
- •Электроника и микропроцессорная техника методические указания
- •200100.62 «Приборостроение»
- •3. Описание лабораторного стенда
- •4. Лабораторные задания и методические указания по и выполнению
- •4.1. Задание № 1. Исследование вольтамперной характеристики выпрямительного диода.
- •4.2. Задание № 2. Исследование вольтамперной характеристики стабилитрона.
- •4.3. Задание № 3. Исследование работы однополупериодного полупроводникового выпрямителя.
- •5. Контрольные вопросы к лабораторным заданиям
- •Лабораторная работа № 2 исследование характеристик биполярного транзистора
- •1. Цель работы
- •2. Сведения, необходимые для выполнения работы.
- •3. Описание лабораторного чтенда
- •3.0. Задание № 0
- •4. Лабораторные задания и методические указания по их выполнению
- •5. Контрольные вопросы к лабораторным заданиям
- •Указания по оформлению отчета
- •Библиографичекий список
- •Содержание
- •Электроника и микропроцессорная техника методические указания
- •394026 Воронеж, Московский просп., 14
3. Описание лабораторного чтенда
В состав лабораторного стенда входят:
• Монтажная плата;
• Биполярный транзистор КТ3102Д;
• Набор резисторов номиналом 300 Ом и 10 кОм;
• Регулируемый источник питания;
• Цифровые мультиметры;
• Генератор. Двухканальный осциллограф;
• Соединительные провода.
3.0. Задание № 0
Запишите в отчет справочные данные исследуемого биполярного транзистора КТ3102Д и расположение выводов этого транзистора (цоколёвку).
КТ3102 (кремниевый транзистор, n-p-n).
Характеристики транзистора КТ3102Д.
• Структура n-p-n
• Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 30 В
• Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 30 В
• Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 100(200) мА
• Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0.25 Вт
• Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 200-500
• Обратный ток коллектора <=0.015 мкА
• Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>150 МГц
• Коэффициент шума биполярного транзистора <=4 Д
Аналоги транзистора КТ3102Д
• 2N2484, 2N5209, 2SC945, BC453, BC521, BC521C, BC549A, BC549B, BCY59-х, MPS3707, MPS6512, MPS6513, MPS6514, MPS6515, 2N4124, 2SC458LGB, 2SC458LGC, 2SC458LGD, BC109BP, BC184A, BC239B, BC383B, BC384B
Цоколевка транзистора 2N4124
4. Лабораторные задания и методические указания по их выполнению
Соберите электрическую схему, изображенную на рис. 19.
Рис. 19. Электрическая схема
4.1. Задание № 1. Определение коэффициента биполярного транзистора по постоянному току.
4.1.1.
Установите значения выходных напряжений
источников питания
и
примерно равные указанным в таблице
4.1 и измерьте с помощью приборов PA1, PA2,
PV1, PV2 соответствующие значения тока
коллектора
,
тока базы
,
напряжения база-эмиттер
и
напряжения коллектор-эмиттер
.
Полученные результаты запишите в таблицу
4.1.
Таблица 6
|
|
|
|
|
|
|
1,25 |
5 |
|
|
|
|
|
2,5 |
5 |
|
|
|
|
|
5 |
5 |
|
|
|
|
|
1,25 |
10 |
|
|
|
|
|
2,5 |
10 |
|
|
|
|
|
5 |
10 |
|
|
|
|
|
4.1.2.
Вычислите по формуле (2.5) и запишите в
таблицу 4.1 значения статического
коэффициента усиления транзистора
.
Сделайте вывод о влиянии напряжения
коллектор-эмиттер
на
коэффициент усиления транзистора.
4.2. Задание № 2. Получение входной характеристики биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.
4.2.1. Установите напряжение коллекторного источника питания , равным 5 В.
4.2.2.
Изменяя напряжение базового источника
питания
примерно в пределе от 0 до 0,9 В устанавливать
значения напряжения
равным указаниям в таблице 4.2 и измерьте
с помощью прибора PA1 соответствующие
значения тока базы
.
Данные занесите в табл. 7.
Таблица 7
|
0 |
0,1 |
0,2 |
0,3 |
0,4 |
0,5 |
0,6 |
0,7 |
0,8 |
0,9 |
,мкА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
4.2.3.
По результатам таблицы 4.2 построить
график зависимости входной статической
характеристики транзистора с ОЭ
при
=
const
= 5В.
4.2.4.
По входной характеристике при изменении
тока базы в диапазоне от 10 мкА до 40 мкА
определить дифференциальное входное
сопротивление транзистора по формуле
.
Полученное значение запишите в отчет.
4.3. Задание № 3. Получение семейства выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.
4.3.1.
При плавном изменении напряжения на
коллекторе транзистора от 0 до 10 В с
помощью источника питания
фиксированных значениях напряжения
источника ЭДС базы
= 0,6 В
;
0,74 В; 0,88 В; 1,02 В; 1,16 В и соответствующих
фиксированных токах базы измерять
значения тока коллектора транзистора.
Данные занести в табл. 8 – 12.
Таблица 8
|
0,6 |
||||||||||
,мкА |
|
||||||||||
|
0 |
1,0 |
2,0 |
3,0 |
4,0 |
5,0 |
6,0 |
7,0 |
8,0 |
9,0 |
10 |
,мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Таблица 9
,В |
0,74 |
||||||||||
,мкА |
|
||||||||||
|
0 |
1,0 |
2,0 |
3,0 |
4,0 |
5,0 |
6,0 |
7,0 |
8,0 |
9,0 |
10 |
,мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Таблица 10
,В |
0,88 |
||||||||||
,мкА |
|
||||||||||
,В |
0 |
1,0 |
2,0 |
3,0 |
4,0 |
5,0 |
6,0 |
7,0 |
8,0 |
9,0 |
10 |
,мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Таблица 11
,В |
1,02 |
||||||||||
,мкА |
|
||||||||||
,В |
0 |
1,0 |
2,0 |
3,0 |
4,0 |
5,0 |
6,0 |
7,0 |
8,0 |
9,0 |
10 |
,мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Таблица 12
|
1,16 |
||||||||||
,мкА |
|
||||||||||
,В |
0 |
1,0 |
2,0 |
3,0 |
4,0 |
5,0 |
6,0 |
7,0 |
8,0 |
9,0 |
10 |
,мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
4.3.2.
По результатам табл. 8 – 12 построить
графики зависимости выходных статических
вольт - амперных с ОЭ:
при
= const.
4.3.3.
Определить коэффициент передачи тока
.
Полученное значение запишите в отчет.
4.3.4.
Выберите сопротивление коллектора
равным
= 300 Ом
,
а ЭДС коллекторного источника питания
=
5 В на оси абсцисс и точка
на
оси ординат.
4.3.5.
Оцените по выходным характеристикам и
линии нагрузки значения тока коллектора
и тока базы
.
В рабочей точке, для которой
.
Полученные значения запишите в отчет.
4.4. Задание № 4. Установка рабочей точки транзисторного каскада с общим эмиттером.
4.4.1. Подключите к выводам транзистор Б-Э источник гармонического напряжения (генератор), к контрольным точкам КТ1 и КТ2 входы каналов 0 и 1 двухканального осциллографа.
Установите
амплитуду напряжения на выходе генератора
и величину напряжения источника ЭДС
коллектора
= 5 В (рис.20).
Рис. 20
4.4.2.
Регулируя ЭДС источник смещения базы
,
установите значение тока базы
,
равное значению, полученному в п. 4.3.5.
Измерьте и запишите в таб. 4.8 параметра
статического режима транзисторного
усилителя с общим эмиттером.
Таблица 13
|
, В |
, мА |
|
|
|
|
|
4.4.3.
Плавно увеличивая амплитуду входного
сигнала
,
получите на экране осциллографа
максимальный неискаженный выходной
сигнал. Скопируйте изображение выходного
сигнала в отчет. Сопоставьте осциллограммы
и сделайте вывод о соотношении фаз
входного и выходного сигналов
транзисторного каскада с общим эмиттером.
4.4.4. Определите по осциллограммам значения амплитуд входного X
и
выходного
сигналов. Для определения амплитуды
сигналов используйте формулу:
.
Полученные результаты запишите в отчет.
Используя
полученные значения амплитуды входного
и выходного сигналов, определите по
формуле (2.17) коэффициент усиления
транзисторного каскада. Результат
запишите в ответ.
Вычислите коэффициент усиления транзисторного каскада по формуле (2.18). Результат запишите в ответ. Сравните измеренное и рассчитанное значение коэффициента усиления. Объясните полученный результат.
4.4.5.
Исследуйте, а влияет положение рабочей
точки на работу транзисторного каскада
с общим эмиттером. Для этого, регулируя
напряжение ЭДС источника смещения базы
,
измените значение тока базы примерно
на 30% от величины
,
полученной в разделе 4.3.5 сначала в
сторону увеличения, а затем в сторону
уменьшения. Пронаблюдайте характер
искажения выходного сигнала. Скопируйте
в отчёт изображение, полученное на
экране осциллографа в обоих случаях.
Объясните причину наблюдаемых искажений
выходного сигнала.