Спектр излучения[править | править код]

Видимый спектр ртутной лампы

Пары ртути излучают ряд спектральных линий, использующиеся в газоразрядных лампах^[1][2][3]:

Длина волны, нм	Название	Цвет
184,9499		жёсткий ультрафиолет (тип С)
253,6517		жёсткий ультрафиолет (тип В)
365,0153	линия «I»	мягкий ультрафиолет (тип A)
404,6563	линия «H»	фиолетовый
435,8328	линия «G»	синий
546,0735		зелёный
578,2		жёлто-оранжевый

Наиболее интенсивные линии — 184,9499; 253,6517; 435,8328 нм. Относительная интенсивность остальных линий зависит от режима (параметров) разряда, в основном, от давления пара ртути.

Виды[править | править код] Ртутные лампы высокого давления типа дрл[править | править код]

ДРЛ (дуговая ртутная люминесцентная) — принятое в отечественной светотехнике обозначение РЛВД, в которых для исправления цветности светового потока, направленного на улучшение цветопередачи, используется излучение люминофора, нанесённого на внутреннюю поверхность колбы. Для получения света в ДРЛ используется принцип непрерывного электрического разряда в атмосфере, насыщенной парами ртути^[4].

Применяется для общего освещения цехов, улиц, промышленных предприятий и других объектов, не предъявляющих высоких требований к качеству цветопередачи и помещений без постоянного пребывания людей.

Длины волн и типы экспонирования[править | править код]

Фоторезистами называют резисты, экспонируемые светом (фотонами), в отличие от резистов, предназначенных для экспонирования электронами. В последнем случае фоторезисты называют электронными резистами или резистами для электронной (e-beam) литографии. Фоторезисты различаются по длине волны экспонирования, к которой они чувствительны. Наиболее стандартными длинами волн экспонирования являлись т. н. i-линия (365нм), h-линия (405нм) и g-линия (436нм) спектра излучения паров ртути. Многие фоторезисты могут быть проэкспонированы и широким спектром в УФ диапазоне (интегральное экспонирование), для чего обычно применяется ртутная лампа. Следующее поколение резистов было разработано для эксимерных лазеров KrF, ArF (средний и дальний ультрафиолет; 248 нм и 193 нм). Отдельные классы фоторезистов составляют материалы, чувствительные к глубокому (экстремальному) УФ (ГУФ (EUV) литография) и рентгеновскому излучению (рентгеновская литография). Кроме того, существуют специальные фоторезисты для наноимпринтной (нанопечатной) литографии.

Нанесение фоторезистов[править | править код]

Перед нанесением фоторезистов на материалы с низкой адгезией сначала наносят подслой (например HMDS), усиливающий адгезию фоторезиста к поверхности. После нанесения, фоторезист иногда покрывают плёнкой антиотражающего покрытия для повышения эффективности экспонирования. С той же целью антиотражающее покрытие порой наносят и до нанесения фоторезиста. Сами фоторезисты наносятся следующими основными методами: