слоя, обеспечивающего надежную

12

электроизоляцию токопроводящего рисунка схемы от металлической основы при достаточно высокой теплопроводности. Диэлектрические покрытия могут быть полимерные, оксидные или комбинированные.

На алюминиевых основаниях электроизоляционное анодирование проводится в растворе на основе щавелевой кислоты (50 г/л) в гальваностатическом режиме при 20 – 25 °С с последующим кипячением в дистиллированной воде в течение 30 мин. Анодные оксидные пленки на алюминии характеризуются достаточно высокими электроизоляционными свойствами, их теплопроводность на порядок выше теплопроводности органических полимерных материалов. Анодные оксидные покрытия отличаются также высокой равномерностью даже на сложно профилированных изделиях. В то же время данные оксидные покрытия склонны к растрескиванию при нагревании из-за большого различия температурных коэффициентов расширения алюминиевого основания и оксида и низкой эластичности последнего, что не позволяет удовлетворить высокие требования к электроизоляционным свойствам покрытия (напряжение пробоя более

2кВ).

Впроцессе сборки интегральных микросхем, БИС и микросборок выполняют большое количество электрических соединений: контактных площадок кристалла с выводами корпуса (ИС, БИС); выводов кристалла и компонентов с

13

внутренними контактными площадками платы (гибридные ИС (БИС)); периферийных контактных площадок платы с выводами корпуса (микросборки).

Для данных операций применяют проволочный или беспроволочный монтаж. Применение микронной алюминиевой проволоки, наряду с экономией золота, позволяет выпускать особо надежные полупроводниковые приборы и ИС. В табл. 1.3 приведены основные параметры алюминиевой проволоки.

Для сборки ГИС используются также лудящие пасты, представляющие собой смесь припойного порошка и флюс – связки. Использование паст позволяет автоматизировать процесс монтажа навесных компонентов на плату, что обеспечивает высокую производительность сборки в целом.

Лудящая паста применительно к автоматизированной сборке толстопленочных ГИС должна удовлетворять следующим требованиям: сохранять постоянное значение вязкости в процессе нанесения; отвечать условиям трафаретной печати; обеспечивать высокую прочность соединяемых элементов; не быть коррозионно-активной; не вызывать повреждений соединяемых элементов во время пайки и после нее; быть недорогой. Как показали исследования, наилучшими технологическими свойствами обладает лудящая паста на основе канифольсодержащего флюса

иприпоя ПОС61 с размером частиц 40 – 60 мкм.

1.2.Термины и определения в производстве ИС

Интегральная схема (ИС) представляет собой совокупность электрически связанных и конструктивно неотделимых микроэлементов, непосредственно формируемых в процессе изготовления схемы на поверхности или в объеме общего основания. Полупроводниковые ИС являются одним из наиболее удобных типов ИС с точки зрения их применения, т. к. они являются наиболее надежными и самыми дешевыми из всех интегральных структур.

Таблица 1.3 Микронная алюминиевая проволока

Материал, марка

Диа-метр, мкм

Состояние поставки

Временное сопротивление разрыву, мПа

Относительное удлинение, %

Удельное электросопротивление Ом м, не более

Назначение

 

 

 

 

 

 

 

 

27

Твер-

300 –

1 – 6

3,5 10-

 

 

 

дое

400

2 – 6

8

 

 

 

 

 

 

 

Мягкое

200 –

 

 

 

 

 

 

310

 

 

 

 

30

Твер-

300 –

1 – 6

3,5 10-

 

 

 

дое

400

2 – 6

8

 

 

 

 

 

 

 

Мягкое

200 –

 

 

 

 

 

 

300

 

 

 

Проволока

35

Твер-

300 –

2 – 6

3,5 10-

Для мик-

микронная

 

дое

400

4 – 6

8

росварки

 

 

из Al – Si

 

Мягкое

200 –

 

 

полупро-

 

 

 

воднико-

сплава

 

 

300

 

 

 

 

 

 

вых при-

(АКО, 9П)

40

Твер-

300 –

2 – 6

3,5 10-

 

 

дое

400

4 – 6

8

боров и

 

 

ИС

 

 

 

 

 

Мягкое

200 –

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

300

 

 

 

 

50

Твер-

300 –

1 – 6

3,5 10-

 

 

 

дое

400

1 – 6

8

 

 

 

 

 

 

 

Мягкое

200 –

 

 

 

 

 

 

300

 

 

 

14

 

60

 

 

 

 

 

 

80

 

 

 

 

 

 

100

 

200 –

 

 

 

 

150

 

 

3,5 10-

 

 

 

300

2 – 12

 

 

200

 

200 –

2 – 12

8

 

 

250

 

 

 

 

 

300

 

 

 

 

300

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

400

 

 

 

 

 

 

500

 

 

 

 

 

Проволока

200

 

 

 

 

Для

прецизион-

 

 

 

 

сборки

ная из мик-

400

 

 

 

3,5 10-

мощных

ролегиро-

 

 

 

полупро-

 

 

44 – 66

5 – 25

ванного

 

 

8

воднико-

 

 

 

 

 

алюминие-

 

 

 

 

 

вых при-

вого сплава

 

 

 

 

 

боров

(АОЦПоМ)

 

 

 

 

 

 

К недостаткам полупроводниковых ИС относится ограничение параметров пассивных элементов. Кроме того, пассивные элементы этих устройств имеют сравнительно большой коэффициент напряжения и температурный коэффициент, а также большое число паразитных связей между элементами.

Важной конструктивно-технологической характеристикой ИС является степень интеграции

K = lg·N,

где N – количество элементов, объединенных общей подложкой.

Увеличение степени интеграции ИС дает возможность повышать качественные показатели и надежность МЭА за счет сокращения числа паяных и сварных соединений. Уменьшение объема монтажносборочных работ приводит также к снижению стоимости МЭА.

Последнее десятилетие характеризуется использование СБИС шестой степени интеграции (К = 6·105 < N 106). Выпускаются БИС и СБИС, выполняющие

15

по заданной программе определенные функции (например, ввод и вывод информации, ее хранение и др.) и являющиеся основой микро-ЭВМ. Такие БИС и СБИС называют микропроцессорами.

По функциональному признаку микросхемы разделяются на два класса: цифровые и аналоговые. Цифровые микросхемы предназначены для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону дискретной функции. Аналоговые микросхемы предназначены для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции. Частным случаем аналоговых микросхем являются микросхемы с линейной характеристикой, так называемые линейные микросхемы.

Аналоговые и цифровые схемы подвергаются длительным испытаниям при повышенных температурах (например, в течение 1000 ч при 150 °С без нагрузки). Испытания на время наработки на отказ обычно проводятся при 125 ºС в течение 1000 ч при 50 %-ной нагрузке. Для аналоговых схем это означает включение и выключение Uкк с частотой от 1 до 100 кГц, а для цифровых схем – периодическую подачу на вход "0" и "1" с частотой от 1 до 100 кГц. При необходимости проводят испытания в условиях повышенной влажности в камере при 30 – 60 ºС и относительной влажности 90 – 98 %. Эти испытания длятся в течение 1000 ч в режиме 50 %-ной циклической нагрузки.

16

 

Отказы аналоговых и цифровых схем подразде-

 

 

тов) и кристаллов, ко-

ляются на три группы:

 

 

 

 

 

 

торые с точки

зрения

 

1) отказы, связанные с явлениями в объеме кри-

 

 

требований к

испыта-

сталла;

 

 

 

 

 

 

 

ниям, приемке, постав-

 

2) отказы, зависящие от состояния контактных

 

 

ке и эксплуатации рас-

соединений;

 

 

 

 

 

 

 

сматриваются как еди-

 

3) отказы, обусловленные явлениями на поверх-

 

 

ное целое.

 

ности кристаллической структуры.

 

 

 

 

 

 

 

 

В производстве интегральных микросхем в соот-

 

 

 

 

ветствии с действующими Гос. стандартами приме-

 

 

 

 

няют специальные термины и определения (табл. 1.4).

 

 

 

 

 

 

 

 

Таблица 1.4

 

 

 

 

 

Специальные термины и определения

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Краткая

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

форма

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Термин

стандарти-

Определение

 

 

 

 

 

 

 

 

зованного

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

термина

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

2

3

 

 

 

 

 

 

 

 

Инте-

Микросхе-

Микроэлектронное из-

 

 

 

 

 

 

гральная

ма (ИС)

делие, выполняющее

 

 

 

 

 

 

микро-

 

определенную

функ-

 

 

 

 

 

 

схема

 

цию преобразования

и

 

 

 

 

 

 

 

 

обработки сигналов

и

 

 

 

 

 

 

 

 

имеющее

высокую

 

 

 

 

 

 

 

 

плотность

упаковки

 

 

 

 

 

 

 

 

электрически

соеди-

 

 

 

 

 

 

 

 

ненных элементов (или

 

 

 

 

 

 

 

 

элементов и компонен-

 

 

 

 

 

17

 

 

Продолжение таблицы 1.4

 

микро-

 

 

поненты и (или) кри-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

схема

 

 

сталлы.

 

 

 

 

1

2

 

3

 

 

 

 

 

Кристалл

 

Кристалл

Часть

полупроводни-

Элемент

Элемент

Часть

интегральной

 

 

инте-

 

 

ковой пластины, в объ-

инте-

 

микросхемы,

 

реали-

 

 

гральной

 

 

еме и

на

поверхности

гральной

 

зующая функцию како-

 

 

микро-

 

 

которой сформированы

микро-

 

го-либо ЭРЭ (транзи-

 

 

схемы

 

 

элементы

полупровод-

схемы

 

стора, диода, резистора

 

 

 

 

 

 

никовой

интегральной

 

 

и др.), которая выпол-

 

 

 

 

 

 

микросхемы,

межэле-

 

 

нена

нераздельно

от

 

 

 

 

 

 

ментные соединения и

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

18

 

 

 

 

 

 

кристалла или подлож-

 

 

 

 

 

 

контактные площадки.

 

 

ки и не может быть вы-

 

 

 

 

 

Продолжение таблицы 1.4

 

 

делена

как

самостоя-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

тельное изделие с точ-

 

1

 

2

 

 

3

 

 

 

 

ки зрения требований к

 

Бескор-

 

Бескорпусная

Кристалл

интеграль-

 

 

 

испытаниям,

 

приемке,

 

пусная

 

микросхема

ной

микросхемы,

 

 

 

поставке и

эксплуата-

 

инте-

 

 

 

предназначенный

 

 

 

ции.

 

 

 

 

 

гральная

 

 

 

для монтажа в гиб-

 

Компо-

Компонент

Часть

интегральной

 

микро-

 

 

 

ридную

интеграль-

 

нент ин-

 

микросхемы,

 

реали-

 

схема

 

 

 

ную микросхему или

 

теграль-

 

зующая функцию како-

 

 

 

 

 

 

микросборку.

 

ной мик-

 

го-либо ЭРЭ, которая

 

Подложка

 

Подложка

Заготовка из диэлек-

 

росхемы

 

может

быть

 

выделена

 

инте-

 

 

 

трического материа-

 

 

 

как

самостоятельное

 

гральной

 

 

 

ла, предназначенная

 

 

 

изделие с точки зрения

 

микро-

 

 

 

для нанесения на нее

 

 

 

требований

к

испыта-

 

схемы

 

 

 

элементов

гибрид-

 

 

 

ниям, приемке, постав-

 

 

 

 

 

 

ных

интегральных

 

 

 

ке и эксплуатации.

 

 

 

 

 

 

 

микросхем,

межэле-

 

Гибрид-

Гибридная

Интегральная

микро-

 

 

 

 

 

 

ментных и (или)

 

ная инте-

микросхе-

схема,

содержащая

 

 

 

 

 

 

межкомпонентных

 

гральная

ма (ГИС)

кроме

элементов

ком-

 

 

 

 

 

 

соединений,

а также