1)На микросхему

Однако в отличие от микросхем на р-МДП-транзисторах ми­кросхемы этого типа менее технологичны, требуют для своего изго­товления больше операций и, следовательно, более дорогие. Тем не менее тенденция развития этих серий микросхем такова, что в ближайшее время они будут занимать преобладающее положение среди НСТЛ микросхем. Свидетельством постоянного совершенство­вания их свойств является К564 серия, микросхемы которой рабо­тают при изменении напряжения питания от 3 до 15 В, характери­зуются повышенным быстродействием при значительном снижении потребляемой мощности. При напряжении питания 5 В микросхемы становятся полностью совместимыми с ТТЛ и ТТЛШ.

Таблица 4.17

Параметр и вид микросхемы	КМДП		р — МДП
	164 К17Й	К564	К108	К120	К172 К178	K501
Uи.п, В	9	З-15	— 27	— 27; — 12,6	— 27	— 27;
U0ВЫХ. в	0,5	0,01	— 0,7	— 3	— 2	— 1
U1вых, В	7,7	Uип	— 9,5	— 10	— 7,5	— 9,5
Ua, В, не менее	0,9	1,5	1	1	1	1
tЗД, Р. ср, мкс	0,25	0,082)	6	0,8	0,6	200 кГц
Pпот, ср, мВт	10-3	10-4	25	7	34	200 1)
Kраз,	50	—	10	10	15	30
И	+				+
И — ИЛИ	+	+			+
НЕ	+	+		+	+
И — НЕ	+	+		+
ИЛИ-НЕ	+	+		+
Исключающее ИЛИ	+ +	+ +		+
И — ИЛИ — НЕ			+		+
Дешифратор	+	+		+		+
Сумматор	+	+		+
АЛУ		+
Мультиплексор		+
Компаратор		+
Преобразователь уровня RS-триггер	+	+ +	+		+
D-триггер	+	+
JK-триггер	+	+				+
Регистр	+	+		+		+
Счетчик		+		+		+

1) На микросхему

2) При напряжении питания 10 В

Таким образом, для цифровых узлов с тактовой частотой бо­лее 50 МГц следует выбирать серии микросхем ЭСЛ. Для узлов с меньшей частотой переключения — микросхемы ТТЛ и- ТТЛШ, пе­рекрывающие диапазон частот до 50 МГц. При проектировании цифровых узлов с тактовой частотой не более 1 МГц целесообразно рассмотреть варианты применения серий маломощных ТТЛ микро­схем и микросхем НСТЛ на КМДП-транзисторах.

При окончательном решении вопроса о выборе серий микро­схем для проектируемого узла следует оценить возможность и це­лесообразность применения микросхем повышенного уровня интеграции, обладающих рядом преимуществ (см. § 1.3).

При логическом проектировании цифровых узлов необходим всесторонний учет основных свойств применяемой элементной базы для достижения высоких технико-экономических показателей разра­ботки. При этом в процессе проектирования появляется целый ряд особенностей. В частности, при разработке функциональной схемы узла, выборе серий микросхем и разработке принципиальной схемы следует иметь в виду, что микросхемы разных по схемотехническому признаку классов, как правило, не согласуются. Поэтому, если при­нято, например, решение в целях оптимизации проектируемого узла по энергопотреблению реализовать его на несовместимых микро­схемах, то необходимо предусмотреть их сопряжение. В составе некоторых серий согласующие микросхемы (преобразователи уров­ня) имеются, но может потребоваться проектирование согласующих элементов на навесных компонентах. Для этого целесообразно при­менять различные вспомогательные микросхемы: наборы инверто­ров, логические элементы с открытым коллекторным (для ТТЛ) или эмиттерным (для ЭСЛ) выходом и др.

При разработке на микросхемах типа ЭСЛ цифровых узлов высокого быстродействия (тактовые частоты — десятки мегагерц) необходимо иметь в виду повышенные требования к характеристи­кам линий передачи и условиям согласования выходных и входных сопротивлений микросхемы с волновым сопротивлением линии. Для решения этой задачи в сериях микросхем ЭСЛ предусмотрены спе­циальные микросхемы для работы на линию передачи и для приема сигналов с линии.