
Конструктору, разработчику / Вводный курс цифровой электроники
.pdf4.4' Вентили
лей, особенно в тех случаях, когда требуются переключатели с мно гими входами. Пример показан на рис. 4.12. На схемных обозначе ниях вентилей выход с открытым коллектором, соответствуюш;ий рис. 4.11, обозначен подчеркнутыми ромбами. Аналогично биполяр ным схемам в схемах на полевых транзисторах возможен и выход с открытым стоком, но он употребляется редко.
ДСц |
& |
<> |
|
|
|
х, |
|
(& у = Х(, |
|
|
|
Х2 |
& |
^ |
Хз
Рис . 4.12. Схемные обозначения для двух И — вентилей с выходами на основе открытых коллекторов.
4.4.2.Вентиль с тремя состояниями
Втех случаях, когда из соображений экономии используют один кабель для взаимной передачи информации между многими пере датчиками, часто применяют системы с шинами. Для того, чтобы выходы нескольких блоков подсоединить к одной шине, необходимо обеспечить отключение от шины неактивных блоков, т. е. сделать их выход высокоомными. Этого добиваются с помош;ью особой схемы, которую именуют «схемой с тремя сторонами», или {three-state^ сокраш,енно TS). Если несколько выходов схем «с тремя состояниями» работают совместно с одной шиной, то в каждый момент времени может быть разрешен («enable») только один выход, другие должны оставаться в отключенном (высокоомном) состоянии.
На рис. 4.13 показана схема, в которой оба выходных переключа теля могут быть одновременно переведены в высокоомное состояние с помош;ью enable — сигнала (то есть «разрешаюш;его» сигнала) Е. Логический символ представлен с индикацией зависимости, которая позднее будет объяснена подробнее. Сокращение Е^ со стояш;ей за ней цифрой 1 означает, что выход, помеченный цифрой 1, управля ется входом Еп- При наличии нескольких выходов все, помеченные цифрой 1, управляются enable — входом. Треугольник означает вы ход с тремя состояниями.
Глава 4- Поведение логических |
вентилей |
Enl
Рис . 4.13. Схема с тремя состояниями. Слева: принципиальная схема с да ющим разрешение (enable) Е и входным сигналом х. Справа: логический символ.
На рис. 4.14 в качестве примера показаны три двунаправленных ин терфейса, работаюпщх с одной шиной, к которой может быть подклю чено большое количество подобных интерфейсов. Интерфейс п мо жет быть включен с помош;ью £"^1 = 1 на передачу. Но при этом необ ходимо обеспечить отключение остальных интерфейсов. Принимать каждый интерфейс может независимо от других. Таким образом, величина потенциала в шине устанавливается одним передатчиком.
|
|
|
\ |
|
|
|
|
|
1 ^ |
1 |
|
1А |
|
|
1А |
тт ТТ |
Т Г |
,гт |
Т Г |
Enl |
1 |
||
lEnl |
1 |
lEnl |
1 |
||||
Хао Ьо |
Xso |
Xal |
Е\ |
Xsi |
Ха2 |
^ 2 |
Х^2 |
Рис . 4.14. три двунаправленных интерфейса с выходами типа Т5, которые сообщаются через одну шину.
4.5. Упражнения
Задача 4.1.
а) Упростите представленную ниже схему.
б) Представьте символические обозначения логических элемен тов, соответствующие положительной и отрицательной логике.
4.5. Упраоюнения
а |
|
& |
|
ъ |
|
• - ^ |
|
|
|
|
|
и |
|
|
|
г |
г--, |
& |
>1 |
|
|
i ' /
U
а _ г-^ &
и
и
Задача 4.2.
Для следующих схем дайте диаграмму уровней и таблицы ис тинности для положительной и отрицательной логике аналогично табл. 4.2.
ГЛАВА 5
СХЕМОТЕХНИКА
В цифровых логических переключательных схемах транзисторы ис пользуются как переключатели. Их задача заключается в том, что бы замыкать или размыкать цепь для протекания тока. Поэтому в идеальном случае они должны переключаться из положения корот кого замыкания во включенном состоянии, в положение с бесконечно большим сопротивлением в выключенном состоянии. Кроме того, в соответствии с рис. 4.6 они должны при определенном пороговом на пряжении Us осуп1;ествлять резкое переключение. Однако реальные транзисторы выполняют эти задачи неполно. В следующих пара графах обсуждаются обп];еупотребительные технологии логических переключательных схем и их свойства.
5.1. КМОП
Наиболее часто применяемой технологией логических переключа тельных схем является КМОП-технология (КМОП = комплиментар ная структура металл-окисел-полупроводник).
Применяемые полевые транзисторы (ПТ) имеют то преимуш;е- ство что, их затвор изолирован оксидом, и поэтому в статическом состоянии ток на входе не протекает. В табл. 5.1 представлены схе мы переключателей, переходные и выходные характеристики гг-ка- нального и р-канального МОП-ПТ обогащенного типа. МОП-ПТ с каналами пир типа называют также N-МОП и Р-МОП транзисто рами.
На переходных характеристиках показано пороговое напряже ние Uth^ при котором транзистор начинает проводить (th — thresh old, порог). Uth У N-MOn транзисторов положительно, а у Р-МОП транзисторов отрицательно.
Как видно из переходных характеристик, N-MOH транзистор вклю чен при положительных напряжениях затвор-исток Ugs более высоких, чем Uth' Р-МОП транзистор включается при напряжениях затвористок Ugs, более отрицательных, чем пороговое напряжение Uth- Можно, однако, видеть что, характеристика в области перехода от выключенного к включенному состоянию, является нелинейной.
5.L КМОП 65
Таблица 5.1. Характеристики N-МОП и Р-МОП транзисторов.
Тип |
Переходная |
Выходная |
транзистора |
характеристика |
характеристика |
NMOS |
k |
IО |
|
|
hi
м
UDS
VGS^ |
6 S |
-UDS |
|
||
|
'JUDS |
UDS |
|
UcGS |
|
|
6 S |
|
Ток стока N-МОП транзисторов положителен, в то время как у Р-МОП транзисторов он отрицателен. Поэтому транзисторы со единяют в схему, объединяя стоки обоих транзисторов так, как это показано на рис. 5.1. Затворы обоих транзисторов соединяют меж
ду собой, так что Ugs^NMOS) = Ue и Ugs(PMOS) = UeVDD- За счет правильного выбора Uth и VDD обеспечивается, стационарные со стояния, при которых всегда один из транзисторов выключен, а другой — включен. Полученная схема работает как инвертор, так как при С/е = ОВ N-MOn транзистор выключен, а Р-МОП тран зистор проводит. Отсюда Ua = VBD- Напротив, при Ue — VBD Р-МОП транзистор выключен и N-МОП транзистор проводит, так что С/д = ОВ. Поэтому структура электронной схемы соответствует инвертору на рис. 4.10.
Схема также применяется как цифровой усилитель. В этом слу чае, ее обозначают как буфер. Кроме того, она образует основу }\ш базовых цифровых КМОП-вентилей NAND (НЕ-И) и NOR (НЕИЛИ). Для оценки качества вентилей важной является передаточная характеристика Ua — f{Uc)- Как можно видеть из рис. 5.2, переда точная характеристика КМОП-вентилей почти идеальна, поскольку она резко изменяется от одного состояния сигнала к другому.
Глава 5. Схемотехника
QVDD
UGS(PMOS)
н |
|
PMOS |
|
|
|
i |
ID(PMOS) |
|
Ue |
ID(NMOS) |
Ua |
|
||
H-i |
|
NMOS |
1 UGS(NMOS) |
|
1 |
Рис. 5.1. КМОП-инвертор.
и.
Vnn=\SB
Рис. 5.2. Передаточные характеристики КМОП-инверторов при напряже ниях питания 5 В и 15 В.
5.1.1.Нагрузочная способность
Под нагрузочной способностью [fan-out) понимают коэффициент разветвления на выходе логического элемента, то есть количество вентилей, подсоединяемых к выходу. Как правило, к выходу одного вентиля подключается несколько входов других вентилей. К стан дартному КМОП-вентилю может быть подключено большое число (например, 50) входов стандартных вентилей, что является след ствием чисто емкостного характера входа КМОП вентиля. При опи сании говорят, что КМОП-вентиль имеет коэффициент нагрузки по выходу, или fan-out, например 50. Но при такой емкостной нагрузке выхода как будет показано ниже повышается время переключения.
5Л. КМОП
5.1.2. Основные схемы NAND и NOR
Основные КМОП-схемы образуются из инвертора путем подсоеди нения к N-MOn и Р-МОП-транзистором еще одному транзистору последовательно или параллельно. Таким образом, получают схему NAND или NOR (рис. 5.3). В схеме NOR, представленной на рис. 5.3, выходной сигнал у соответствует уровню L всякий раз, когда один из входов соответствует уровню Н^ поскольку тогда, по крайней мере, один из п-канальных ПТ проводит заперт и, по крайней ме ре один из р-канальных ПТ. Напротив, в схеме NAND у находится на уровне L только тогда, когда оба входа находятся на уровне Н. В этом случае п-канальные ПТ проводят, а р-канальные ПТ нахо дятся в запертом состоянии.
VDD |
VDD |
I—4 |
?1-1 |
|
|
|
XQ |
Хо
Ь>-
х\ а и Х\
^
Рис. 5.3. Основные КМОП-вентили: слева — NOR, справа — NAND.
Структура реального КМОП-вентиля показана на рис. 5.4. Схе ма может быть расчленена на четыре части:
1.Входная схема защиты должна препятствовать разрушению вентиля статическим электричеством. Верхние диоды предна значаются ^ля напряжений, которые превышают рабочее на пряжение, и они включены в проводяп1;ем направлении. Ниж ние диоды предназначаются р^ля напряжений, которые явля ются отрицательными.
2.Входной буфер уменьшает сдвиг входного уровня последова тельно включенных ПТ (особенно у вентилей с более чем с двумя входами.
68Глава 5. Схемотехника
3.Собственно логический вентиль, генерирующий логическую функцию.
4.Выходной драйвер, улучшающий передаточную характеристи ку, уменьшающий обратное воздействие выхода на вход и по вышающий нагрузочный ток.
входная схема защиты |
буфер |
НЕ-И |
драйвер |
Рис . 5.4. КМОП-вентиль НЕ-ИЛИ (HEF4001). |
|
||
5.1.3. Передаточный вентиль |
|
|
|
Показанная на рис. 5.5 схема известна как |
«передаточный вен |
||
тиль» {transmission |
gate). Речь идет об аналоговом переключателе |
с многосторонним применением. Инвертор, состоящий из Тз и Т4, формирует сигналы для собственно передаточного вентиля, состо ящего из Ti и Г2. если на вход S инвертора подан сигнал i/, то к Т2 приложен высокий потенциал, а к Ti потенциал L. Поскольку Ti и Т2симметричны относительно стока и истока, оба транзисто ра включены и передаточный вентиль проводит. И наоборот, при подаче низкого (low) уровня на вход инвертора Ti и Т2 выключе ны и передаточный вентиль закрыт. Благодаря применению п- и р-канальных ПТ схема является симметричной.
Передаточный вентиль может быть применен, например, р,ля при соединения к шине в качестве переключателя с тремя состояния-
5,1. К МОП
ми TS. Он используется также для более эффективной реализации логических вентилей [12].
XI
1
S о^
Рис . 5.5. Передаточный КМОП-вентиль и логический символ.
На логическом символе управляющий вход отмечен знаком х1, который указывает на то, все входы и выходы, обозначенные ци фрой 1, связаны между собой, когда на обозначенном через х1 входе имеет место 1.
5.1.4. Элемент с тремя состояниями
Элемент с тремя состояниями в КМОП-варианте может быть вы полнен, например, с двумя дополнительными транзисторами, кото рые в зависимости от состояния входа или проводят или находятся высокоомном состоянии. Подобная схема показана на рис. 5.6.
5.1.5.Специфические свойства КМОП
•Неиспользуемые выходы должны быть соединены с корпусом (то есть с землей), VDD ИЛИ С используемым входом, иначе потенциал на них будет неопределенным.
•Эффект «защелкивания» (latch-up) может привести перегрузке схемы. При этом в КМОП-инверторе включается паразитный тиристор. Этот эффект возникает при больших токах и при высокой температуре окружающей среды.
•КМОП-схемы очень чувствительны, несмотря на входную схе му защиты, к статическому электричеству.
Глава 5. Схемотехника
• КМОП-вентили могут быть, в отличие от ТТЛ-вентилей, со единены параллельно как со стороны входа, так и со стороны выхода. Поскольку при возрастающей температуре ток стока падает, при параллельном включении на выходе транзистор с более высоким током нагрузки имеет тенденцию к уменьше нию тока нагрузки. Вследствие этого, КМОП вентили при па раллельном включении становятся термически стабильными.
? ^DD |
10 |
^ |
En |
У~\ |
|
1 |
1 |
||
|
1 |
|
1 |
0 |
|
d |
|
0 |
отклю-П |
|
|
|
|
чено |
Ь)
Еп EN1
1 I V
С)
Рис . 5.6. Вентиль с тремя состояниями на основе КМОП. а) схема б) та блица истинности с) логический символ
•КМОП блоки имеют очень большой коэффициент разветвле ния по выходу, поскольку входы вентилей очень высокоомны. При больших коэффициентах разветвления (fan-out) время на растания и время спада импульса сильно возрастает, как это будет показано ниже.
•Фронты импульсов, используемых для управления КМОП-вен- тилями, должны иметь возможно большую крутизну. При мед ленном переключении выходные транзисторы слишком долго находятся в проводящем состоянии, что вызывает тепловые проблемы. Кроме того, КМОП схемы в момент переключения очень чувствительны к помехам, что может привести к оши бочным переключениям.