- •Санкт-Петербург
- •Обработка результатов
- •По данным, занесенным в таблицу 2.2, и пользуясь выражением , рассчитать ткс резисторов. Результаты вычислений занести в таблицу 2.2.
- •По данным, полученным в 2.З.З, и пользуясь выражениями , определить удельные мощности рассеяния резисторов. Результаты занести в
- •4. Пользуясь данными, приведенными в табл. П.3, расшифровать цветовой код исследованных резисторов.
- •Построить гистограмму распределения исследованных в 2.З.4 резисторов по допуску с точностью 0,1(∆Rном/Rном),%. Определить код номинального сопротивления и допуска исследованных резисторов.
Обработка результатов
По данным, полученным в 2.З.1, и пользуясь табл. П.1 и П.2, определить код номинального сопротивления и допуска резисторов в русской и в латинской транскрипциях. Пользуясь выражением Umax=[Pном(Rном-∆Rном)]^0,5, рассчитать максимальное напряжение, которое может быть приложено к каждому из исследуемых резисторов при частоте 50 Гц. Результаты занести в табл. 2.1.
Код резистора записывал с учетом стандартных номиналов сопротивлений из приложения П1 рядов Е24, Е12, Е6, Е3.
Таблица 2.1.1
Положение переключателя S1 |
Резистор |
Pном Вт |
∆Rном, % |
Uпр, В |
Rизм,
|
Код R Рус. |
Код R лат. |
Umax,В (при 50 Гц) |
1 |
Метало- диэлектрический |
0,05 |
±10 |
20 |
23 КОм |
22К0С |
22K0K |
32,2
|
2 |
Метало- пленочный |
0,25 |
±5 |
100 |
296 Ом |
К3И |
K3J |
8,4
|
3 |
Углеродистый |
0,25 |
±5 |
300 |
348Ом |
К36И |
K36J |
9,1
|
4 |
Метало-оксидный |
1 |
±5 |
500 |
3 Ом |
3Е0И |
3R0J |
1,7
|
5 |
Композиционный объемный |
0,5 |
±20 |
500 |
1,11Ом |
1Е1В |
1R1M |
0,7
|
6 |
Композиционный Поверхностного типа |
0,125 |
±30 |
150 |
8,4 МОм |
10М0Ф |
10M0N |
857,3
|
7 |
Проволочный |
25 |
±10 |
500 |
8 Ом |
8Е0С |
8R0K |
13,4
|
По данным, занесенным в таблицу 2.2, и пользуясь выражением , рассчитать ткс резисторов. Результаты вычислений занести в таблицу 2.2.
Таблица 2.2.1
Положение переключателя S1 |
Резистор |
t0=15 |
t =48 |
ТКС, К |
R0, Ом |
R, Ом |
|||
4 |
Металлопленочный |
223 Ом |
223 Ом |
0
|
5 |
Металлооксидньй |
82,5 КОм |
81,3 КОм |
-0,48
|
6 |
Углеродистый |
3 Ом |
1 Ом |
-22
|
7 |
Композиционньй объемный |
1,1 КОм |
1,08 КОм |
-0,6
|
По данным, полученным в 2.З.З, и пользуясь выражениями , определить удельные мощности рассеяния резисторов. Результаты занести в
Таблица 2.З.1
Тип резистора |
Pном, Вт |
Габариты (Длинна*диаметр)/ (Длинна*ширина*высота) |
S, см^2 |
V, см^3 |
, Вт/см2 |
, Вт/см^3 |
1.Композиционный объемный |
25 |
35*15 мм |
57.16 |
21.53 |
0,44 |
0,86 |
2.Спиральный |
2 |
45,9*8 мм (ширина канавки 3.8) |
27.09 |
9.23 |
0,07 |
4,62 |
3.Проволочный |
5 |
22*9.5*9.5 мм прямоугольный |
10.22 |
2.01 |
0,49 |
0,40 |
4.Углеродистый |
2 |
17.5*8 мм |
12.82 |
3.52 |
0,16 |
1,76 |
5.Металлооксидньй |
2 |
16.7*5.6 мм |
7.85 |
1.65 |
0,25 |
0,83 |
6.Металлопленочный |
1 |
9.6*3.1 мм |
2.47 |
0.29 |
0,40 |
0,29 |
7.Металлодиэлектрический |
0,25 |
6.5*2.0 мм |
1.07 |
0.082 |
0,23 |
0,33 |
8.Композиционный поверхностного типа |
0,125 |
7.3*2.0 |
1.17 |
0.092 |
0,11 |
0,74 |
9.Металлодиэлектрический |
0,125 |
6.4*2.0 |
0.87 |
0.058 |
0,14 |
0,46 |