ВАХ p-n перехода

При достижении критического значения отрицательного напряжения ток насыщения быстро увеличивается. Такой рост тока обусловлен тем, что электроны и дырки в обедненном слое приобретают кинетическую энергию, достаточную для ударной ионизации валентных электронов. Возникающие при этом свободные носители заряда в свою очередь ускоряются полем и принимают участие в генерации электронно-дырочных пар. Происходит лавинное нарастание концентрации свободных носителей заряда, поэтому этот тип пробоя p-n перехода называется лавинным