Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

схема все материалы / Лекционные материалы 2012 / 27 Частотные свойства транзисторов

.pdf
Скачиваний:
49
Добавлен:
09.02.2015
Размер:
183.93 Кб
Скачать

Частотные свойства биполярных транзисторов

Рассмотрим работу транзистора в малосигнальном режиме (рис. 1).

Рис. 1

В этом режиме связь между комплексными амплитудами токов и напря- жений на каждой частоте на зажимах описывается системой из 4 комплекс- ных параметров, например имеющих размерности проводимостей:

éY11( jf ) Y21( jf )ù . êëY12 ( jf ) Y22 ( jf )úû

Проводимость прямой передачи чаще всего записывается через модуль и фазу:

Y21( jf ) = Y21( f )exp( jφ21( f )),

где Y21( f ) = S ( f ) модуль крутизны, φ21( f ) его фазовая функция.

Остальные параметры как правило записываются через мнимую и веще- ственную части:

Y11( jf ) = G11( f ) + Y12 ( jf ) = G12 ( f ) + Y22 ( jf ) = G22 ( f ) +

jB11( f ), jB12 ( f ), jB22 ( f ).

Оценим комплексные малосигнальные параметры на основе физической эквивалентной схемы транзистора. Как известно биполярный транзистор можно представить в виде двух сильно взаимодействующих p-n-переходов

(рис. 2).

Рис. 2

Вактивном режиме работы один из них (переход база-эмиттер) смещен

впрямом направлении, а другой (переход коллектор-база)в обратном. Прямосмещенный переход характеризуется своей динамической проводимо- стью и диффузионной емкостью. Переход, смещенный в обратном направле- нии обладает малой проводимостью и барьерной емкостью. Учитывая рези- стивное сопротивление базовой области получаем физическую эквивалент- ную схему транзистора для включения ОЭ (рис. 3).

Рис. 3

На постоянном токе вблизи рабочей точки Iк = Uбэg21. С учетом того,

что g

 

=

Iк0

и g

 

=

Iк0

, получаем I

 

= U

 

gб'эβ

= g

βU

 

.

 

 

 

 

 

бэ m

 

 

б'э

 

βUT

21

 

mUT

к

 

 

б'э

б'э

 

Как следует из эквивалентной схемы частотная зависимость малосиг- нальных параметров обусловлена двумя факторами:

- диффузионной емкостью Cб'э, образующую совместно с проводимо- стями фильтр нижних частот;

- барьерной емкостью Cкб', которую можно рассматривать как элемент

внутритранзисторной обратной связи.

Линейность цепи позволяет рассматривать эти факторы независимо. Рассмотрим сначала влияние емкости перехода база-эмиттер. Передачу

сигнала можно рассматривать как двухэтапный процесс. Сначала входное напряжение или входной ток в зависимости от вида источника сигнала пре- образуется инерционной цепью в напряжение Uб'э , затем напряжение Uб'э уже безынерционно преобразуется в выходной коллекторный ток.

Пусть источником сигнала является генератор тока (рис. 4).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 4

 

 

 

 

 

Для этой схемы

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

æ

 

 

 

 

 

 

 

1

 

ö

 

 

 

 

U

б'э

= I

б

ç r

+

 

 

 

 

 

 

 

÷ .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

è б

 

 

 

gб'э + j2πfCб'э ø

При токе коллектора 10 мА

1

 

 

= 263 Ом , а r

 

=3…15 Ом. На основа-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

gб'э

 

 

 

 

 

 

б

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

нии этого первым слагаемым в скобках можно пренебречь. Тогда

Uб'э = Iб

 

 

1

 

 

 

и Iк = Iб

 

 

1

 

 

 

βgб'э = Iбβ( jf ).

g

б'э

+ j2πfC

 

g

б'э

+ j2πfC

 

 

 

 

 

 

б'э

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

б'э

 

 

β( jf ) =

 

Iк

( jf )

=

 

 

 

 

 

β

 

.

 

 

 

 

 

 

Iб

( jf )

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

+ j2πf

Cб'э

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

gб'э

 

 

 

Учитывая, что отношение емкости к проводимости в знаменателе по- следнего соотношения имеет размерность проводимости, и вводя обозначе-

ния

Cб'э = τ

б'э

= τ =

1

, получаем β( jf ) =

 

β

.

 

 

 

 

gб'э

β

2πfβ

1

+ j

f

 

 

 

 

f

 

 

 

 

 

 

 

 

β

Это выражение описывает частотную зависимость коэффициента пере- дачи тока. Его модуль

β( f ) =

 

β

 

 

 

.

 

 

 

 

 

 

æ

 

f

ö2

 

1+ ç

 

 

÷

 

 

 

 

f

 

ç

 

÷

 

 

 

è

 

β ø

График этой функции приведен на рис. 5.

Рис. 5

Частота среза fβ соответствует уменьшению модуля коэффициента пе-

редачи тока в 2 раз. Граничная частота коэффициента передачи тока соот- ветствует его единичному значению β( fT ) =1. При f ³ fβ справедлива ап-

проксимация β( f ) =

β

и из условия 1 =

β

следует соотношение f

= βf .

f

f

 

 

T

β

 

fβ

 

fβ

 

 

Пусть теперь источником сигнала является генератор ЭДС (рис. 6).

Рис. 6

В этом случае на постоянном токе

 

1 gб'э

 

 

1

 

 

 

. g21 = S (0) =

Iк

 

βgб'э

Uб'э = Uбэ

 

 

 

=Uбэ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

.

r +1 g

 

 

1+ r g

 

U

бэ

 

1+ r g

 

 

б

б'э

 

б

 

 

б'э

 

 

 

 

б

б'э

В общем виде

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Uб'э =Uбэ

1 (gб'э + j2πfCб'э )

 

 

= Uбэ

 

 

1

 

 

 

.

r +1 (g

б'э

+ j2πfC

)

 

1+ r g

б'э

+ j2πfC r

 

б

 

 

б'э

 

 

 

 

б

 

 

 

 

б'э б

 

 

 

 

 

 

 

S (

jf ) =

 

 

 

 

 

βgб'э

 

 

 

.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1+ r g

б'э

+ j2πfC r

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

б

 

 

 

б'э б

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Делим числитель и знаменатель на 1+ rбgб'э . В результате получаем

 

 

 

 

 

 

 

S (

jf ) =

 

 

 

 

 

 

S (

0)

 

 

 

 

 

.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1+ j2πfC

(r

||1 g

б'э

)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

б'э

б

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Поскольку численная оценка показывает,

что rб <<1 gб'э ,

то последнее

соотношение можно упростить

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

S (

jf ) =

 

 

S (0)

 

.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1+ j2πfC

r

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

τS = Cб'эrб

 

б'э б

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Вводя постоянную времени

и частоту среза

 

по

крутизне

fS =

 

1

, получаем частотную зависимость крутизны S ( jf ) =

 

 

S (0)

 

и

 

 

1+ j f

 

 

 

2πτS

 

S (0)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

fS

ее модуль S ( f ) =

 

 

, а также фазу

φ21( f ) = −arctg ( f

fS ).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1+ j( f

fS )2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Частотная зависимость модуля крутизны приведена на рис. 7

Рис. 7

Сравним частоты среза по коэффициенту передачи тока и крутизне

f

S

=

1

, f

β

=

gб'э

. Учитывая, что r <<1 g

б'э

получаем

 

 

 

 

2πCб'эrб

 

 

 

б

 

 

 

 

 

 

 

2πCб'э

 

 

fS >> fβ . Отсюда следует важный для практики вывод: на высоких частотах следует уменьшать собственное сопротивление источника сигнала и rб.