Otchyot_po_1-oy_lab-oy_rabote

МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

федеральное государственное АВТОНОМНОЕ образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»

Озерский технологический институт – филиал федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего образования «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» (ОТИ НИЯУ МИФИ)

Кафедра «Электроника и Автоматика»

ОТЧЁТ

ПО ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ №1

по дисциплине: «Электротехника, электроника и схемотехника»

Выполнил: студент группы 1ИВТ-29Д			М.И. Баранин
		(подпись)
Проверила: зав. кафедрой ЭиА			Е.Г. Изарова
		(подпись)

2021

Исследование характеристик полупроводниковых диодов

Цель работы: исследование ВАХ выпрямительного и импульсного полупроводниковых диодов.

Оборудование: базовый лабораторный стенд NI ELVIS II, лабораторный модуль М1.

Схема лабораторного стенда:

Ход работы:

Задание 1 (выпрямительный диод типа S1M):

Рисунок 1 - ВАХ выпрямительного диода (0..10 B)

4.1.3: Координаты 2 точек:

I_д = 5.00 мА, U_д = 0.66 В;

I_д = 8.00 мА, U_д = 0.68 В;

4

=> Rдиф = 6,666 Ом;

.1.4: 5 мA: Rст = 132 Ом;

8 мA: Rст = 85 Ом;

4.1.5: Координаты других 2 точек:

I_д = 1.00 мА, U_д = 0.62 В; Rст = 590 Ом;

I_д = 2.00 мА, U_д = 0.59 В; Rст = 310 Ом;

Соответственно, Rдиф = 30 Ом;

4.1.6: U_д излома = 0.55 В;

4.1.7:

Рисунок 2 - ВАХ выпрямительного полупроводникового диода (-10..10 B)

4.1.8: При U_вх = -8В, U_д = -8В, а │I_д │< 0.01мА => сопротивление стремится к ∞.

Задание 2 (импульсный диод типа BAV70):

4.1.2: (см. следующую страницу)

Рисунок 3 - ВАХ импульсного полупроводникового диода (0..10 B)

4.2.3: Координаты 2 точек:

I_д = 5.00 мА, U_д = 0.69 В;

I_д = 8.00 мА, U_д = 0.72 В;

4

=> Rдиф = 10 Ом;

.2.4: 5 мA: Rст = 138 Ом;

8 мA: Rст = 80 Ом;

4.2.5: Координаты других 2 точек:

I

=> Rдиф = 30 Ом;

_д = 1.00 мА, U_д = 0.60 В; Rст = 600 Ом;

I_д = 2.00 мА, U_д = 0.63 В; Rст = 315 Ом;

4.2.6: U_д излома = 0.58 В;

4.2.7:

Рисунок 4 - ВАХ импульсного полупроводникового диода (-10..10 B)

4.2.8: При U_вх= -8В, U_д= -8В, а │I_д │ < 0.01мА => сопротивление стремится к ∞.

Вывод: В лабораторной работе проводилось исследование ВАХ выпрямительного (S1M) и импульсного (BAV70) диодов. На основании проведенных опытов, можно заключить, что диоды пропускают ток только в одном направлении, а также при прямом подключении происходит падение напряжения на диоде, численно равное напряжению излома.