3. Биполярные и полевые транзисторы

Биполярные и полярные транзисторы.

Рис. Устройство n-p-n транзистора (а) , его схематическое изображение (б) и схема замещения (в). Устройство p-n-p- транзистора (г), его схематическое изображение(д) и схема замещения (е).

Для эквивалентной схемы с заменой транзистора на источник тока коллектора:

Уравнения транзистора в Н-параметрах :

Рис. Простейшая схема замещения биполярного транзистора (а), схема усилительного каскада (б) и расчетная схема (в)

Рис. схема замещения биполярного транзистора в Н-параметрах.

Здесь:

При холостом ходе на выходе iб=0 и

И при коротком замыкании на выходе uкэ=0

H₁₂ – обратная передача по напряжению,

Н₂₂ –выходная проводимость,

Н₁₁ – входное сопротивление,

Н₂₁ – прямая передача по току

Условие насыщения транзистора :

Коэффициент насыщения:

Насыщение на насыщенном ключе:

Рис. Схема замещения транзисторного ключа в режиме насыщения и и в режиме отсечки.

рис. процессы при включении (а) транзистора и выключении (б)

Рис. Изменение формы импульса при работе транзисторного ключа.

Рис. Схема замещения на высокой частоте и частотная зависимость коэффициента передачи тока базы.

Частотно зависимый коэффициент:

Где βо- коэффициент передачи тока базы на низкой частоте, ω_β-предельная частота коэффициента передачи тока базы.

Модуль частотной зависимости коэффициента передачи тока базы:

Сдвиг выходного сигнала относительно входного:

Униполярные транзисторы

Рис. Схематические изображения полевых транзисторов с изолированным затвором.

Рис. Типовые передаточные характеристики полевых транзисторов.

Рис. зависимость сопротивления канал от напряжения на затворе (а) и схема замещения ключа на полевом транзисторе (б)

Ток стока полевого транзистора в области насыщения:

Начальный ток стока:

Значение крутизны вольт- амперной характеристики:

Уравнения транзистора в у- параметрах (параметрах проводимости):

о

рис. Схема замещения полевого транзистора при малом сигнале на высокой частоте, схема включения ПТИЗ с индуцированным каналом на резисторную нагрузку и графики похождения прямоугольного импульса через транзисторный ключ.

Комплексные проводимости схемы замещения: