Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

тмиэт / тмиэт / Alford Terri M. _Fundamentalnye osnovy analiza nanoplenok (1)

.pdf
Скачиваний:
70
Добавлен:
29.04.2022
Размер:
17.79 Mб
Скачать

240

Глава 9

 

Рис. 9.9. Схема РРСПТС-ЕХАFS-процесса,

,,.

иллюстрирующая рассеяние

испущенных

/

 

 

электронов на соседнем атоме, расположен­

1

1

ном на расстоянии R.

 

1

 

 

}

R., она может быть рассеяна на 180°, так что волновая функция будет иметь вид

}

 

1/Jof eik·Rj+Фa

1/Jj =

 

 

}

гдеf - атомный фактор рассеяния,

Фа - фазовый сдвиг. Когда рассеянная волна

приходит обратно на i-ый атом, волновая функция будет иметь вид

 

f eik·Rj+Фs eik·Rj+Фj

1/Jij = Фо

,

 

}

}

т. е. волна, соответствующая выбитому фотоэлектрону из i-го атома, испытывает обратное рассеяние с амплитудой f на соседнем атоме, вызывая волну выходящего электрона. Интерференция волн входящего и выходящего электронов приводит к

синусоидальному изменению коэффициента поглощения.

Результирующая амплитуда волны на атоме будет равна

,1,

+ ,1•.. = ,1,

(i + J_ei2k·Rj+Фi+Фa)

,

 

'f'O

'f'i] 'f'O

R?

 

 

 

 

]

 

 

 

а интенсивность I = \jf\jf* будет иметь вид

 

 

 

1 = ФоФ~ ( 1 +

2fsin(2k·R·+Ф·)

+члены высших порядков

)

 

Rf 1

11

,

где фifфазовые сдвиги. Дополнительные слагаемые в этой формуле учитывают,

что атомы совершают тепловые колебания и то, что волновой вектор электронов,

испытавших неупругие потери на пути между атомами, будет отличаться от вол­ нового вектора, дающего вклад в интерференцию. Этот факт обычно учитывается

введением экспоненциального затухания ехр(-R.Л), где Л - средняя длина свобод-

]

ного пробега электрона. Затухающий член отвечает за описание ближнего поряд-

Поглощение фотонов в твердых телах и расширенная...

241

ка, а синусоидально осциллирующий множитель зависит от межатомных рассто­

яний (2kR.) и фазового сдвига ф . Важной частью этого выражения является член,

J

у

пропорциональный sin(2kRj + Ф;)· Измеряя J(k) и применяя преобразование Фурье

по k, можно получить значение R.. На рис. 9.10 показан пример таких измерений

J

и их Фурье-преобразования.

Способность определять локальную структуру вокруг определенного атома с помощью PPCПTC-EXAFS используется для исследования катализаторов, мно­ гокомпонентных сплавов, разупорядоченных и аморфных твердых тел, а также примесей и атомов на поверхности. Модификации метода PPCПTC-EXAFS для

исследования поверхности (поверхностная РРСПТС или SEXAFS от английского surface EXAFS) используется для определения положения и длины связи абсор­

бированных атомов на чистых поверхностях монокристаллов. такая ПРРСПТС­

ЕХАFS является важным инструментом исследования структуры; необходимость

виспользовании мощных источников излучения в таких экспериментах приводит

киспользованию возможностей, предоставляемых синхротронным излучением.

9.10.Нестационарная теория возмущений

9.10.1.Золотое правило Ферми

Вданном разделе дается краткий обзор теории возмущений, которая приводит

косновной формуле для вероятности переходов в кантовой системе. Эта формула

является отправной точкой при нахождении поперечных сечений процессов, при­

водимых в книге.

ГЕРМАНИЙ

4

3

2

ГЕРМАНИЙ

 

о..,,..~~--__..~_._~~......

 

11.0

11.4

11 в

122

0.2 0.4 0.6 0.8 1.D

ЭНЕРГИЯ ФОТОНА, кэВ

ь

R.нм

 

Рис. 9.10. (а) Спектр поглощения кристаллического германия при температуре 100 К.

Острый пик около 11 кэВ представляет собой К-край, а модуляции µх выше края погло­ щения представляют спектр PPCПTC-EXAFS. (б) Фурье-преобразования спектра (а), по­ казывающее расстояние до ближайшего соседнего и до второго атомов

242

Глава 9

 

Рассмотрим систему с гамильтонианом Н, задаваемым выражением

 

 

Н = Н0 +Н',

(9.42)

где Н0

- не зависящий от времени оператор с собственной функцией lflo·

Опера­

тор Н0

может описывать, например, водородоподобный атом, а Н' - зависящее от

времени возмущение, т. е. осциллирующее электрическое поле. Волновая функция

l/f0 удовлетворяет уравнению Шредингера

 

. дl/Jo

(9.43)

iliдt = Hol/J 0 .

Поскольку Н0 не зависит от времени, можно записать

 

l/Jo = u(x,y,z)e-iEot/h

(9.44)

или

 

l/Jo = La~u~e-iE~t/n,

(9.45)

п

 

где

 

 

(9.46)

в котором и~ - ортонормированные собственные векторы, а а~ -

константы, не­

зависящие от времени.

 

Для гамильтониана с возмущением можно записать

 

дф

 

Hl/J = ili at = 0 + H')l/J

(9.47)

и

 

l/J = Laп(t)u~e-EЙt/h,

(9.48)

п

где коэффициенты ап теперь зависят от времени.

Подставляя (9.48) в (9.47) и умножая на комплексно сопряженную функцию

и~•, с учетом ортонормированности получим

--da

= а

 

= - -i Lа

(t)H'

ei·сноs -Епо)t1""

 

5

 

 

li п

 

 

(9.49)

dt

 

s

sn

,

п

где

Н'sn = Ju s0 H'uп0

интеграл берется по всему пространству. Аппроксимируем решение с учетом того, что при малом возмущении изменение an(t) является медленным; поэтому

 

 

 

 

Поглощение фотонов в твердых телах и расширенная."

243

можно положить ап(t) =ап(О), и

 

 

 

 

 

 

 

t

 

 

 

 

 

a5 (t) - а5(О) = -*Iап(О)Jн;п(t)eiwsпt dt,

(9.50)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

п

о

 

где nw

sn

= Е 0

-

Е 0

 

 

 

s

 

п

 

 

Особым является случай, когда в момент времени t = О система находится в

состоянии n; ап(О) = 1, а все остальные коэффициенты равны нулю. При s i- n

(9.50) дает

t

 

as(t) =*Jн;n(t)eiWsпtdt

(9.51)

 

о

 

Возмущение Н' (t) может вызывать переходы из состояния n в любое другое

состояние. Вероятность нахождения системы в состоянии s в момент времени t

равна \as(t)\2

Поскольку Н' зависит от времени,

(9.52)

и

as

( t)JZ

= 4

н;~ Sin2 5nt/2)

,

(9.53)

 

 

t.2 2

 

1

 

 

 

 

 

п Шsп

что справедливо если \as(t)\ < 1.

Во многих практических задачах в результате возмущения частица переходит

в континуум состояний, т. е. становится свободной частицей. Поэтому вместо

точно заданного конечного состояния уместно рассматривать плотность конечных

состояний. Будем называть р(Е) плотностью конечных состояний (число энергетических уровней на единичный интервал энергий) и положим Н'sп одина­ ковым для всех конечных состояний.

Вероятность перехода P(t) определяется выражением

~

2

= 4JH;nl

2

~ sin2

5nt/2)

.

(9.54)

P(t) = L)as(t)I

 

 

L,

n2ш2

s

 

 

 

s

 

sn

 

 

Вслучае континуума заменяем сумму интегралом, учитывая, что число

состояний в энергетическом интервале dE равно р(Е )dE ; тогда

s

s s

(9.55)

-00

p(w).

244

Глава 9

Главный вклад в интеграл будет при w = О (слегка похоже на о-функцию), а

замечая, что I sin 2 (ax)fx 2 dx= 1ra, имеем sn

(9.56)

следовательно, скорость перехода W равна

-

,

2

(9.57)

W -

hp(Eп)IHsnl

·

Это и есть широко известная и важная формула, называемая Золотым Правилом Ферми.

9.10.2. Вероятность переходов в осциллирующем электрическом поле

Другим важным применением теории возмущений является случай возмущающего поля, имеющего зависимость от времени вида eiшr. Рассмотрим в качестве примера осциллирующее электрическое поле, направленное вдоль оси Ох:

Ео (

·

· t)

(9.58)

Е = Ecoswt =Z

eiшt + е-~ш

и

 

 

 

H'(t) = iEox(eiшt + e-iшt).

(9.59)

ПодставляяН'(t) в (9.51), получим

 

 

 

as(t) = r;,ei Eoxsn-2- Jcei·сШsп+Ш)t + e-i·сШsп-Ш)t) dt.

(9.60)

t

 

 

 

о

Если wsn i- w, среднее значение интеграла равно нулю. Если ws/= w, имеем

( ) 2 = е2 Еб I

12 sin2[(t/2)(w - W5п)]

(9.61)

1as t 1

t.2 Xsn

(

Wsn

)2

 

 

п

UJ -

 

 

где lxsnl = Ju; xun dт. Учитывая, что Еб/2 есть плотность энергии электриче­

ского поля, которую можно обозначить р(ш); запишем для вероятности перехода

(9.62)

Предположим, что распределение р(w) изменяется намного медленнее, чем имеющая острый пик функция в подынтегральном выражении, на которую умножена В узком интервале значений w, для которых подынтегральное

Поглощение фотонов в твердых телах и расширенная...

245

выражение отлично от нуля, р(w) является почти постоянной величиной, так что p(w) можно заменить его значением при w = wsn и вынести за знак интеграла без

потери точности. После подстановки z = 1h (w - wsn )t, выражение примет вид

или, с учетом замены, для которой

 

+оо

_

 

 

sin2 z

 

 

J z 2

dz - те,

 

 

 

 

 

- 00

 

 

вероятность перехода будет равна

 

 

Т

= 1 (t')lz = тre2p(Шsn)lxsn12t'

(9.63)

sn

asn

fi2

'

где Xsn = f и; ХИп dт. (9.63) выполняется для излучения, поляризованного вдоль

оси х. В общем случае, когда излучение падает на атом со всех направлений со

случайной поляризацией, ~п должно включать равные вклады хsп' Уsп и zsп' поэтому

(9.64)

где в знаменателе множитель 3 добавлен из-за того, что каждое направление по­

ляризации дает 1/3 интенсивности; lxsJ + lYsJ + lzsJ = l<!J!slrll/1)1 = lr,J l<!J!slrl!J!п>I на­

зывается дипольным матричным элементом, а (9.64) - дипольным приближением

вероятности перехода.

9.10.3. Спонтанные переходы

Спонтанными называются такие переходы, которые происходят в отсутствии внешнего поля. В качестве примера можно привести переход из возбужденного в основное состояние. Для расчета этих явлений мы будем основываться на методе, развитом Эйнштейном в 1917 г., позволяющем рассчитывать скорости спонтан­

ных переходов по известным скоростям вынужденных переходов, вычисленным

в разделе 9.10.2.

Рассмотрим группу атомов в тепловом равновесии; каждый атом может из­ лучать и поглощать излучение с одинаковой скоростью. Обозначим за Pns вероят­

ность перехода атома из состояния n в состояние s за малый промежуток времени dt. Данная вероятность Pns должна быть пропорциональна вероятности Рп на­

хождения атома в n-ом начальном состоянии, умноженной на вероятность пере­

хода из n-го состояния в s-oe (обозначим эту вероятность за TnJ

Pns = TnsPn·

246

Глава 9

С учетом (9.64) можно переписать это выражение в виде

Pns = AnsP(Wпs)Pп dt,

(9.65)

где р(шп) было определено выше, dt заменяет t' в качестве временного интервала, aAns соответствует оставшемуся множителю в (9.64).

Вероятность перехода из верхнего состояния s в нижнее состояние n может быть переписана в виде

Psn = AsпP(Wsп)Ps dt,

но в силу симметрии, приводящей к (9.64), мы знаем, что Аsn ns и соsn =соns , поэ-

тому

(9.66)

Отметим, что Psn i= Рпs' так как Рп > Ps: n-ый уровень, обладающий меньшей энергией, имеет большую заселенность в соответствии с законом Больцмана.

Поскольку система находится в равновесии, полное число переходов из состо­

яния п в состояние s должно быть равно числу переходов из s в п. Так как вероят­ ности вынужденных переходов не равны (Pns i= Ps), должны существовать допол­

нительные переходы из состояния s в состояние n, которые являются спонтанны­

ми. Вероятность спонтанных переходов по определению не зависит от плотности

энергии внешнего поля; эта вероятность может быть записана как BsnPsdt, где Bsn - вероятность спонтанного перехода. Коэффициенты А и В называются коэффи­

циентами Эйнштейна.

Поэтому полная вероятность перехода из s в п равна Psn + BsnP. .dt, что должно

1

быть равно полной вероятности перехода Рпs Следовательно, из (9 .65) и (9 .66)

имеем

или

Bsn = p(wns)Aпs[~ - 1].

Но заселенность состояния с энергией Е пропорциональна больцмановскому

фактору е-шkт, поэтому отношение P/Ps может быть записано как

Рп =eCEs-Eп)/kT =ehшm/kT

Ps

Следовательно,

В

= p(w

(ehшm/kT - 1)

·

(9.67)

sn

nsns

 

Наличие множителя р(ш

) в (9.67) может вызвать недоумение, так как В по

 

т

 

 

м

определению не зависит от плотности энергии поля излучения. Этот множитель

можно устранить, используя выражение для плотности энергии внутри полости.

Поглощение фотонов в твердых телах и расширенная...

247

Закон Планка для теплового излучения дает

 

/iшз

 

р(ш) = n2c2(e1iw/kT _ 1).

(9.68)

Подставляя данное выражение в (9.67), получим выражение для Вsп' содержа­ щее только Ans и известные константы:

hш~5

(9.69)

Вsп = zзАпs·

1f с

Скорость спонтанного перехода из заселенного состояния в незаселенное со­

стояние равна

-

4 е2

[Шпs]3

l<ФslrlФп>I

2

,

(9.70)

w -

З!i

7

 

где е2 = 1,44 эВ·нм. Данное выражение можно записать в виде

W = 0,38 · 1014 (hш)3 \(ф5\r1Фп)\2 ,

в котором nw измеряется в килоэлектронвольтах, а матричный элемент имеет раз­

мерность (0,01 нм)2• Типичная величина Wравна 1015 с·1 для элементов середины

периодической таблицы. В итоге

_

2п

,

 

 

 

W -

h\Hsn\ 2 р(Еп)

 

для статического возмущения (уравнения 9.24 и 9.57).

 

 

 

 

 

для зависящего от времени H'=E0cos wt (уравнение 9.64),

-

4 е2

[Шпs]3

lrsпl

2

для спонтанных переходов (уравнение 9.70).

W-3h

7

 

 

Задачи

9.1. Для Cu К" излучения (Е = 8,04 кэВ), падающего наАl:

(а) Вычислить поперечное сечение фотоэффекта crph для К-оболочки Al и

сравнить получившееся значение с величиной поперечного сечения иони­

зации cre для электронов с энергией 8,04 кэВ.

(б) Вычислить массовый коэффициент поглощения для Al с учетом поглоще­ ния только на К-оболочках н сравнить с величиной, приведенной в Прило­ жении 8. L-оболочкиAl содержат 8 электронов, а К-оболочки - 2 электрона.

(в) Оценить вклад электронов L-оболочки в массовый коэффициент поглоще­ ния для электронов с энергией 8,04 кэВ.

248

Глава 9

9.2.Пусть излучение с энергией 5,41 кэВ (фотоны Си Ка и электроны) падает на

кремний. Сравнить величины в микрометрах линейного коэффициента погло­ щения, пробега электронов и среднего свободного пробега электронов.

9.3.Предположим, что в качестве фильтра для ослабления Си КР излучения от

медного рентгеновского источника используется никель. Если толщина ни­

келя позволяет ослабить КР-излучение в 1000 раз, во сколько раз будет ос­ лаблено Ка-излучение? Какова толщина фильтра? Привести грубую оценку ослабления Си La излучения.

9.4.Бериллий используется в качестве материала для «окна>>, позволяющего рент­ геновскому излучению проникать в детектор с минимальным ослаблением. Ослабление рентгеновского излучения от элементов с Z < 1О является одним

из ограничений для применения микроанализа. Оцените поглощение рентге­

новского Ка-излучения в окне из бериллия толщиной 7 мкм.

9.5.Рассмотрим фотон с энергией nw, возбуждающий процесс фотоэффекта для электрона с энергией связи Ев в атоме с массой Mn. Предположим, что электрон

испускается вперед, т. е. вдоль направления падения фотона. В приближении nw >>Ев показать, что энергия атома отдачи определяется выражением

_

(liw ) 2

те _

liw /

2тес2 liw,

Er -

ZM

2

+ liw -

2 v

 

пС

 

п

пС

 

где те - масса электрона. Провести рассчет для nw = 1 кэВ, 100 кэВ и Мп = 28 (кремний) и сравнить получивнееся значение с энергией связи 14 эВ для Si в решетке монокристалла Si. Подобные оценки важны для определения степени

воздействия используемой методики на анализируемый материал.

9.6.Используя закон сохранения импульса и энергии, показать, что фотоэффект не

может происходить на свободном электроне. Рассмотреть нерелятивистский

случай nw < тес2• При облучении фотонами твердого тела происходит фото­ эффект, потому что все электроны в той или иной степени связаны.

Литература

1. Е.Е. Anderson, Modern Physics and Quantum Mechanics (W. В. Saиnders, Philadelphia, 1971).

2.B.D. Cиllity, Elements ofX-ray Dif.fraction, 2nd ed. (Addison-Wesley, Reading, МА, 1978).

3.Р. А. Lee, Р. Н. Citrin, Р. Eisenberger, and Р. М. Kincaid, "Extended X-ray Absorption Fine Structure," Rev. Mod. Phys. 53, 769 (1981).

4.R. Saxon, Elementary Quantum Electrodynamics (Holden-Day, San Francisco, 1968).

5.L. I. Schiff, Quantum Mechanics, 3rd ed. (McGraw-Hill Book Со., New York, 1968).

6.R. L. Sproиll and W. А. Phillips, Modern Physics, 3rd ed. (John Wiley and Sons, New

York, 1980).

7. Р. А. Tipler, Modern Physics (Worth PиЫishers, New York, 1978).

ГЛАВА 10

Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФС-ХРS)

10.1. Введение

Основным предметом исследования в этой главе является электронная струк­

тура. Взаимодействие фотонов, имеющих энергию до 1О кэВ, с электронами в атоме проявляется, прежде всего, в поглощении энергии (глава 9). Фотоэффект является прямым свидетельством взаимодействия фотона с атомом и его законо­

мерности служат основой одного из главных инструментов исследования матери­

алов - фотоэлектронной спектроскопии. Существуют две разновидности мето­ да: ультрафиолетовая фотоэлектронная спектроскопия (YФC-UPS от английско­

го Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy), когда на исследуемый образец падает

ультрафиолетовое излучение, и рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФЭС-ХРS от английского X-ray Photoelectron Spectroscopy), когда используется

рентгеновское излучение. Используется также термин «Электронная спектроско­

пия для химического анализа» ЭСХА-ЕSСА (от английского Electron Spectroscopy for Chemical Analysis), в котором упор сделан на химические связи.

Энергетический спектр электромагнитного излучения вместе с общеприняты­ ми обозначениями показан на рис. 10.1. Используемый в анализе материалов диа­ пазон энергий фотонов находится в пределах ультрафиолета и рентгеновского из­

лучения. На практике энергетический диапазон простирается от 1О эВ, что близко

к энергии связи электрона в атоме водорода (13,6 эВ), до энергий около 0,1 МэВ. При этих энергиях фотоны могут проникать в твердое тело и взаимодействовать с электронами внутренних оболочек. Фотоны низких энергий используются для

исследования спектров излучения в видимой области, связанных с электронами,

расположенными на внешних орбитах и имеющих более слабую связь с ядром атома. Эти внешние электроны участвуют в образовании химических связей,

поэтому они не связаны с отдельными атомами и, следовательно, не пригодны

для элементного анализа. Методы спектроскопии, основанные на использовании

Соседние файлы в папке тмиэт