Kuоэ |
Uвых |
|
Iвых Zн |
Kiоэ |
Zн |
|
Iвх Zвхоэ |
Zвхоэ |
|||
|
Uвх |
|
|||
Если Zн Zвхоэ (одного порядка), то Kuоэ » 1,
т.е. схема с общим эмиттером является хорошим усилителем как по току, так и по напряжению.
1)Коэффициент передачи по мощности:
Kроэ Kiоэ Кuоэ » 1
4) Рассмотрим вопрос инвертирования входного сигнала, для чего представим схему усиления с ОЭ (рис.5-2):
рис.5-2
На рис 5-3 показаны входная, выходная и нагрузочная характеристики для переменного входного и выходного сигналов, из которых видно, что выходное напряжение Uк находится в противофазе с входным сигналом.
Для схемы рис.5-2 можно записать:
Uвых Eпит Iк Rк ,
В.А.Галочкин |
81 |
Схемотехника телекоммуникационных устройств |
рис 5-3
,
т.е. изменение выходного напряжения
Uвых Iк Rк ,
что так же подтверждает инвертирующие свойства схемы с общим эмиттером.
5.1.2. Основные свойства транзистора, включенного по
схеме с общей |
базой |
|
Для схемы с |
общей базой |
(рис.5-4) входной ток |
Iвх Iэ Iб Iк ; выходной ток |
Iвых Iк; |
|
82 |
В.А.Галочкин |
Схемотехника телекоммуникационных устройств |
рис.5-4 1) Коэффициент передачи по току:
Kiоб |
Iвых |
|
Iк |
|
Iк |
h |
1, |
|
|
|
|||||
|
Iвх Iэ |
Iб Iк |
21б |
|
|||
|
|
|
|||||
т.е. схема с общей базой не усиливает ток. 2) Коэффициент передачи по напряжению:
Kuоб |
Uвых |
|
Iк Zн |
|
Iк Zн |
Kiоб |
Zн |
. |
|
|
Iб Iк Zвхоб |
|
|||||
|
Uвх Iэ Zвхоб |
|
|
Zвхоб |
||||
Сравним входные сопротивления схем с общим эмиттером и общей базой:
- для схемы с общим эмиттером
Zвхоэ Uвх ;
Iб
- для схемы с общей базой
Zвхоб Uвх « Zвхоэ
Iб Iк
или
В.А.Галочкин |
83 |
Схемотехника телекоммуникационных устройств |
Zвхоб |
Uвх |
|
|
Uвх |
|
|
|
1 |
|
|
|
|
Zвхоэ |
|
|||
|
|
|
|
Iк |
|
|
|
|
|
||||||||
|
Iб Iк |
Iб |
1 |
1 h |
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
21э |
||||
|
|
|
|
|
|
|
Iб |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Тогда коэффициент передачи по напряжению |
|
|
|||||||||||||||
Kuоб Kiоб 1 h |
|
|
Zн |
. |
|
|
|||||||||||
|
|
|
|
||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
21оэ |
|
|
|
Zвхоэ |
|
|
|||||
Так как Kiоб ≤ |
1, а |
Zн |
и Zвхоэ |
|
|
- одного порядка, то |
|||||||||||
Kuоб » 1, т.е. схема с общей базой является хорошим усилителем напряжения.
3) Коэффициент передачи по мощности:
Kроб Kiоб Кuоб » 1, но меньше, чем для схемы с общим эмиттером.
4) Для оценки инвертирующих свойств схемы с общей базой представим ее в виде рис.5-5:
Как видно из особенности построения схемы с общей базой, она не инвертирует входной сигнал (входной и выходной токи совпадают по фазе).
рис.5-5
84 |
В.А.Галочкин |
Схемотехника телекоммуникационных устройств |
5.1.3. Основные свойства транзистора, включенного по схеме с общим коллектором
Для схемы с общим коллектором (рис.5-6) входной ток Iвх Iб ; выходной ток Iвых Iэ Iб Iк ; входное напряжение Uбэ Uвых .
рис.5-6 1) Коэффициент передачи по току:
Kiок Iвых Iб Iк 1 h21э » 1, Iвх Iб
т.е. схема с общим коллектором является хорошим усилителем тока.
2) Коэффициент передачи по напряжению (Uбэ ,как правило, меньшеUвых):
Kuок |
Uвых |
|
Uвых |
≤ 1, |
|
|
|||
|
Uвх |
Uбэ Uвых |
||
т.е. схема с общим коллектором не усиливает напряжение.
3) Коэффициент передачи по мощности:
Kрок Kiок Кuок » 1, но меньше, чем для схемы с общим эмиттером.
В.А.Галочкин |
85 |
Схемотехника телекоммуникационных устройств |
4) Для оценки инвертирующих свойств схемы с общим коллектором представим ее в виде рис.5-7:
рис.5-7
Как видно из особенности построения схемы с общим коллектором, она не инвертирует входной сигнал (входной и выходной токи совпадают по фазе).
5.2. Принцип электронного усиления
Рассмотрим исходное положение при отсутствии сигнала на входе транзистора Uвх 0 (рис.5-8). При этом напряжение на базе равно напряжению смещения Eсм , а на коллекторе в рабочей точке (по постоянному току)
Uк(рт) Eпит Rк Iк(рт)
При подаче на вход переменного напряжения
Uвх Umвх sin t
в первый полупериод входное напряжение на базе будет дополнительно открывать транзистор, а во второй полупериод – закрывать.
86 |
В.А.Галочкин |
Схемотехника телекоммуникационных устройств |
рис. 5-8
В результате ток коллектора будет изменяться:
iк Iк(рт) Imк Sin t
Переменное напряжение на коллекторе:
Uкэ Uк(рт) Umк Sin t ,
где Umк Imк Rк - амплитуда его переменной составляющей.
При достаточно большом RК амплитуда Umк > Umвх , т.е. каскад усиливает по напряжению. Процесс управления током iк транзистора может быть рассмотрен как результат изменения его внутреннего сопротивленияRi ,
в результате чего происходит непрерывное перераспре- |
|
деление напряжения источника питания между транзи- |
|
стором и нагрузкой, а |
управление Ri осуществляется |
за счёт изменения Uвх . |
|
В.А.Галочкин |
87 |
Схемотехника телекоммуникационных устройств |
5.3 Режимы работы усилительных элементов
Режим А (рис.5-9) характеризуется тем, что рабочая точка А выбирается на линейном участке характеристики при сравнительно большом токе.
рис. 5-9
Ток коллектора не прерывается в течение всего периода входного колебания. В этом режиме обеспечиваются минимальные нелинейные искажения. Данный режим применяется только в каскадах предварительного усиления из-за низкого коэффициента полезного действия. Половина длительности импульса выходного сигнала, выраженная в радианах (или градусах) текущей фазы, называется углом отсечки Θ. Для данного режима Θ = 1800.
Режим В. Рабочая точка совмещается с началом входной характеристики (точка 0, рис.5-10).
В отсутствии сигнала Iк 0, что делает режим покоя экономичным. Ток Iк протекает в течение положительной половины каждого периода входного сигнала. Вторая полуволна не пропускается данным транзистором.
88 |
В.А.Галочкин |
Схемотехника телекоммуникационных устройств |
рис.5-10
Для ее усиления ставится другой транзистор - получается двухтактный усилитель. Для данного режима Θ = 900. В режиме В получается высокий КПД.
Однако из-за кривизны начального участка появляются искажения выходного тока. Из-за прерывистости тока возникают дополнительные искажения, обусловленные переходными процессами.
Режим АВ. Рабочая точка А1 устанавливается примерно по середине криволинейного участка входной характеристики (рис. 5-10). В результате импульсы выходного тока оказываются шире половины периода и угол отсечки Θ > 90˚ . Этот режим - основной для двухтактных каскадов. Здесь потребляется некоторый ток покоя, но КПД несколько ниже, чем в режиме В. Преимущество - лучшая линейность (меньше искажений).
В.А.Галочкин |
89 |
Схемотехника телекоммуникационных устройств |
Режим С. Рабочая точка А1 (рис. 5-11) находится в области запирания; Θ < 90˚.
рис.5-11
Этот режим применяется в основном в радиопередающих устройствах и специальных усилителях с повышенным КПД.
Режим Д - ключевой режим; его особенность состоит в том, что на вход транзистора подают прямоугольные импульсы большей амплитуды, полностью запирающие или отпирающие транзистор. Последний используется в качестве ключа: или полностью открыт или полностью закрыт.
В первом случае напряжение UКЭ 0, во втором IК 0, поэтому потери энергии в транзисторе практически отсутствуют.
Режим Д позволяет получить очень высокий КПД. Кроме мощных ключевых усилителей данный режим используется также в цифровых устройствах.
90 |
В.А.Галочкин |
Схемотехника телекоммуникационных устройств |
