Министерство образования и науки Российской Федерации

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования

Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР)

Кафедра промышленной электроники (ПрЭ)

Контрольная работа №2

По дисциплине «Аналоговая электроника»

Построение нагрузочной прямой по постоянному току

Вариант №26

Выполнил:

Студент гр. З-66

Шерстюк П.В.________

Проверил:

Кандидат технических

наук, Доцент

Саюн В. М._________

Томск 2019

Цель работы:

1. Провести токи во входной и выходной цепи транзистора.

2. Расставить вектора падения напряжений и ЭДС во входной и выходной цепи транзистора.

3. Составить уравнения Кирхгофа по току и напряжению.

4. Построить нагрузочную прямую по постоянному току. Отметить особые точки.

5. Составить для каждой точки схему замещения и определить параметры

6. Выбрать транзистор.

7. Рассчитать сопротивление .

8. Определить мощность, выделяемую на транзисторе.

9. Выбрать площадь радиатора охлаждения для транзистора.

Данные для контрольной работы:

Вариант	Ег, В	Еп, В	Rк, Ом
26	6	520	290

Принципиальная схема

Рисунок 1. – Принципиальная схема с ОЭ.

Ход работы:

1. Провести токи во входной и выходной цепи транзистора.

2.Расставить вектора падения напряжений и ЭДС во входной и выходной цепи транзистора.

Рисунок 2.1. –Принципиальная схема с протекающими токами и падениями напряжения.

3. Составить уравнения Кирхгофа по току и напряжению.

Для входной цепи:

Для выходной цепи: - является нагрузочной прямой по постоянному току

4.Построить нагрузочную прямую по постоянному току. Отметить особые точки.

Рисунок 4.1. – Нагрузочная прямая по постоянному току.

5. Составить для каждой точки схему замещения и определить параметры

1. Для точки P:

2. Для точки М:

3. Для точки N:

4. Для точки О:

6. Выбрать транзистор.

Условия выбора транзистора:

1. 

2. 

Выбираем тип транзистора : n-p-n

По полученным данным выбираем транзистор : 2SD1846

Его характеристики :

Выбранный транзистор отвечает условиям выбора по напряжению и току.

7. Рассчитать сопротивление для режима насыщения.

Из ряда Е24выбираем : выбираем

7.1. Рассчитать сопротивление для активного режима работы.

Зададим напряжение в коллекторно - эмиттерной цепи в интервале от до .

Пусть , тогда

Из ряда Е24 выбираем : выбираем

8. Определить мощность, выделяемую на транзисторе.

8.1. Для режима насыщения транзистора:

ОМЛТ – 1 – 39Ом 5% ГОСТ (7113-77)

8.1. Для активного режима транзистора:

ОМЛТ – 0.5– 75Ом 5% ГОСТ (7113-77)

9. Выбрать площадь радиатора охлаждения для транзистора.

Радиатор не требуется, так как вся выделяемая мощность рассеивается транзистором.