тмиэт / Экзамен Тмеет / Вопросы ТМЕЕТ

“Технология материалов и элементов электронной техники”

Вопросы по теме 1. Основы физики вакуума

1-Основные постулаты. 2-Распределение Максвелла. 3-Распределения частиц по скоростям и энергиям. 4-Макроскопические характеристики газовой среды. 5-Потоки в газе. 6-Средняя длина свободного пробега частицы. 7-Степени вакуума. 8-Вязкость газа. 9-Теплопроводность газа. 10-Диффузия в газе. 11-Режимы течения газа. 12-Проводимость элементов вакуумной системы. Вязкостный режим. 13-Молекулярный режим. 14-Промежуточный режим. 15-Плотность потока газа на стенку. 16-Основное уравнение вакуумной техники. 17-Откачка вакуумного объема. 18-Вакуумные насосы. 19-Объемная откачка. 20-Молекулярная откачка. 21-Струйная откачка. 22-Хемосорбционная откачка. 23-Ионная и ионно-сорбционная откачка. 24-Магниторазрядная откачка. 25-Измерение общего давления. 26-Тепловой вакуумметр. 27-Термопарный вакуумметр. 28-Электронный ионизационный вакуумметр. 29-Магнитный вакуумметр. 30-Измерение парциального давления. 31-Магнитный газоанализатор. 32-Квадрупольный газоанализатор.

Вопросы по теме 2. Взаимодействие с твердым телом.

Взаимодействие ускоренных электронов с твердым телом.

33-Вторичные эффекты. 34-Торможение электрона. 35-Пробег электрона. 36-Энергия, выделяемая электронами пучка в единице объема вещества. 37-Электронно-лучевой нагрев. 38-Особенности нетермического воздействия электронного пучка на вещество. 39-Применение электронного пучка в технологии изделий электронной техники.

Взаимодействие ускоренных ионов с твердым телом.

40-Потери энергии. 41-Ядерная тормозная способность. 42-Электронная тормозная способность. 43-Пробег иона. 44-Распределение ионов по пробегам. 45-Каналирование ионнов. 46-Дефекты и отжиг. 47-Физическое распыление. 48-Применение ионного пучка в технологии изделий электронной техники.

Взаимодействие фотонов с твердым телом.

49-Механизмы поглощения фотонов. 50-Нагрев объемного образца. 51-Нагрев объемного образца. Изотерма. 52-Нагрев пленки.

Вопросы по теме 3. Технология пленок.

53-Модель процесса осаждения пленки. Формирование потока рабочего вещества. 54-Модель процесса осаждения пленки. Перенос потока рабочего вещества. 55-Модель процесса осаждения пленки. Формирование пленки на подложке. 56-Механизмы роста пленок. Гетероэпитаксия и гомоэпитаксия.

57-Эпитаксия из газовой фазы. 58-Типы процессов газофазного осаждения. 59-Молекулярное наслаивание.

60-Термическое испарение веществ. 61-Молекулярно-лучевая эпитаксия. 62-Термическое испарение. Модель поверхностного и точечного источников. 63-Термическое испарение. Модель кольцевого и дискового источников. 64-Испарение концентрированным потоком энергии. 65-Ионно-плазменное распыление. 66-Реактивное распыления. 67-Реактивное распыление. Основные стадии процесса.

68-Плазмо-химическое осаждение. 69-Химическое осаждение. 70-Получение пленок оксида кремния на кремнии.

Вопросы по теме 4. Технология литографии и травления.

Технология литографии.

71-Фоторезисты и Радиационночувствительные резисты. Негативгые и позитивные резисты.

72-Фотолитография. 73-Разрешающая способность и способы ее повышения. 74-Литография без использования шаблонов. Лазерная и электронная литография. 75-Рентгеновская и нанопечатная литография.

Технология травления.

76-Способы травления тонких пленок. Жидкостное и вакуумно-плазменное травление. 77-Способы травления тонких пленок. Плазмо-химическое травление. 78-Анизотропия травления.

79-Селективность травления.

Вопросы по теме 5. Технология легирования материалов.

80-Диффузионное легирование. Механизмы диффузии. 81-Диффузионное легирование. Уравнения диффузии. 82-Модель диффузии. Источник с неограниченной примесью. Глубина залегания p-n перехода при источнике с неограниченной примесью. 83-Модель диффузии. Источник с ограниченной примесью. Глубина залегания p-n перехода при источнике с ограниченной примесью. 84-Методы диффузионного легирования. 85-Маскирующие свойства диоксида кремния. 86-Расчет двухстадийной диффузии.

87-Расчет двойной последовательной диффузии. 88-Ионная имплантация. Распределение примеси по глубине. 89-Ионная имплантация. Каналирование, распыление, диффузия во время имплантации.

90-Дефекты при имплантации. 91-Отжиг после имплантации.

Вопросы по теме 6. Типовые технологические установки.

92-Элементы вакуумных установок. 93-Схема и применение низковакуумных установок. 94-Схема и применение высоковакуумных установок. 95-Схема и применение сверхвысоковакуумных установок.

Вопросы по теме 7. Типовые технологические процессы.

96-Технологический процесс производства биполярных ИМС. 97-Способы изоляции элементов. Изоляция обратно-смещенным p-n переходом. 98-Способы изоляции элементов. Изоляция диэлектрическими пленками. 99-Способы изоляции элементов. Технология кремний на изоляторе. 100-Технологический процесс производства МОП ИМС. 101-Технологический процесс производства КМОП структур.