9283_отчёт_3_лаб_Зикратова

МИНОБРНАУКИ РОССИИ

Санкт-Петербургский государственный

электротехнический университет

«ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Кафедра ЭПУ

отчЁт

по лабораторной работе №3

по дисциплине «Аналоговая схемотехника»

Тема: МАЛОМОЩНЫЕ ТРАНЗИСТОРНЫЕ УСИЛИТЕЛИ

Студентка гр. 9283		Зикратова А. А.
Преподаватель		Селиванов Л. М.

Санкт-Петербург

2022

Цель работы.

освоение способа установки рабочей точки транзисторного усилителя, оценка термостабильности рабочей точки, измерение коэффициента усиления по напряжению двух распространённых схем усилительных каскадов на транзисторах в режиме усиления малых сигналов.

Обработка результатов

1. Схема с балластным резистором в цепи базы:

Рис. 1 – Схема с балластным резистором в цепи базы

Пример расчёта: R_к = 1000 Ом, R1 = 100000 Ом

U_Rк = U_п - U_к = 11,99 – 6,451 = 5,539 В; I_к = U_Rк/ R_к = 5,539/1000 = 5,54 мА

I_Б = U_R1/R1 = 2,49/100000 = 0,0249 мА; β = I_к/I_Б = 5,54/0,0249 ≈ 222,4; k_u = 10,8/0,128 ≈ 84,375

2. Усилитель с делителем в цепи базы и эмиттерным резистором:

Рис. 2 – Схема с делителем в цепи базы и эмиттерным резистором

Пример расчёта: R_к = 2200 Ом, R_Э = 330 Ом

I_к = (U_п - U_к)/ R_к = 5,548/2200 = 2,52 мА; I_Э = U_Э/ R_Э = 1,066/330 ≈ 3,23 мА

k_u = U_вых/U_вх = 1,14/0,232 ≈ 4,91

Вывод: в ходе лабораторной работы были рассмотрены 2 схемы усилителей на биполярных транзисторах. Схема с балластным резистором в цепи базы обладает низкой температурной стабильностью, т. к. коэффициент усиления схемы по напряжению напрямую зависит от β, который сильно зависит от температуры, кроме того данную схему не собрать с чётко фиксированными параметрами (коэффициентом усиления), т. к. β может координально различаться для транзисторов. Для схемы с делителем в цепи базы и эмиттерным резистором задаётся коэффициент усиления K = R_к/R_э и затем подбирается транзистор с подходящим β.