тмиэт / Экзамен Тмеет / по 53
.pdf
131
Называет решение острой фокусировки тау – длительность импульса . интеграл от функции ошибок
132
Если z>>1 то интеграл обращается в ноль Итеграл функции ошибок в z=0 равен √
При решения этого уравнения мы не учитваем ,что параметры зависят от темпереатуры . Сейчас эти уравнения для комнатной температуры.
Так же мы не учитываем фазовые переходы.
Не учитваем что часть энергии которое уходят на испарения. Полученное решение являетса
оценочным .
Температура поверхности в случии отсрой фокусировки .
133
При 
радиус пучка лазерного превыщает облость разагрева и разагрев идет в глубь материала и площадь, боковым отводом тепла можно прнебречь.
При х=0 |
все решения получены при Т=Т=0 |
при решения практических задач необходимо добавить +Т0
Максимальная температура до которой мы можем нагреть материал – температура кипения.
134
При темперетару больше времени импульса
51-Нагрев объемного образца. Изотерма.
135
136
52-Нагрев пленки.
Пленки мы считаем не прозрачными . Облость в которой поглащается фотон уже со измерима с толщиной пленки . Толщина пленки со измерима с облотью нагрева . в уравнение появляется правая часть описывающая источник.
137
Необходимо решить систему уравнений одно для пленки другое для подложки
Температуру пленки считаем не зависимой от х
Характеризует размер разогретой облости в момент тау
Нужно не забывать начальному температур
138
Стрелки указывают на уравнения для остывания.
139
Вопросы по теме 3. Технология пленок.
53-Модель процесса осаждения пленки. Формирование потока рабочего вещества. 54-Модель процесса осаждения пленки. Перенос потока рабочего вещества. 55-Модель процесса осаждения пленки. Формирование пленки на подложке. 56-Механизмы роста пленок. Гетероэпитаксия и гомоэпитаксия.
57-Эпитаксия из газовой фазы.
58-Типы процессов газофазного осаждения.
59-Молекулярное наслаивание.
60-Термическое испарение веществ.
61-Молекулярно-лучевая эпитаксия.
62-Термическое испарение. Модель поверхностного и точечного источников. 63-Термическое испарение. Модель кольцевого и дискового источников. 64-Испарение концентрированным потоком энергии.
65-Ионно-плазменное распыление.
66-Реактивное распыления.
67-Реактивное распыление. Основные стадии процесса.
68-Плазмо-химическое осаждение.
69-Химическое осаждение.
70-Получение пленок оксида кремния на кремнии.
Вопросы по теме 4. Технология литографии и травления.
Технология литографии.
140