Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Силовая электроника. Источники питания / школа построения импульсных DC-DC УРОК 2

.pdf
Источник:
Скачиваний:
125
Добавлен:
06.01.2022
Размер:
273.62 Кб
Скачать

ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА: источники питания

НАЧАЛЬНАЯ ШКОЛА ПОСТРОЕНИЯ ИМПУЛЬСНЫХ DC/DС ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ (ВТОРОЙ КЛАСС)

Александр Гончаров, к.т.н., главный конструктор группы компаний «Александер Электрик», координатор РАПИЭП – Российской ассоциации производителей источников электропитания

«Лучший ВИП – это его отсутствие» – нехорошая шутка, которой системщики пугают забитых и несчастных

разработчиков импульсных преобразователей1.

ПЕРЕХОДИМ ВО ВТОРОЙ КЛАСС

В «первом классе», в предыдущей статье, мы рассмотрели начальные моменты построения одной из очень важных для энергетической электроники схем – одиночного (одинарного) однотактного прямоходового преобразователя (ОПП). Были приведены две основополагающие формулы – для емкости i = C du/dt и для индуктивности u = L di/dt.

Сформулировано четыре правила: о неизменности на малом интервале времени напряжения на конденсаторе (¹1) и тока в катушке индуктивности (¹2), о равенстве нулю ампер-се- кундной площади за период для конденсатора (¹3) и о равенстве нулю вольт-секундной площади за период для катушки индуктивности (¹4).

Показано, что для простейшей схемы ОПП (рис. 1) магнитопровод трансформатора перемагничивается по симметричной петле гистерезиса, используя максимально возможный диапазон индукции (!).

Выходной фильтр L1, С1 ОПП является великолепным интегратором, эффективно без потерь выделяющим среднюю составляющую выходного напряжения в соответствии с регулировочной характеристикой

Uâûõ = @Uâõ N2.

В результате этот Мерседес среди других структур DC/DC-преобразо- вателей обладает замечательным свойством – он даже без всяких стабилизирующих обратных связей име-

ет очень небольшое выходное сопротивление, т.е. по отношению к нагрузке обладает очень полезными свойствами генератора напряжения (при безразрывных токах дросселя).

Итак, скорость набрана, продолжаем движение.

РЕАЛЬНЫЕ ПРОЦЕССЫ В ПРОСТЕЙШЕМ ОПП

Реальный ОПП имеет диаграммы напряжений и токов, несколько отли- чающиеся от приведенных в предыдущей статье.

При выключении транзистора VT1 на диаграмме напряжения на стоке может наблюдаться узкий выброс, иногда значительной величины, многократно превышающей входное напряжение (рис. 2а). Реальное наличие накопленной энергии в индуктивности рассеяния Ls трансформатора Т1, W = i2Ls/2, при выключении вызывает выброс напряжения на стоке транзистора VT1. Поскольку величина индуктивности рассеяния мала, то этот процесс имеет небольшую длительность, рождается, как говорят профессионалы, «иголка». Далее, после короткого высокочастотного переходного процесса формируется медленный резонансный процесс, описанный в предыдущей статье, среди простого народа именуемый – «пупок».

Фактически мы имеем дело с двухконтурной резонансной системой, в которой распределенные и приведенные емкости трансформатора резонируют по отдельности и в со-

вокупности c индуктивностями рассеяния Ls и намагничивания L. Вид получаемых напряжений за время резонансных процессов может быть различным. Кроме четкого разделения «иголки» и «пупка», можно наблюдать «двугорбого верблюда» и очень часто несимметричное напряжение за счет слившихся «иголки» и «пупка», это как бы половина синусоиды, у которой передний фронт крутой, а задний – пологий (автор надеется, что читатели пополнят копилку экзоти- ческих названий процессов в ОПП). Необходимо добавить, что пока мы говорим о диаграмме, выделенной синим цветом (рис. 2а).

При включении транзистора VT1 на диаграмме тока (рис. 2б) наблюдается «рог» – треугольный выброс тока с высокочастотным переходным процессом. Появление данного вы-

Рис. 1. Схема силовой части одинарного

однотактного прямоходового преобразователя

1Пояснения автора: 1) ВИП – это не человеческая важная персона, а Вторичный Источник Питания; 2) забитые и несчастные – потому что системщики иногда их бьют, т.к. уверены, что записной рыжий у них в системе – это ВИП, даже если микропроцессоры не считают, а двигатели не крутятся – то крайний ВИП; 3) по правде говоря, автор уверен, что ВИП назвали вторичным злые системщики в связи с тем, что у них всегда нет времени на своевременную выдачу исходных данных для проектирования источника питания и к этому моменту все удобные конструктивные объемы аппаратуры уже распределены среди своих (первичных, важных) приборов; 4) по важности последствий для системы в случае отказа ВИП его давно уже пора переименовать в Первичный, да и квалификация разработчиков ВИП требуется весьма высокая, здесь не могут работать ремесленники, должны быть мастера – поэты…

2Кстати, почему «собака» (@), а не общепринятая «гамма»? Да все просто. У автора в составе PAINT (это рисовальщик), с помощью которого впервые вводится эта буква, просто нет «гаммы».

«Электронные компоненты» ¹72002

119

ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА: источники питания

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

перегрузок) выключиться транзисто-

мотки одновременно. В этом случае

 

 

 

 

 

 

 

ру VT1 при относительно плавном на-

появляются трудности

ñ

пробивным

 

 

 

 

 

 

 

растании напряжения на стоке. За-

напряжением,

поэтому

приходится

 

 

 

 

 

 

 

медление

скорости изменения

òîêà

применять сложную изоляцию. На-

 

 

 

 

 

 

 

w1 на этапе выключения транзистора

до, чтобы обмотки w1 и w3 имели

 

 

 

 

 

 

 

VT1 снижает величину выброса на-

одинаковое число витков, а это нахо-

 

 

 

 

 

 

 

пряжения на стоке – «иголку»;

дится в противоречии с желаемым

 

 

 

 

 

 

 

вспомните формулу для индуктив-

диапазоном изменения @. И самое

 

 

 

 

 

 

 

ности. К сожалению, за все нужно

главное,

введение

â

конструкцию

 

 

 

 

 

 

 

платить, здесь расплатой является до-

трансформатора дополнительной об-

 

 

 

 

 

 

 

полнительная нагрузка

транзистора

мотки приводит к увеличению индук-

 

 

 

 

 

 

 

VT1 на этапе включенного состояния,

тивности

рассеяния

Ls,

увеличению

 

 

 

 

 

 

 

âåäü

заряженный

конденсатор

Ñ3

накопленной энергии W, росту ис-

 

 

 

 

 

 

 

приходится разряжать. Действие це-

ходного импульса выброса, и т.д., –

 

 

 

 

 

 

 

почки R1, С3 профессионалы называ-

т.е. за что боролись…

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ют «формированием траектории вы-

Дополнительные

цепочки,

такие

 

 

 

 

 

 

 

ключения» транзистора VT1.

 

как показанные на рис. 1 R4, C6; R2,

 

 

 

 

 

 

 

Индуктивность

рассеяния транс-

C4; R3, C5, используются для умень-

Рис. 2. Диаграммы напряжения и тока

форматора Т1 также может считаться

шения уровня помех, рождающихся в

элементом схемы, часто ее значение в

обмотках,

â

элементах

печатных

стока силового транзистора ОПП

 

 

ОПП, работающих на высоких часто-

плат, в выводах компонентов и т.д.

 

 

 

 

 

 

 

броса связано с тем, что в момент

тах, увеличивают ферритовой бусин-

вследствие резких изменений напря-

включения

транзистора

VT1

äèîä

кой, одеваемой на вывод обмотки w1

жений и токов.

 

 

 

 

 

 

VD2 еще находится в проводящем

трансформатора Т1. Роль индуктив-

В этом месте уставшему читателю

состоянии, диод VD1 начинает от-

ности рассеяния двояка. С одной сто-

полезно отвлечься, отдохнуть, попить

крываться,

в результате

образуется

роны, она вызывает выброс напряже-

чаю, в общем, набраться сил для про-

короткое замыкание выходной обмот-

ния на стоке транзистора VT1 –

должения.

 

 

 

 

 

 

êè

трансформатора Т1. Фактически

«иголку», но с другой – она не позво-

ВЫБОР СИЛОВОГО

 

 

 

 

транзистор VT1 включается на корот-

ляет развиться экстратоку через VT1

 

 

 

 

козамкнутый трансформатор Т1, в ре-

ïðè

åãî

включении,

ограничивая

ТРАНЗИСТОРА ОПП

 

 

 

 

зультате чего через транзистор VT1

«ðîã» òîêà.

 

 

 

ПО НАПРЯЖЕНИЮ И ТОКУ

кратковременно

протекает

большой

С «иголкой» борются с помощью

Продолжим

íàøå

рассмотрение

экстраток – рождается этот страш-

различных цепочек, например VD4,

простейшего ОПП с вопроса выбора

ный «рог». Кстати, его величину

C7, R5 на рис. 1. Эта цепочка огра-

транзисторов и диодов по напряже-

ограничивает индуктивность

рассея-

ничивает, обрезает выброс напряже-

íèþ è òîêó.

 

 

 

 

 

 

ния трансформатора Т1, она в это

ния, как показано красной линией на

Посмотрим на диаграммы, пока-

время, к счастью, не испытывает ко-

ðèñ. 2à.

 

 

 

 

занные на рис. 2. При максимальном

роткого замыкания.

 

 

 

Наконец, автор не может пропус-

коэффициенте заполнения @, напри-

 

Для любителей тонкостей необхо-

тить рекомендуемую почти во всех

мер 0,66, в соответствии с правилом

димо добавить, что для выброса тока

учебниках цепочку из дополнительной

¹4 (равенство вольт-секундной пло-

при включении есть и другие причи-

обмотки w3 и диода VD3. Диаграмма,

щади нулю за период), легко предпо-

ны, например разряд на транзистор

соответствующая действию этой це-

ложить, что «пупок», если он пропи-

VT1 многочисленных ранее заряжен-

почки, выделена зеленым цветом.

 

сывается полностью (а это наимень-

ных емкостей, таких как емкость

Идея проста. Если в DRC-цепочке

øàÿ высота пупка), будет выше при-

трансформатора, и т.д.

 

 

 

типа VD4, C7, R5 мощность, соответ-

мерно в 1,4 раза, чем входное напря-

 

Êàê æå

выживают транзисторы

ствующая накопленной в индуктив-

жение, умноженное на 0,66 и делен-

ОПП в таких страшных условиях су-

ности рассеяния энергии W = i2Ls/2,

ное на (1 – 0,66). Попробуйте проде-

ществования, среди «иголок», «ро-

бесполезно рассеивается в виде тепла,

ëàòü

ýòè

прикидки

геометрически.

гов» и «пупков»?

 

 

 

 

то благодаря дополнительной обмотке

Формула такая:

 

 

 

 

 

 

Во-первых, выживают, за редким

w3 через диод VD3 можно сбросить,

Uïóï = 1,4Uâõ ìèí @/(1 – @).

исключением, только МОП-транзис-

вернуть энергию W в первичный ис-

торы. Они имеют уникальные свой-

точник питания без существенных по-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ства быстродействия, перегрузочной

терь энергии, как говорят специалис-

Òàê êàê â

ýòî

время

действует

способности, и, главное, у них прак-

ты – рекуперировать. Да и «пупок»

Uâõ ìèí, то максимальное напряжение

тически отсутствует явление вторич-

заманчиво срезать так же. КПД не те-

на стоке транзистора VT1 будет

ного пробоя, не позволяющее надеж-

ряется, а перенапряжение с транзис-

равно Uñ ìàêñ = Uâõ ìèí + Uïóï. Âîçü-

íî

использовать

в высокочастотных

тора VT1 снимается.

 

 

ìåì

типовой

диапазон

 

изменения

ОПП биполярные транзисторы.

 

К сожалению, в высокочастотном

входного напряжения, кратный К =

 

Во-вторых, применяются специ-

преобразователе

реализовать

ýòó

= Uâõ ìàêñ/Uâõ ìèí, например К = 2.

альные схемные решения, защищаю-

идею затруднительно и на практике

Тогда

 

 

 

 

 

 

 

 

щие транзисторы.

 

 

 

она применяется редко. Очень труд-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Цепочка

R1,

С3 кратковременно

но на высоких частотах, более 100

Uñ ìàêñ1 = 3,8Uâõ ìàêñ/Ê = 1,9Uâõ ìàêñ.

берет на себя уменьшающийся рабо-

кГц, обеспечить хорошую магнитную

 

 

 

 

 

 

 

 

 

чий ток обмотки w1, что позволяет

связь между обмотками w1 и w3, для

Можно взять @ = 0,33, что будет

быстро и элегантно (т.е. без потерь и

этого необходимо наматывать эти об-

соответствовать Uâõ ìàêñ. Здесь, конеч-

120

Òåë.: (095) 925-6047

http://www.elcp.ru

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА: источники питания

но, учитывается, что мы рассматриваем стабилизированный ОПП с постоянным выходным напряжением. Тогда, применяя правило ¹4 (высота пупка останется той же), получаем:

Uñ ìàêñ2 = Uâõ ìàêñ + Uïóï = 2,8Uâõ ìàêñ.

Из двух зол выбираем худшее –

Uñ ìàêñ2.

Таким образом, если бы «иголки» – выброса из-за действия индуктивности рассеяния – не было, то уже пришлось бы выбирать транзистор VT1 на утроенное максимальное напряжение питания. Но, к сожалению, типовая «игла» вполне может быть в 1,2…1,5 раза выше «пупка». Да и запас по напряжению в 20...30% не помешает (Кçàï = 1,2…1,3).

Автор рекомендует для выбора транзистора по напряжению в простейшем ОПП использовать соотношение:

Uc ìàêñ = Êçàï (1,4 × 1,5Uâõ ìàêñ +

+ Uâõ ìàêñ) = 4…5 Uâõ ìàêñ.

Выбор транзистора по току для стабилизированного ОПП осуществляется исходя из выходной мощности ОПП Рâûõ, КПД, входного напряжения Uâõ (скос верхушки диаграммы тока не учитываем).

Средний ток за период Iñ1 = = Ðâûõ/(ÊÏÄ × Uâõ ìèí). Импульсный ток получается делением этого выраже-

ния на @, соответствующее Uâõ ìèí, например @ = 0,66. Тогда, с учетом

«ðîãà» (Êð = 1,2…1,5), получаем:

Iñ ìàêñ1 = (1,2…1,5) Ðâûõ Ê/(ÊÏÄ ×

× Uâõ ìàêñ × @ìàêñ).

Äëÿ Uâõ ìàêñ можно получить

Iñ ìàêñ2 = (1,2…1,5) Ðâûõ/(ÊÏÄ ×

× Uâõ ìàêñ × @ìèí),

естественно, в этом случае

Уважаемый читатель понимает, что с таким выбором тока можно смириться, учитывая большую перегрузочную способность МОП-транзисто- ров по току; все-таки это энергетика, обусловленная импульсным принципом действия. А вот мириться с очень большим коэффициентом превышения напряжения на стоке в ОПП не всегда возможно. Представьте, что максимальное входное напряжение 360 В! (Выпрямленное на верхнем пределе напряжение ~220 В.) Тогда необходимо применять МОП-тран- зисторы с максимальным напряжением стока 1400…1800 В (а этаких практически нет!).

Путем заметных потерь КПД (с 80% до 75…70%) можно срезать не только «иголку», но и часть самого «пупка» в простейшем ОПП. Тогда

возможно Uc ìàêñ = 2…3 Uâõ ìàêñ, хотя и это очень много.

ÊÀÊ ÁÛÒÜ?

Наука подсказывает здесь два решения, направленных на снижение перегрузки по напряжению и на повышение КПД.

Первое решение, так называемое «активное ограничение», подразумевает исключение активного сопротивления в DRC-цепочке VD4, C7, R5, приведенной на рис. 1, и разрешение протекать току встречно диоду VD4 в паузе (с небольшим мертвым временем для исключения сквозных токов) – рис. 3.

Для такого ОПП выбирается конденсатор С7 с емкостью достаточно большой величины, чтобы накопленное напряжение выбросов на нем было более или менее постоянным. Дополнительный транзистор VT2 вклю- чается с небольшой задержкой после выключения VT1 (рис. 4) и выключа- ется несколько раньше, чем включа- ется основной транзистор VT1. Вся энергия выбросов напряжения на сто-

ке транзистора VT1 переходит в энергию конденсатора С7, W = C Ч Uc2/2, когда ток протекает по цепи – открытый VD4, С7. Затем конденсатор С7 отдает накопленную энергию через открытый дополнительный транзистор VT2 в обмотку w1, перемагничи- вая трансформатор Т1.

После выключения дополнительного транзистора VT2 ток, к этому моменту развитый в обмотке w1 и,

Рис. 3. Схема ОПП с активным

ограничением выбросов напряжения

Рис. 4. Диаграммы напряжения и тока в

схеме ОПП с активным ограничением

@ = @ìèí = @ìàêñ/Ê = 0,33.

Таким образом, Iñ ìàêñ1 = Iñ ìàêñ2. Здесь выбирать не приходится.

Автор рекомендует для выбора транзистора VT1 по току в простейшем ОПП (типовой КПД = 0,8, да и скос верхушки необходимо учесть, ~1,2) использовать соотношение:

Iñ ìàêñ = 1,5 × 1,2 Êçàï Ðâûõ Ê/

/(ÊÏÄ × Uâõ ìàêñ × @ìàêñ) =

= 8…10 Ðâûõ/Uâõ ìàêñ. Рис. 5. Схема ОПП – косой полумост

«Электронные компоненты» ¹72002

121

ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА: источники питания

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

меньше Uâõ к моменту включения

ных для работы с повышенными

 

транзистора VT1.

 

входными

напряжениями

питания.

 

Происходит самое главное – резко

Ýòà

замечательная

схема позволяет

 

уменьшаются перенапряжения на сто-

использовать относительно

дешевые

 

ке силового транзистора (рис. 4а). В

силовые

транзисторы с невысоким

 

такой схеме потери КПД небольшие,

пробивным напряжением. В этом слу-

 

а включение

основного

транзистора

чае один из ее недостатков – по-

 

VT1 происходит более мягко, с мень-

следовательное

включение

íà ïóòè

 

шими помехами – уменьшается «рог»

рабочего тока обмотки w1 трансфор-

 

тока стока.

 

 

матора Т1 двух транзисторов – сгла-

 

ЗАМЕЧАТЕЛЬНАЯ СХЕМА

живается

 

òåì,

÷òî

низковольтные

 

транзисторы имеют пониженное со-

 

Другое схемное решение называет-

противление открытого канала, всле-

 

ся «косой полумост». Почему он ко-

дствие чего больших потерь мощнос-

 

сой, видно из рис. 5.

 

ти не происходит.

 

 

 

В этой схеме энергия выбросов

Диаграммы

напряжений

и токов

 

напряжения рекуперируется в пер-

для схемы косого полумоста приведе-

 

вичный источник питания с помощью

íû íà ðèñ. 6.

 

 

 

Рис. 6. Диаграммы напряжения и тока

диодов VD3. Это позволяет сохра-

Автор здесь несколько схитрил,

в схеме косого полумоста

нить высокий КПД.

 

 

Но самое главное – эта схема по-

не приводя диаграммы напряжения

 

зволяет получить самое низкое напря-

íà

транзисторах.

Рассмотрение

следовательно, приведший к накопле-

жение на стоке силовых транзисторов

напряжения на обмотке w1 транс-

нию энергии в индуктивности рассея-

VT1. Оно не превышает напряжения

форматора Т1 предложено в связи с

ния Ls трансформатора Т1, W = i2Ls/2,

питания Uâõ.

 

 

тем, что диаграммы напряжений на

замыкается теперь на приведенную

Конечно, уважаемый читатель по-

силовых транзисторах VT1 могут

емкость первичной обмотки w1, кото-

нимает,

÷òî

силовые

транзисторы

иметь различный, иногда причудли-

рая значительно меньше емкости кон-

открываются и закрываются одно-

вый вид в зависимости от симмет-

денсатора С7. В результате этого на-

временно.

 

 

ричности (одинаковости) транзис-

пряжение на стоке транзистора пони-

Схема

косого полумоста широко

торов VT1 не только в статике, но

жается и принципиально может стать

применяется

в ОПП, предназначен-

и в динамике.

 

 

 

 

 

Òåë.: (095) 925-6047

http://www.elcp.ru

 

122