Как зависит скорость роста пленки от тока испарителя?
Скорость формирования пленки находится в зависимости от давления в камере Р, плотности тока на мишень jм и ускоряющего потенциала Uм. Поэтому для достижения больших скоростей осаждения необходимо снизить давление в камере с тем, чтобы свободный пробег атомарных частиц был больше расстояния мишень-подложка и повысить плотность ионного тока на распыляемую мишень для увеличения плотности атомарного потока. Эти условия можно выполнить в том случае, когда горение разряда будет поддерживаться дополнительным источником электронов
Как зависит поток рабочего вещества от тока разряда?
S - коэф. распыления
Как зависит поток рабочего вещества от давления рабочего газа в камере?
Как зависит равномерность пленки от геометрических размеров подложки?
Как зависит равномерность пленки от расстояния «источник – подложка»?
С какой целью в магнетронном источнике применяют магнитное поле?
С какой целью необходимо прогревать подложку?
Для увеличения скорости роста (При определенной температуре скорость роста отрицательная - травление)
Какие процессы приводят к охлаждению подложки?
Как влияет давление аргона на нагрев подложки?
Как влияет ток разряда на нагрев подложки?
Магнетрон, его конструкция и принцип действия
Элементы управления вакуумной установкой
натекатель, вентили
Виды рабочих газов при получение пленок
аргон
Исследование влияния параметров вакуумных насосов на процесс откачки
что с увеличением давления увеличивается вязкостьь и Sef, т.к. эти величины прямо пропорциональны давлению
зависимость pпред от двух параметров Q и d. Т.к. pпред= Q/Sэф, то видно, что с увеличением Q значение pпред увеличивается.
Как зависит скорость роста пленки от расстояния «источник– подложка»?
ПРИ увеличении расстояния уменьшается
Как зависит скорость роста пленки от остаточного давления в камере?
никак
Как зависит скорость роста пленки от тока испарителя?
растет
Как зависит равномерность пленки от геометрических размеров подложки?
чем больше подложка, тем меньше равномерность по краям
Как зависит равномерность пленки от расстояния «источник – подложка»?
ПРИ увеличении расстояния равномерность уменьшается (ухудшается), т.к. она обратно пропорциональна расстоянию
С какой целью в магнетронном источнике применяют магнитное поле?
чтобы закрутить электрон и он приобрел большую энергию и ионизировал газ
С какой целью необходимо прогревать подложку?
Чтобы напыляемое покрытие не расплавилось?
Какие процессы приводят к охлаждению подложки?
В связи с чем происходит рассеяние потока распыляемого вещества мишени?
Характер движения распыленных частиц материала в пространстве мишень – подложка определяется вероятностью рассеяния частиц на атомах рабочего газа, т.е. зависит от давления и расстояния мишень – подложка. При малых давлениях и малых расстояниях перенос распыленных частиц происходит практически по прямолинейным траекториям, поскольку при таких условиях вероятность рассеяния частиц очень мала. По оценкам весь распыленный материал будет достигать подложки при условии, что произведение pD < 4 Па·см, где p – давление в пространстве переноса; D – расстояние мишень – подложка. При высоких давлениях часть распыленных частиц в результате многократных столкновений с атомами газа и рассеяния на большие углы будет иметь нулевую скорость по направлению к подложке. Исчезает направленность движения распыленных частиц