Учебное пособие 800298
.pdfОГЛАВЛЕНИЕ |
|
Условные обозначения |
3 |
Введение |
5 |
1. Собственные и примесные дефекты в кристаллах |
6 |
1.1. Реальные кристаллы. Классификация дефек- |
|
тов |
6 |
1.2. Точечные дефекты и физические свойства |
|
кристаллов |
7 |
2. Тепловой беспорядок в кристалле. |
|
Тепловые дефекты |
15 |
2.1. Феноменологическая характеристика |
|
тепловых дефектов |
15 |
2.2. Зависимость концентрации тепловых дефек- |
|
тов от температуры |
16 |
2.3. Термодинамическая и экспериментальная |
|
оценка концентрации тепловых дефектов |
20 |
2.4. Дефекты нестехиометрии |
26 |
3. Квазихимический метод описания дефектов |
29 |
3.1. Квазихимический метод. Основные опреде- |
|
ления |
29 |
3.2. Принципы квазихимического метода |
30 |
3.3. Отображение реакций дефектов на зонной |
|
диаграмме кристалла |
35 |
3.4. Равновесие собственных (тепловых) дефек- |
|
тов с учетом их ионизации |
37 |
3.5. Определение температурной зависимости |
|
концентрации собственных дефектов квазихимиче- |
|
ским методом |
40 |
3.6. Зависимость равновесной концентрации де- |
|
фектов в кристалле от давления паров над кристал- |
|
лом |
44 |
3.7. Физический смысл показателя степени в |
|
уравнении зависимости равновесной концентрации |
48 |
130 |
|
дефектов от давления пара |
|
4. Беспорядок в кристалле, обусловленный посто- |
|
ронними примесями |
50 |
4.1. Неизбежность загрязнения кристалла посто- |
|
ронними примесями |
50 |
4.2. Равновесие дефектов в однокомпонентном |
|
кристалле, обогащенном посторонними примесями |
52 |
4.2.1. Условия, благоприятствующие образова- |
|
нию твердых растворов |
52 |
4.2.2. Однокомпонентные кристаллы с одной по- |
|
сторонней примесью |
53 |
4.3. Равновесие дефектов в бинарных кристаллах, |
|
обогащенных посторонними примесями |
60 |
4.4. Основные квазихимические уравнения и зон- |
|
ные диаграммы в кристалле, обусловленные посто- |
|
ронними примесями |
66 |
5. Ассоциаты |
68 |
5.1. Общие представления |
68 |
5.2. Ассоциаты с электростатическим взаимодей- |
|
ствием |
69 |
5.3. Взаимодействие нейтральных дефектов |
70 |
5.4. Физико-химические основы управления |
|
процессами ассоциации |
73 |
6. Внутреннее равновесие собственных и примесных |
|
дефектов |
79 |
6.1. Реальные кристаллы |
79 |
6.2. Взаимное влияние заряженных собственных |
|
и примесных дефектов |
80 |
6.3. Растворимость примесей в полупроводниках |
|
с учетом ионизации примесных атомов |
83 |
6.4. Управление собственными дефектами путем |
|
отжига кристаллов в парогазовой среде |
88 |
6.5. Распределение амфотерной примеси в кри- |
|
сталлической решетке полупроводников |
93 |
131 |
|
7. Явление переноса в кристаллах с дефектами |
97 |
7.1. Общие положения |
97 |
7.2. Диффузия |
98 |
7.3. Хаотическая самодиффузия |
99 |
7.4. Влияние температуры на коэффициент |
|
хаотической самодиффузии |
104 |
7.5. Коэффициент собственной хаотической |
|
самодиффузии в кристаллах с нарушенной |
|
стехиометрией |
106 |
7.6. Влияние посторонних примесей на коэффи- |
|
циент самодиффузии. «Несобственная» самодиффу- |
|
зия |
109 |
7.7. Направленная диффузия. Законы Фика |
113 |
8. Некоторые сведения из химической термодина- |
|
мики |
115 |
Заключение |
120 |
Приложение |
122 |
132
Учебное издание
Николаева Елена Петровна Кошелева Наталья Николаевна
ТОЧЕЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ
В КРИСТАЛЛАХ
Вавторской редакции
Компьютерная верстка Н.Н. Кошелевой
Подписано к изданию 11.03.2016. Объем данных 1,3 Мб
ФГБОУ ВО "Воронежский государственный технический университет"
394026 Воронеж, Московский просп., 14
133