3. В чём преимущества и недостатки ионно-легированных резисторов перед диффузионными?

Достоинства ионной имплантации:

• быстрый процесс;

• можно проводить при Т_к;

• применять для легирования примесями с низкими коэффициентами диффузии или низкими растворимостями в твердой фазе, а также для легирования полупроводников с низкой температурой плавления (InAs) или полупроводников, диффузионное легирование которых требует

очень высоких температур (SiC);

• точная дозировка примеси (теоретически – 1%, практически – 5%);

• высокая чистота;

• расширенная возможность локального легирования (широкий круг маскирующих материалов, меньше боковое легирование);

• можно легировать вообще через маску;

• возможность получения управляемого профиля распределения – вплоть до формирования захороненного слоя.

Недостатки и ограничения ионного легирования:

• необходимость отжига;

• сложность воспроизводимого легирования слоев толщиной более 1 мкм;

• сложность однородного легирования пластин большого диаметра из-за расфокусировки луча при больших отклонениях, сложность оборудования.

4. Как зависит сопротивление резистора от концентрации легирующей примеси в резистивной области?

Сопротивление диффузионного резистора представляет собой

объемное сопротивление участка диффузионного слоя, ограниченного p-n - переходом. Оно определяется геометрическими размерами резистивной

области и распределением примеси по глубине диффузионного слоя, которое, в свою очередь, характеризуется удельным поверхностным

сопротивлением RS. Значение RS является конструктивным параметром резистора; зависящим от технологических факторов (режима диффузии).

Вывод: В ходе лабораторной работы была изучена структура и топология электронных приборов.

Литература

1. МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов/ Под ред. П. Антонетти, Д. Антониадиса, Р. Даттона, У. Оулдхема: Пер. с англ. – М.: Радио и связь, 1988.

2. Дьяконов В.П. Справочник по MathCAD PLUS 7.0 PRO. –М.: СК Пресс, 1998.

3. Броудай И., Меррей Дж. Физические основы микротехнологии: Пер. с англ. - М.: Мир, 1985.

4. Технология тонких пленок. Справочник: Пер. с англ. /Под ред. М. И. Елинсона, Г. Г. Смолко. -М., Сов. Радио, 1977. Т. 1.

5. Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем: Учеб. пособие. -2-е изд., перераб. и доп. -М.: Высш. шк., 1979.

6. Бубенников А.Н. Моделирование интегральных микротехнологий, приборов и схем: Учеб. пособие. -М.: Высш. шк., 1989.