вопросы по эбэ / КЛАССИФИКАЦИЯ ТРАНЗИСТОРОВ

КЛАССИФИКАЦИЯ ТРАНЗИСТОРОВ

Отечественная электронная промышленность выпускает большое число типов транзисторов различного назначения. Условное обозначение каждого типа состоит из нескольких букв и цифр согласно системе, принятой в 1964 г. и до­полненной в 1972 г. Первая буква обозначения указывает на материал кристалла транзистора: К — кремний, Г — германий; вторая — на вид прибора; Т — би­полярный транзистор, П — полевой. Далее следует трех- или четырехзначное число. Первая его цифра дает понятие о частотных и мощностных характеристи­ках транзистора в соответствии с табл. 1. Например, цифрой 1 обозначают низкочастотный транзистор малой мощности, 3 — транзистор высокочастотный ма­лой мощности и т. д. Последние цифры указывают порядковый! номер разработ­ки. В конце обозначения могут стоять одна или две буквы, свидетельствующие о технологических особенностях транзистора или обозначающие ту или иную груп­пу, обусловленную разбросом параметров.

Таблица 1

Классификация транзисторов выпуска после 1964 г.

Частотные свойства	Транзисторы
	малой мощности (PKmax<0,ЗВт)	средней мощности (Ркmax<3 ВТ)	большой мощ­ности (Pкmax>ЗВт)
Низкая частота (ниже 3 МГц)	101...199	401...499	701...799
Средняя частота (ниже 30 МГц)	201...299	501...599	801. ..899
Высокая частота (выше 30 МГц)	301...399	601...699	901. ..999

Примечание. У транзисторов с четырехзначным числом в обозначении последние три цифры означают номер разработки.

В качестве примера расшифруем условное обозначение транзистора ГТ322А: германиевый биполярный транзистор высокой частоты малой мощности с номе­ром разработки 22, группа А. Другой пример. Транзистор КПЗОЗБ: кремниевый полевой транзистор высокой частоты малой мощности с номером разработки 03, группа Б. Таким образом, табл. 1 может быть использована при идентификации практически всех типов транзисторов, выпускаемых отечественной промышлен­ностью. Нужно отметить, что системы условных обозначений, принятые за рубе­жом (а их немало!), не позволяют так точно определить характеристики тран­зисторов, как система, принятая в СССР.

Кроме транзисторов, имеющих обозначение по действующей системе, еще вы­пускаются и находят применение транзисторы, обозначаемые по старой системе, действовавшей до 1964 г. Обозначение этих транзисторов начинается с буквы П, что означает плоскостной (конструктивная особенность), а далее следует цифро­вой индекс от однозначного до многозначного. Расшифровка цифровых индексов указана в табл. 2.

Таблица 2

Классификация транзисторов выпуска до 1964 г.

Частотные свойства	Транзисторы
	малой мощности (PКmах<0,25Вт)		большой мощности (PKmax>0,25 ВТ)
	Терманий	Кремний	Германий	Кремний
Низкочастотные (ниже 5 МГц)	1...100	101. ..200	20I...300	301. ..400
Высокочастотные (выше 5 МГц)	401...500	501. ..600	601...700	701. ..800

Примечание. Исключением могут являться транзисторы еще более раннего вы­пуска (например. П4 большой мощности).

Ряд транзисторов старых выпусков имеют в обозначении перед буквой П до­полнительную букву М, что условно означает транзистор с холодносварным кор­пусом, например МП42Б. Такие транзисторы имеют значительно большие сроки хранения (десятки лет) и службы (десятки тысяч часов работы), чем их пред­шественники с горячесварным корпусом. Кроме того, в обозначении некоторых приборов после цифрового индекса есть еще одна или две буквы, например П605АИ, обозначающие те или иные особенности прибора. Чаще всего это буквы Э — повышенная влагостойкость и И — улучшенные импульсные свойства.

Выпускаемые промышленностью транзисторы можно также различать по кон­струкции корпуса, форме и размещению выводов. Есть серии транзисторов, кото­рые выпускают в корпусе двух видов, например в пластмассовом и металличе­ском. На рис. 3 показаны цоколевки и упрощенные изображения корпуса со сто-рсны выводов наиболее широко применяемых в любительской практике биполяр­ных транзисторов малой мощности, а на рис. 4 — цоколевки полевых транзисторов малой мощности (буквенные индексы транзисторов на рис. 3 и 4 опущены).