§2.6 Статические характеристики биполярного транзистора

Входная характеристика, выходная характеристика – основные характеристики.

Входная характеристика – зависимость входного тока от входного напряжения при постоянном выходном напряжении.

Выходная характеристика – зависимость выходного тока от выходного напряжения при постоянном входном токе.

Характеристики, снятые при разных значениях параметра, образуют…

Характеристики транзитивно зависят от схемы включения.

[1] Схема с общей базой

; - входная характеристика

; - выходная характеристика

Смещение характеристики при изменении напряжения обусловлено эффектом Эрли.

С ростом входные характеристики смещаются влево с ТКН: -2мВ/К

Выходные характеристики в схеме с общей базой термостабильны.

[ 2] Схема с общим эмиттером

; - входная характеристика

; - выходная характеристика

- сдвиг из-за эффекта Эрли

; - статический коэффициент передачи тока базы

; ;

	0,9	0,99	0,999
	9	99	999

С ростом входные характеристики смещаются влево с ТКН -2мВ/К

Выходные характеристики существенно смещаются вверх.

§2.7 Полевые транзисторы с управляющим входом

Полевые/канальные, униполярные/ транзисторы – полупроводниковые приборы, работа которых основана на модуляции тонкого полупроводникового канала поперечным электрическим полем.

В зависимости от типа проводимости полевой транзистор может быть с p-каналом и n-каналом.

Существует 2 типа полевых транзисторов:

1. Полевой транзистор с управляющим переходом

   1. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом

   2. Полевой транзистор с управляющим переходом Шотки

2. Полевой транзистор со структурой металл-диэлектрик-полупроводник /МДП-транзистор/. Чаще всего в качестве диэлектрика используются оксиды Частный случай – металл-оксид-полупроводник /МОП-транзистор/.

Упрощённая конструкция полевого транзистора с управляющим p-n-переходом:

- граница обеднённого слоя И - исток-электрод, от которого начинается движение зарядов С - сток-электрод, к которому движутся заряды З - затвор-объединённый электрод p-области

Берётся пластина слаболегированного полупроводника n-типа. На противоположных концах – металлизация /омические контакты/. Методом локальной диффузии формируются p-области на верхних и нижних гранях. На p-областях тоже делается омический контакт. Верхние и нижние грани соединяются.

Если между торцами подключить источник напряжения, то буде протекать ток по каналу между обеднёнными слоями.

Напряжение затвор-исток , при котором ток стока становится равным нулю, называют напряжением отсечки /один из основных параметров полевого транзистора/. На практике определяют при малом значении тока сток-исток.