Лекции / СТКУ_какие_то_лекции

Лекция 19

Тема: запоминающие устройства. Схемотехника запоминающих устройств

Для кратковременного хранения небольших объёмов информации обычно используют регистры. Для длительного хранения и хранения больших объёмов информации применяют запоминающие устройства (ЗУ), выполненные на специализированных микросхемах.

Для целей хранения информации существует много технических решений. В порядке их развития можно перечислить: логические элементы, магнитные сердечники, полупроводниковые элементы, перфокарты, перфоленты, магнитные ленты, диски (винчестеры или жёсткие диски), оптическая запись (CD).

Любое ЗУ независимо от назначения имеет следующие параметры: емкость ЗУ (М) – определяет максимально возможный объём информации, хранящийся в ЗУ. Единица измерения является бит – один разряд двоичного числа (логический 0 или логическая 1). Обычно информация, равная 1 биту хранится в одном элементарном ЗУ (ЭЗУ). 8

– разрядное кодовое слово называют байтом. Используют понятие «организация ЗУ», под которым понимают число кодовых слов N, хранимых в ЗУ, с указанием их длины (разрядности) L. Тогда ёмкость М для ЗУ может быть определена как M N L . При одном и том же объёме информации ЗУ может иметь различную организацию: 32 8 или 256 1 имеют один и тот же объём памяти 256 байт.

Временные параметры ЗУ:

- время выборки tA - временной интервал между подачей на вход памяти заданного сигнала и получением

на выходе данных при условии, что все остальные сигналы поданы.

- время цикла адреса в режиме записи tЦИКЛЗАПИСИ - это минимальное время совпадения сигналов на управляющих входах памяти, необходимое для надёжной записи информации.для режима считывания - tЦИКЛСЧИТЫВ.

Существуют другие задаваемые временные параметры: цикл установления, длительность действия и сохранения и др.

По функциям ЗУ подразделяется:

-оперативные ЗУ (ОЗУ)

-постоянные ЗУ (ПЗУ)

К ОЗУ относят ЗУ, использующиеся для хранения информации в процессе работы и обеспечивающие соизмеримые времена её считывания и записи.

Оперативные ЗУ могут быть статическими и динамическими.

Встатических ОЗУ записанная информация хранится в выделенном для неё месте и не разрушается при её считывании.

Разрушение информации происходит при её принудительном стирании или выключении питания.

Вдинамических ОЗУ информация постоянно циркулирует в выделенном массиве, отведённом для её хранения.

При этом она (информация) разрушается после её считывания. Для сохранения информации её нужно переписать заново.

Основное требование к ОЗУ – быстродействие при заданном объёме и организации.

На принципиальных схемах ОЗУ обозначается RAM (random access memory).

Постоянные ЗУ предназначены для хранения информации, остающейся неизменной в течение времени эксплуатации устройства.

Основой любого ЗУ является матрица памяти (накопитель).

19.1. Принципы работы ОЗУ. ЗУ с произвольной выборкой (ЗУПВ)

ОЗУ (их обозначают английской аббревиатурой RAM) подразделяются на статические и динамические. В статических ОЗУ запоминающая ячейка представляет собой триггер на биполярных или полевых транзисторах, что определяет потенциальный характер управляющих сигналов и возможность считывания информации без ее разрушения. СтатическиеОЗУвыполняютсяпо различнымтехнологиям (ТТЛ, ЭСЛ, КМОП, n-МОП, И2Л) иобладают теми жедостоинствами и недостатками, что и элементы,изготовленныепо тойилиинойтехнологии.Так, для получения высокого быстродействия статические ОЗУ выполняются по ЭСЛ-технологии, а И2Л-технология позволяет увеличивать функциональную плотность ЗУ в несколько раз по сравнению с ТТЛ-технологией. В последнее время интенсивно развиваются статические ОЗУ по КМОПтехнологии.

Благодаря высокому быстродействию статические ОЗУ широко используются в КЭШ-памяти. КЭШ-память (или буферная память) предназначена для запоминания копий информации, передаваемой между различными устройствами, прежде всего между процессором и основной памятью различных вычислительных устройств.

КЭШ-память имеет небольшую информационную емкость по сравнению с основной памятью, но более высокое быстродействие и особенно эффективна, когда требуется многократное использование одних и тех же данных.

Так, например, микросхема К1500 представляет собой статическое ОЗУ, выполненное по ЭСЛ-технологии, име-

ющее организацию 64 х 4 и предназначенное для построения локальных и буферных ОЗУ (КЭШ-память).

В динамических ОЗУ элементом памяти является емкость (например, входная емкость полевого транзистора), что требует периодического восстановления (регенерации) записанной информации в процессе ее хранения.

ОЗУ динамического типа позволяют реализовать большой объем памяти, но они сложнее в использовании, так как необходимо наличие специальной схемы управления режимами работы. В современных динамических ОЗУ имеются встроенные системы регенерации и синхронизации. Такие ОЗУ по внешним сигналам управления не отличаются от статических ОЗУ.

Плотность упаковки элементов памяти динамических ОЗУ в несколько раз превышает плотность упаковки в статических ОЗУ, т. е. они имеют большую информационную емкость. Они в несколько раз дешевле статических ОЗУ.

Динамические ОЗУ имеют ряд особенностей, существенно отличающих их от статических, одной из которых является использование в них последовательной адресации.

К динамическим ОЗУ относятся микросхемы серии К565. Выводы микросхем имеют следующие назначения: CS — выбор микросхемы, Аi— адресные входы, DIi — информационные входы, DOi — информационные выходы, W/R

— разрешение записи/считывания, RAS — строб адреса строки, CAS — строб адреса столбца, СЕ — сигнал разрешения.

Микросхема К155РУ2 — это статическое ОЗУ с открытым коллекторным выходом — выполнена на основе ТТЛструктур емкостью 64 бит. Имеет структуру 16 х 4, т. е. может хранить 16 слов длиной 4 разряда каждое.

Микросхема К537РУ8 — это статическое ОЗУобъемом 2 Кбайта, выполнена на основе структур КМОП, по входу и

выходу совместима с ТТЛ-структурами. Имеет двунаправленную 8-разрядную шину данных, которая используется и для записи, и для считывания информации.

Микросхема К565РУ5 — это динамическое ОЗУ на основе и-МОП-структур, по входам и выходам совместима с ТТЛ-структурами, имеет организацию 64К х 1. Шина адреса работает в мультиплексном режиме. Вначале на ней выставляются адреса строк, которые запоминаются во внутреннем регистре по спаду сигнала RAS. Затем выставляются адреса столбцов, которые запоминаются по спаду сигнала CAS.

Микросхемы К537РУ8 и К565РУ5 имеют выходы с тремя состояниями.

Структурная организация ОЗУ с 64 позициями размещения 0 и 1 показана в табл.19.1.

В данной таблице можно заполнить 64 позиции любыми данными. 64 позиции организованны в 16 групп, называемых словами. Каждое слово содержит 4 информационных разряда. Другими словами, данное ОЗУ содержит 16 слов длиной 4 разряда каждое (Можно было организовать как ОЗУ 32 2 или 64 1). Например, в строке «Слово 3» запишем значение слова 3 – 0110, т.е. поместили на хранение, или записали слово в память. Это операция записи.

Чтобы узнать, какая информация находится в памяти на месте слова 3, нужно прочитать запись на месте слова 3 – это операция считывания.

ЗУ по табл.19.1 называется ЗУ с произвольной выборкой (ЗУПВ), так как мы можем непосредственно обратиться к слову 3 или любому другому и считывать их значения. Ячейка памяти, отведённая для записи слова, называют адресом этого слова. В данном примере адресом слова 3 является двоичное число 00112 (310 ). По этому адресу за-

писано слово 0110 (значение слова 3).

таблица 19.1

Условное графическое обозначение ОЗУ выполненного на микросхеме 7489 с ёмкостью на 64 бита (рис.19.1):

Для записи двоичного слова 0110 в ячейку памяти, отведённую под слово 3 необходимо подать на адресные входы двоичную комбинацию 0011 (310 ), а на информационные входы – подать входные сигналы A 0;B 1;C 1;D 0 (0110 – значение слова). Затем на входе «разрешение записи» - подать 0, и при подаче 0 на вход выборки – данные заносятся в память; это – процесс записи.

Для считывании информации по адресу 3 нужно снова подать на адресные входы сигналы 0011 (310 ). Вход «разре-

шения записи» устанавливаем в состояние считывания (1); на входе выборке – 0.

рис.19.1

При этом на выходе появится двоичная комбинация 0110 (слово 310 ) – это процесс считывания.

19.2. Постоянные запоминающие устройства (ПЗУ)

Все ПЗУ можно разделить на следующие группы:

• программируемые при изготовлении (обозначают как ПЗУ или ROM);

• с однократным программированием, позволяющим пользователю однократно изменить состояние матрицы памяти электрическим путем по заданной программе (обозначают как ППЗУ или PROM);

• перепрограммируемые (репрограммируемые), с возможностью многократного электрического перепрограммирования, с ультрафиолетовым (обозначают как РПЗУУФ или EPROM) или электрическим (обозначают как РПЗУЭС или EEPROM, или E2PROM) стиранием информации.

Для обеспечения возможности объединения по выходу при наращивании памяти все ПЗУ имеют выходы с тремя состояниями или открытые коллекторные выходы.

Взапоминающие устройства, программируемые при изготовлении (ПЗУ или ROM), информация записывается непосредственно в процессе их изготовления с помощью фотошаблона, называемого маской, на завершающем этапе технологического процесса.

Такие ПЗУ называются масочными ПЗУ, они могут быть построены на диодах, биполярных или МОП-транзисторах.

ВППЗУ накопитель часто построен на запоминающих ячейках с плавкими перемычками, изготовленными из нихрома или других тугоплавких материалов. Процесс записи состоит в избирательном пережигании плавких перемычек.

ВРПЗУ запоминающие ячейки строятся на основе МОП-технологий. Используются различные физические явления хранения заряда на границе между двумя различными диэлектрическими средами или проводящей и диэлектрической средой.

Впервом случае диэлектрик под затвором МОП-тран- зистора делают из двух слоев: нитрида кремния и двуокиси кремния (SiN4 — Si02). Было обнаружено, что в сложной структуре SiN4 — Si02 при изменении электрического напряжения возникает гистерезис заряда на границе раздела двух слоев, что и позволяет создавать запоминающие ячейки.

Такие транзисторы называют МНОП-транзисторами в соответствии с их структурой: металл-нитрид кремния- окисел-полупроводник.

Запись информации в ячейки на МНОП-транзисторах осуществляется подачей относительно высоких напряжений (около 20 В), а перед записью осуществляется электрическое стирание старой информации (запись 0 во все запоминающие элементы). Таким образом, ЗУ на МНОП-

транзисторах — это РПЗУ ЭС или EPROM. Они позволяют осуществлять 104 — 106 перезаписей, энергонезависимы и могут хранить информацию годами.

Вобозначении микросхем с электрическим стиранием после номера серии указывают две буквы PP.

Так, микросхема К1601РР1 выполнена на основе p-МНОП- транзисторов, по входу и выходу совместима с ТТЛструктурами, имеет выходы с тремя состояниями и организацию 1K x 4. Время хранения информации 500 часов.

Во втором случае основой запоминающей ячейки является лавинно-инжекционный МОП-транзистор с плавающим затвором (ЛИЗМОП-транзисторы).

Влавинно-инжекционном транзисторе с плавающим затвором при достаточно большом напряжении на стоке происходит обратимый лавинный пробой диэлектрика, и в область плавающего затвора инжектируются носители заряда. Поскольку плавающий затвор окружен диэлектриком, то ток утечки мал и хранение информации обеспечивается в течение длительного промежутка времени (десятки лет). При подаче напряжения на основной затвор происходит рассасывание заряда за счет туннельного эффекта, т. е. стирание информации.

Сиспользованием ЛИЗМОП-транзисторов строятся

РПЗУ как с ультрафиолетовым (EPROM), так и электрическим (E2PROM) стиранием информации.

ВЗУ с ультрафиолетовым стиранием в корпусе микросхемы имеется специальное прозрачное окошко для облучения кристалла, причем информация стирается во всем кристалле.

При электрическом стирании информацию можно стирать не со всего кристалла, а выборочно. Кроме того, длительность электрического стирания значительно меньше, чем ультрафиолетового, а число циклов перезаписи значитель-

но больше. Поэтому ЗУ с электрическим стиранием информации вытесняют ЗУ с ультрафиолетовым стиранием. В обозначении микросхем с ультрафиолетовым стиранием после трех цифр серии указывают две буквы РФ. РПЗУ с ультрафиолетовым стиранием информации серии 573 выполнены на основе ЛИЗМОП-транзисторов, по входу и по выходу совместимы с ТТЛ-структурами.

Флэш-память. По основным принципам работы и типу запоминающих элементов флэш-память (Flash-Memory) подобна ППЗУ с электрической записью и стиранием информации. Флэш-память имеет ряд особенностей, что и позволяет выделить ее в отдельный класс. В ней осуществляется стирание или всей записанной информации одновременно, или больших блоков информации, а не стирание отдельных слов (Flash-вспышка, мгновение).

Флэш-память предназначена для хранения редко обновляемой информации и замены памяти на магнитных дисках (жесткий диск) в портативных компьютерах.

Матрица запоминающих элементов флэш-памяти, построенная на ЛИЗМОП-транзисторах с их параллельным включением, обеспечивает режим быстрого произвольного доступа и используется для построения памяти хранения редко обновляемой информации.

Так, фирма Intel разработала флэш-память, которая допускает до 105 циклов стирания, причем время стирания и время программирования всей памяти составляет 0,6— 4 с для памяти емкостью 256 Кбит—2 Мбит, а время доступа при чтении составляет примерно 100 нс.

Для замены файлов на магнитных дисках разработана файловая флэш-память (Flash-File-Memory), в которой накопитель (матрица запоминающих элементов) делится на блоки, являющиеся аналогами секторов магнитных дисков.

Так, файловая флэш-память фирмы Intel имеет информационную емкость до 32 Мбит (организация 2М х 16 или