ЛР3 / 9492_Скотаренко_ЛР3
.pdf
График с моим исправлением «неточности»:
lg
ф1
ф2
Рисунок 3. График световой характеристики для 1-го и 2-го фоторезисторов с предложенным исправлением.
Формулы и примеры расчётов.
1) Расчёт темновой/световой и фотопроводимости: |
|||||
Световая |
|
|
т1 |
1 |
1 |
|
|
= 1Т = 16 МОм = 0.0625 мкСм |
|||
Темновая проводимость: |
|
|
|||
Фотопроводимость: |
|
|
1 |
1 |
|
с1 = 1с |
= 3,376 МОм ≈ 0,296 мкСм |
||||
|
проводимость: |
|
|
||
2) Расчёт приведённой |
|
ф1 = с1 − т1 ≈ 0.234 мкСм |
|||
|
|
|
фотопроводимости и отношения приведённой |
||
|
|
′ф = ф |
= 0.234 мкСм ≈ 1.657 у. е. |
||
фотопроводимости к максимальной: |
|||||
|
|
|
|
′ Э |
0,141 у. е. |
|
|
|
|
′ ф |
1.657 у. е. |
|
|
|
ф |
= 29.923 у. е. ≈ 0.15 о. е. |
|
|
|
|
|
|
11 |
3) Расчёт проводимости и фотопроводимости полупроводников в зависимости
от ширины щели: |
= |
1с = 5.879 МОм = 0,17 мкСм |
||||||
2 |
– Фотопроводимость:с1 |
|||||||
1 |
– Проводимость на свету: |
1 |
1 |
|
|
|||
4) Расчёт ф1 |
= с1 − Т1 |
= 0,17 мкСм−0,0625 мкСм ≈ 0.0108 мкСм |
||||||
|
энергии активации фоторезисторов: |
−19 |
|
|||||
2 |
– второй |
|
|
|
|
= 3.934 10 |
Дж ≈ 2.455 Эв |
|
|
∆Э = пор1 |
= 505 нм |
|
|||||
1 |
– Первый фоторезистор: |
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
= 3.344 10 |
−19 |
Дж ≈ 2.087 Эв |
|
Вывод.∆Э = пор2 |
= 594 нм |
|
|||||
|
|
фоторезистор |
|
|
|
|
|
|
Мы изучили спектральные зависимости фотопроводимости полупроводников СdS и СdSе и зависимости фотопроводимости от уровня оптического облучения, и пришли к следующим выводам:
-Спектральная зависимость фотопроводимости полупроводников имеет сложный нелинейный характер
-Зависимость фотопроводимости от уровня оптического облучения относительно близка к линейной.
12