- •11.04.04 «Электроника и наноэлектроника»
- •Лабораторная работа №1 Моделирование объемного n-канального mosfet
- •Лабораторная работа №2 Моделирование кни моп-структуры
- •Лабораторная работа №3 Моделирование 0,18 мкм объемного n-моп транзистора с круговой имплантацией
- •Лабораторная работа №4 Объемная инверсия в двухзатворном моп-транзисторе (dg mosfet)
- •Содержание
- •11.04.04 «Электроника и наноэлектроника»
Содержание
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 1 1
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 2 5
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 3 12
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 4 19
Библиографический список 26
МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ
к выполнению лабораторных работ
по дисциплине «Методы математического моделирования»
для студентов направления
11.04.04 «Электроника и наноэлектроника»
(магистерская программа “Приборы и устройства в микро- и наноэлектронике”)
очной формы обучения
Составители:
Арсентьев Алексей Владимирович
Плотникова Екатерина Юрьевна
В авторской редакции
Компьютерный набор А.В. Арсентьева, Е.Ю. Плотниковой
Подписано к изданию 26.11.2015.
Уч.-изд. л. 3,4.
ФГБОУ ВО “Воронежский государственный технический университет” 394026 Воронеж, Московский просп., 14
