Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Лаба 2 / Методичка САПР Micro-Cap работа N2.docx
Скачиваний:
48
Добавлен:
08.04.2022
Размер:
1.36 Mб
Скачать

3) Определите ткн для всего диапазона -50ºC – 100ºC.

Как мы видим, значения ТКН для различных диапазонов температур не равны, а значит ТКН при данном включении – нелинейная величина. Является ли значимой данная нелинейность для измерения температуры?

2.4 Определение ткн диода при различных значениях прямого тока

Другой способ определения ТКН диода это получение зависимости прямого напряжения на диоде от температуры при заданном значении тока, также с помощью анализа по постоянному току (DC Analysis).

Для этого зададим параметры анализа как показано на рисунке 2.11. В качестве первого переменного параметра теперь используется температура (Temp), изучаемой переменной напряжение на диоде (V(D1)). В результате должен появиться график подобный, представленному на рисунке 2.12.

Определите по данному графику с помощью инструментов Next Simulation Data Point является ли полученная зависимость линейной?

Рисунок 2.11 – Настройки DC Analysis

Рисунок 2.12 – Зависимость прямого напряжения на диоде от температуры

Получим зависимости прямого напряжения на диоде от температуры при различных значениях прямого тока (10 мА, 1 мА и 100 мкА). Для этого зададим параметры анализа как показано на рисунке 2.13. Устанавливаем второй переменный параметр – ток от источника I1 и требуемые значения тока. В результате должен появиться график подобный, представленному на рисунке 2.14.

Рисунок 2.13 – Настройки DC Analysis

Рисунок 2.14 – Зависимость прямого напряжения на диоде от температуры при различных значениях прямого тока

Полученные зависимости: ВАХ диода при разной температуре (рисунок 2.6) и зависимость прямого напряжения на диоде от температуры при различных значениях прямого тока (рисунок 2.14) позволяют однозначно определить параметры схемы усиления для построения термометра.

2.5 Построение термометра

Соберите схему термометра, представленную на рисунке 2.15. К исходной схеме (рисунок 2.1) добавлен неинвертирующий суммирующий усилитель на операционном усилителе (ОУ).

Поскольку при температуре 0°С выходное напряжение усилителя должно иметь нулевое значение, то выбираем равные значения сопротивлений резисторов R1 и R3 и равные 100 кОм, значение компенсирующего напряжения V3 должно быть равно значению и противоположно по знаку величине прямого напряжения диода при температуре 0, т. е. –725 мВ.

Заданием значения отношения резисторов R1 и R2 можно изменять значение крутизны выходной характеристики с единицей измерения мВ/°С. Так для получения на выходе усилителя напряжения 1000 мВ при 100 °С необходимо усиление около 6 раз. А точнее, 1000 мВ / (551 мВ – 725 мВ) = = 1000 / (–178) = 5,618. Поэтому величину резистора R2 принимаем 560 кОм.

Рисунок 2.15 – Схема термометра

2.6 Моделирование термометра в режиме dc Analysis

Получим зависимость напряжения на выходе термометра от температуры при прямом токе 1 мА. Для этого зададим параметры анализа как показано на рисунке 2.16. Дополнительно устанавливаем параметры для графика напряжения на выходе термометра (v(out)). В результате должен появиться график подобный, представленному на рисунке 2.17.

Рисунок 2.16 – Настройки DC Analysis

Рисунок 2.17 – Зависимость прямого напряжения на диоде от температуры при прямом токе 1 мА (вверху) и зависимость напряжения на выходе термометра от температуры

Соседние файлы в папке Лаба 2