Скачиваний:
33
Добавлен:
29.04.2022
Размер:
1.71 Mб
Скачать

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»,

кафедра физической электроники и технологии

Профессор Шаповалов Виктор Иванович Доцент Никитин Андрей Александрович

ТЕХНОЛОГИЯ МАТЕРИАЛОВ И ЭЛЕМЕНТОВ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ

Тема 2

Литература

1)Аброян И.А., Андронов А.Н., Титов А.И., Физические основы электронной и ионной технологии: Учеб. пособие для спец. электронной техники вузов. – М.: Высш.шк., 1984. – 320 с.

2)Альфорд Т.Л., Фельдман Л.К., Майер Д. В. Фундаментальные основы анализа нанопленок / Пер. с англ. Образцов А.Н., Долганов М.А., науч. ред. Образцов А.Н. - М.: Научный мир, 2012. - 392 с.

3)Корпускулярно-фотонная технология : учеб. пособие для вузов по спец. «Промышленная электроника» / О. Г. Вендик, Ю. Н. Горин, В. Ф. Попов. - М. : Высш. шк., 1984. - 240 с.

4)Попов В.Ф., Горин Ю.Н. Процессы и установки электронно-ионной технологии. – М.: Высш.шк., 1988. – 255 с.

5)Григорьянц А.Г., Шиганов И.Н., Мисюров А.И. Технологические процессы лазерной обработки / под. ред. А.Г. Григорьянца. М.: из-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2006.- 664 с.

6)Светцов В.И., Смирнов С.А. Корпускулярно-фотонные процессы и технологии: учеб. пособие / Иван. гос. хим.-технол. ун-т Иваново. 2009. – 277 с.

7)Либенсон М.Н., Яковлев Е.Б., Шандыбина Г.Д. Взаимодействие лазерного излучения с веществом (силовая оптика). Конспект лекций. Часть I. Поглощение лазерного излучения в веществе. Под общей редакцией В.П. Вейко – СПб: СПб ГУ ИТМО, 2008. – 141 с.

8)Ландау Л.Д., Лифшиц Е. М. Курс теоретической физики: Учеб. пособ.: Для вузов. В 10 т. Т. III. Квантовая механика (нерелятивистская теория). - 6-е изд., испр. - М.: ФИЗМАТ ЛИТ, 2004. - 800 с.

9)А.П. Менушенков, В.Н. Неволин, В.Н. Петровский Физические основы лазерной технологии. М.: НИЯУ МИФИ, 2010, 212 стр.

Данные для расчета коэффициента распыления

1)Sputtering by Particle Bombardment /Eds Rainer B.,Wolfgang E. – Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2007. 557 c.

1

Тема 2. ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ КОНЦЕНТРИРОВАННЫХ ПОТОКОВ ЭНЕРГИИ С ТВЕРДЫМ ТЕЛОМ

Содержание

2.1.Взаимодействие ускоренных электронов с твердым телом

2.1.1.Торможение электрона

2.1.2.Пробег

2.1.3.Применение электронного пучка

2.2.Взаимодействие ионов с твердым телом

2.2.1.Потери энергии

2.2.2.Пробег иона

2.2.3.Дефекты

2.2.4.Физическое распыление мишени

2.2.5.Применение ионного пучка

2.3.Взаимодействие фотонов с твердым телом

2.3.1.Механизмы поглощения фотонов

2.3.2.Нагрев объемного материала

2.3.3.Нагрев пленки

КПЭ q, Вт/м2

Q Qотр

Qпогл Мишень

Qпогл = QT + QA(+,0,*) + Qe

Концентрированные потоки энергии (КПЭ) – ускоренные в электрическом поле электроны или ионы, а также или фотоны, генерируемые лазером.

Q = Qотр + Qпогл

Qотр = Qhν + QA( +,0,*) + Qe

Отраженную энергию уносят во внешнюю среду частицы и фотоны.

Технологическая процессы: распыление, испарение.

Поглощенная энергия расходуется на возбуждение и ионизацию, генерацию дефектов, нагрев мишени (плавление, кипение, перестройка кристаллической структуры, химические реакции, имплантация).

1)мягкий режим: q < 109 Вт/м2 - скорость тепловыделения < скорости отвода тепла из зоны нагрева за счет теплопроводности материала мишени.

2)жесткий режим: q > 109 Вт/м2 - скорость тепловыделения ≥ скорости теплоотвода.

Большая часть энергии расходуется на разогрев зоны тепловыделения и выброс расплава из нее.

2

Твердое тело (мишень)

 

2.1. Взаимодействие ускоренных электронов с твердым телом

 

E0

 

Электронные

ВЭ

 

 

 

ТРИ

УЭ

оболочки

 

 

Ядро

 

ХРИ

 

ВЭ

 

 

 

 

 

 

атома

 

 

 

ОЭ

 

КЛ

 

 

 

 

ТЭ

e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Rp

 

ХРИ

 

 

R

 

 

 

 

 

ТРИ

 

 

 

 

ТРИ является результатом изменения

 

 

 

скорости и направления движения e.

 

 

 

ХРИ. В результате неупругого рассеяния e

 

 

 

выбивается с одной из внутренних

 

 

 

оболочек (K, L). e с верхних уровней (L,M)

 

 

 

занимают освободившееся место.

3

2.1. Взаимодействие ускоренных электронов с твердым телом

ТРИ E0 УЭ

ХРИ

ВЭ

 

 

КЛ

ОЭ

ТЭ

 

 

 

 

 

 

 

 

Rp

 

 

R

УЭ

dN/dE

ВЭ

ОЭ

0 ≈ 50 эВ

E0 E

Истинно вторичные электроны E < 50 эВ, большая часть E ~ 2-3 эВ. Их число может превышать число падающих на поверхность первичных ионов.

E > 50 эВ характерна для неупруго рассеянных электронов и оже-электронов. Рассмотрим подробнее оже-эффект. В результате неупругого рассеяния e выбивается с одной из внутренних оболочек (K). e с верхних уровней (M) занимают освободившееся место. Если выделяемая в результате энергия Ek-EM предаётся электрону расположенному на уровне N, то такой e будет в состоянии покинуть мишень.

ОЭ

 

 

Система координат

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Лабораторная система

 

 

 

Система координат

 

 

координат

 

 

 

центра масс

 

 

M1, E,V0

 

 

 

M1, E,V0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ρ – прицельный параметр (расстояние) – это расстояние, на котором М1 прошла бы мимо M2, если бы взаимодействие между ними отсутствовало. Центральное (лобовое) соударение ρ = 0.

 

M1V = M1V1 + M 2V2

Tm =

4M1M 2

 

E

Энергии, теряемая (передаваемая)

γ =

4M1M 2

 

 

 

M1V

2

2

2

(M1 + M 2 )

2

налетающей частицей при лобовом

(M1 + M 2 )

2

 

 

 

=

M1V1

+

M 2V2

 

 

 

столкновении столкновении.

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Наиболее эффективен обмен энергией при упругих соударениях между частицами со сравнимой массой.

При центральном столкновении частиц с существенно различной массой доля передаваемой энергии невелика.

4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Система координат

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ρ

 

 

ρ2

 

V (r) 1/2

 

 

 

 

 

 

θ = π − 2

 

 

 

 

1

 

 

 

dr

- угол отклонения частиц в системе координат центра масс

 

 

 

2

 

2

 

 

 

 

 

 

 

r

 

 

r

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

r

 

 

 

 

 

 

Eотн

 

 

 

 

 

 

 

 

 

min

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Eотн =

 

M 2

 

 

E

 

 

Энергия

движущейся

V (r)

Потенциальная

энергия

 

 

M1

 

 

 

 

 

 

частицы в СК центра масс

взаимодействия двух частиц

 

 

 

 

+ M 2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

T = Tm sin2 θ

Энергия, теряемая частицей в результате

столкновения движущейся частицы в СК

2

центра масс

 

ψ = 1 (π − θ)

2

ϕ = sin θ tg

M1 M 2 + cos θ

M1<<M2 рассеяние электрона на атоме

M1=M2 рассеяние двух одинаковых частиц

ϕ = θ

 

 

 

sin θ

 

=>

 

 

= E

tgϕ =

 

E

 

 

+ cos θ

 

отн

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Пусть частицы в пучке имеют одинаковую начальную скорость (энергию), но различное прицельное расстояние => они рассеиваются под различными углами ϴ в СК центра масс.

Пусть dN – число частиц, рассеивающихся на углы в диапазоне от ϴ до ϴ+dϴ. Тогда характеристика dN связана с плотностью падающего пучка N выражением dN=Ndσ.

Дифференциальное сечение рассеяния dσ=dN/N описывает вероятность рассеивания в определённом направлении.

 

 

 

 

 

 

 

 

Дифференциальное сечение рассеяния

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ϕ

 

 

Δψ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Δϕ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ρ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ϕ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ϕ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ϕ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ρ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ϕ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

M2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

d Ω = 2π sin ϕ dϕ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

d σ = 2πρdρ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ЛСК

 

 

 

микроскопическое

 

сечение

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

рассеяния описывает

число

частиц

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dN=Ns(φ,ψ)dΩ, рассеянных внутри

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

телесного угла dΩ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

d σЛСК =

Ns (ϕ,ψ)d Ω

N

s

(ϕ, ψ)

=

d σ

 

=

ρ dρ

 

 

 

F (r )

=

Z Z

2

e2

=>V (r ) =

Z Z

2

e2

 

 

N

 

 

 

 

 

 

ЛСК

 

 

 

 

 

 

 

1

 

2

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

N

 

d Ω

sin ϕ d ϕ

 

 

 

 

 

4πε0r

 

 

 

 

4πε0r

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

θ = π − 2

ρ

 

ρ2

V (r)

1/2

 

 

d σЦМ

=

 

Z Z

2

e2 2

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

Формула

 

 

 

 

 

 

2

1

 

2

 

 

dr

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

r

 

r

 

 

 

 

 

 

 

d Ω

 

 

16πε

 

 

E

 

 

4

 

 

 

 

 

 

Резерфорда

 

 

r

 

 

 

 

Eотн

 

 

 

 

 

0

sin

θ 2

 

 

 

 

 

min

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Для электронов, рассеивающихся на атомах (M1<<M2):

 

 

 

d σ

ЛСК =

 

Z Z

2

e2

2

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dΩ

 

 

 

 

16πε0E

 

sin

ϕ 2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

5

2.1.1. Торможение электрона

dσ/dΩ

Сечение рассеяния электронов при малых значениях ϴ

sin-4(ϴ/2)

ϴ*

 

 

 

Твердое тело (мишень)

Вакуум

 

dl

Rl2

Eн,M1

 

Rp2

Rp1

Rl1

d σЛСК

 

→ ∞

 

d Ω

 

 

θ→0

 

В результате использования классического приближения (частица, проходящая на любом конечно расстоянии будет рассеиваться на некоторый малый, но отличный от нуля угол). Классическое приближение справедливо при ϴ> ϴ*

θ* =

λ

, где λ =

h

, a = 0.885a0 (Z11/2 + Z

21/2 )2/3

 

 

2πa

M1v

 

a0 = 0.53∙10–10 м – радиус ближайшей к ядру орбиты электрона в атоме водорода (боровский радиус)

ϴ h=6,626 10−34 кг·м2·с−1

π

Среднее значение энергии, переданное веществу частицей на элементарном пути.

dE

 

Eн

= −N

Ed σ

 

dl

Emin

 

 

При движении электронов в веществе их энергия непрерывно уменьшается в результате неупругих столкновений (ионизация, возбуждение), а траектория изменяется в результате их упругого рассеяния на атомах.

2.1.1. Торможение электрона

Уравнение Бете

Уравнение Бете впервые получено для неупругого рассеяния заряженных частиц на атомах водорода.

 

dE

= −

2πn e4

 

 

bE

 

 

e

 

 

ln

 

 

 

dl

(4πε0 )

2

E

ˆ

 

 

 

 

 

I

E – энергия, кэВ; e = 1.602∙10–19 Кл; I – средняя энергия возбуждения атома мишени, кэВ; ne – концентрация электронов, см–3 ; b = 1.166 обеспечивает применимость для Z>1.

ε = bE

I

ξ = 2πneb2e4 l = Kl

(4πε0 I )2

dε = − ln ε dξ ε

6

2.1.2. Пробег

Траекторный пробег:

 

εmin d ε

−1

εн εd ε

Li (εн2 )

 

 

rξ

 

 

 

 

d ε =

 

 

 

ln ε

 

d ξ

 

 

 

εн

 

 

 

 

εmin

 

 

Так как торможение электронов является результатом ионизации или возбуждения атомов, то минимальная энергия электрона в конце пути должна соответствовать минимальной энергии возбуждения атома

Аппроксимация:

 

 

 

 

d ε

1

rξ kεнn

 

 

d ξ

knεn−1

Li(x) –

Интегральный

логарифм

Emin 0.6I

Диапазон εн

1 – 10

5 – 50

10 – 100

50 – 500

 

100 – 1000

500 – 5000

1000 – 100

00

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

n

1.35

1.52

1.64

1.77

 

1.80

1.85

1.865

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

k

1.37

0.95

0.64

0.36

 

0.31

0.223

0.198

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Максимальная

5

5

3.5

3

 

2

1

0.5

 

погрешность, %

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

rξ,

 

 

 

 

rξ

 

 

 

104

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1000

 

 

 

6

 

 

 

 

 

100–1000

 

 

 

 

 

100

 

4

 

 

 

 

1–10

 

 

2

 

 

 

 

10

 

10–100

 

0

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

1

10

100

ε

0

250

500

750

ε

 

 

 

 

Размерный траекторный пробег:

Rl = rξ

K

7

С точки зрения решения практических задач более важно знать усредненные значения энергетических потерь по всем частицам падающего на поверхность пучка электронов в направлении нормали к поверхности.

Уравнение Виддингтона-Томсона:

d ε

1

 

 

 

n = 2

 

d ε

1

 

 

 

 

 

 

d ξ

knεn−1

 

 

 

 

d ξ

 

 

2knε

 

 

 

dE

 

ρb1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

2E

E( x)

E0

− ρb1x

 

 

dx

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

b1 » (0.476 -1.24 ×10−3 Z ) ×106

I Способ:

 

 

 

0

dE

−1

 

E02

 

3

 

 

 

 

 

 

R p =

 

dx

 

dE ==

ρb

см, ρ [г / см

 

] E0

[кэВ]

 

 

 

 

E

0

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

II Способ:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R p

0.0276ME01.67

мкм,

M [г/моль], E0 [кэВ], ρ [г/см3 ]

 

 

 

 

 

ρZ 0.889

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

III Способ:

Физически ясно, что существует прямая пропорциональность между траекторным и проекционными пробегами. Коэффициент пропорциональности должен определятся процессами рас-сеяния электронов в веществе. Одним из подходов является использование коэффициента неупругого отражения (рассеяния) электронов η, значения которого известны для большого числа веществ в широком диапазоне энергий. Анализ экспериментального материала показывает, что в для проекционного пробега независимо от материала мише-ни и энергии электронов справедлива приближенная фор-мула:

 

R p

= Rl (0.95 − 1.1η)

 

 

 

 

Для

 

E >

5

 

 

 

 

 

кэВ

η слабо

 

 

 

 

 

 

 

зависит

от

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

η –

отношение числа вторичных

 

 

 

энергии.

 

 

электронов с энергиями, большими 50

 

 

 

η =

 

Z − 8

 

 

эВ, к числу первичных электронов.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2Z

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Твердое

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Вакуум

 

 

 

тело

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

J0,Eн

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Область

 

Электронный

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Область

 

 

 

 

 

рассеяния на

 

 

 

луч

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

большие углы

 

 

 

 

 

рассеяния на

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

малые углы

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

E( x) E

2

−ρb x

 

dE

 

ρb1

0

1

 

 

 

 

 

2E

 

 

 

 

dx

 

 

 

 

dE

 

 

 

 

 

 

 

dE

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

, E

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dx

 

 

 

 

 

 

 

dx

 

 

 

Eн

Упрощенное рассмотрение:

Отклонение направления движения электрона (рассеяние пространстве на определенный угол), обусловлено упругими столкновениями Потери энергии электроном связаны с неупругими столкновениями электрона и атома.

При высоких энергиях электрон испытывает большое количество актов рассеяния на малые углы

При малых энергиях e рассеяние происходит на большие углы (вплоть до π). Т.е. почти изотропное или диффузионное рассеяние электронов.

Глубина полной диффузии электронов, т.е. глубина, начиная с которой электроны двигаются диффузно (равновероятно во всех направлениях)

xd =12Rp (Z + 8)

Rp

 

J0,Eн

 

Рост энергетических потерь физически связан с тем, что при уменьшении скорости электрона возрастает время взаимодействия с орбитальными электронами атома.

Диффузионная модель

 

 

Z=13

R p =

E02

xd =12Rp (Z + 8) = 0.57Rp

ρb

 

 

1

 

Z=79

xd =12Rp (Z + 8) = 0.14Rp

Все электронно-лучевые технологические процессы связаны с передачей энергии от электронов обрабатываемому материалу.

Q [Дж/м3] – объемная удельная энергия - энергия электронного пучка, выделяемая в единице объема; P [Вт/м3] – объемная удельная мощность.

Q( x) =

dE Ne e τ

 

 

dE

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

=

 

 

j( x

 

 

dx S τ e

 

dx

e

 

P( x) =

dE

 

j( x)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dx

e

 

 

 

 

 

 

 

 

dE j(x)

 

j

dE

 

j

 

Q(x) =

 

 

 

 

 

 

 

τ

0

=

 

 

τ

0

 

 

 

dx

 

 

j0

e

 

e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dx эфф

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dE

=

 

dE j( x)

 

 

Эффективные

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

энергетические потери

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dx эфф

 

 

 

dx

 

 

j0

 

 

энергии электронов

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Введение эффективных энергетических потерь позволяет считать, что электронный луч не рассеивается при распространении в веществе.

9

Энергия, выделяемая электронами пучка в единице объема вещества

j( x) = en( x)V ( x)

Скорость электронов уменьшается в результате торможения, концентрация изменяется за счет электронов, диффузно распространяющихся от xd к поверхности.

 

dE

 

 

 

E

0

 

 

x

5 4

 

 

Z + 8 x

 

 

=

 

1

 

 

 

 

3

− 2 exp −

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R

 

R

 

4 R

 

 

dx

эфф

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

p

 

 

p

 

 

 

 

 

 

p

dE

dE

 

,

 

 

dx

 

 

dx эфф

δ0

 

 

 

Rp

 

 

δ0 = 0.2 − 0.4

Rp

Электронно-лучевой нагрев

Пусть на мишень направлен осесимметричный электронный луч с гауссовым распределением плотности

I(r) тока

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

r

2

 

 

 

j =

 

i

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

r

j (r) =

j exp

 

 

 

 

0

πr02

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

T

 

 

Tпов

 

 

 

 

0

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

T

 

 

 

 

 

 

 

 

 

r0

– эффективный радиус

 

м

 

δ

 

 

 

 

 

 

 

r0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

электронного луча

 

 

 

 

 

 

PV

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

r2

 

 

x

5 4

 

 

 

Z + 8 x

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

P

= P exp

 

 

1

 

 

3

− 2 exp

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

x

V

 

 

0

r2

 

 

Rp

 

 

 

 

 

4 Rp

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Уравнение теплопроводности (Фурье)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

T (x, y, z,t )

a T (x, y, z,t ) =

 

Pv (x, y, z )

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ρc

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

t

 

λ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

a =

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ρc

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

at - характеризует размер разогретой области. Введем характерное время:

τ = R2p 4a

10