
3806
.pdf11
•освоение основных физических теорий, позволяющих описать радиационные эффекты в полупроводниковых структурах и в среде, и определение пределов применимости этих теорий для решения современных и перспективных профессиональных задач;
•ознакомление студентов с историей и логикой развития физики радиационных воздействий и основных её открытий. В результате этих занятий студент должен сформировать практические навыки:
– записи условия задачи, в котором выделяются известные данные и конкретизируется вопрос (в процессе конкретизации определяется характеристика процесса, значение которой необходимо найти);
– обоснования выбора пути решения, в котором приводится основная фундаментальная закономерность, позволяющая найти решение задачи;
– вывода основной формулы решения, получения по ней численного значения, анализа полученного результата;
– формулировки ответа на вопрос, поставленный в задаче.
Для формирования перечисленных навыков студент должен самостоятельно разобрать примеры решений, приводимые в пособии (для заочной формы обучения) или в конспекте практического занятия, и самостоятельно решить несколько задач различного уровня сложности на пройденные разделы дисциплины. При необходимости следует обращаться за консультацией к преподавателю.
В процессе подготовки к практическим занятиям рекомендуется обсуждение материала с другими студентами, во время которого закрепляются знания, а также приобретается практика изложения и обсуждения полученных знаний, развиваются коммуникативные навыки.
В ходе практических занятий по физике студенты знакомятся с алгоритмом и типовыми приемами решения задач. Полученные знания закрепляются путем выполнения индивидуальных заданий по теме практического занятия. Каждый студент получает свой вариант индивидуального задания. Темы практических занятий приведены в таблице 1.
Темы практических занятий по дисциплине «Радиационные эффекты в полупроводниковых структурах»
Таблица 1
№ н/п |
№ раздела дисциплины |
Темы практических занятий |
|
|
|
1 |
2 |
3 |
|
|
|
1. |
Раздел 1 |
Введение. Радиационная среда и её основные характери- |
|
|
стики (2 часа) |
|
|
|
|
|
12 |
|
|
|
2. |
Раздел 2 |
Взаимодействие радиации и ионизирующих излучений с |
|
|
материалами электронной техники (4 часа) |
|
|
|
3 |
Раздел 3 |
Формирование дозовых радиационных эффектов в полу- |
|
|
проводниках и диэлектриках (4 часа) |
|
|
|
4 |
Раздел 4 |
Радиационные эффекты в дискретных полупроводнико- |
|
|
вых приборах и элементах интегральных схем. |
|
|
|
5. |
Раздел 5 |
Радиационные эффекты в интегральных схемах (2 часа). |
|
|
|
6. |
Раздел 6 |
Одиночные радиационные эффекты в условиях воздейст- |
|
|
вия отдельных заряженных частиц (2 часа). |
|
|
|
7. |
Раздел1-6 |
Работа со студентами в индивидуальном порядке. |
|
|
|
Общий алгоритм решения задач по дисциплине «Радиационные эффекты в полупроводниковых структурах»
Решение любой задачи по дисциплине «Радиационные эффекты в полупроводниковых структурах» можно разделить на следующие этапы.
1.Краткое представление условия задачи заключается в записи известных и искомых величин, где приводятся численные данные в том виде,
вкотором они имеются в условии задачи. Здесь же указываются сведения, заданные неявно (например, в графической или табличной формах).
2.Перевод всех данных в условии величин в единую систему единиц
– обычно в Международную систему единиц (СИ).
3.Аналитическое решение задачи. На этом этапе, прежде всего,
следует установить, какие физические закономерности лежат в основе данной задачи. Начинать советуем с формулы, которая содержит искомую величину. Затем из формул, выражающих эти закономерности, надо найти решение задачи. При этом следует придерживаться известного положения: число уравнений в составляемой системе уравнений должно быть равно числу неизвестных. Решая аналитически эту систему уравнений любым удобным методом, нужно получить расчетную формулу искомой величины.
4.Проверка размерности искомой величины. Прежде чем произво-
дить вычисления, необходимо проверить размерность полученного результата. Для этого в расчетную формулу вместо физических величин подставляют их единицы измерения. Проверка положительна, если после упрощения выражения получена единица измерения искомой величины. Если нет, то надо искать ошибку в преобразованиях при выводе расчетной формулы.
5.Вычисление. Численный результат получается путем подстановки численных значений известных величин в расчетную формулу и вычислени-

13
ем полученного арифметического выражения. Расчеты, как правило, упрощаются, если величины представить в виде небольшого числа и множителя, отражающего десятичный порядок данной величины. Например,
12300 = 1,23 104 или 0,00123 = 1,23 10–3.
При вычислениях следует использовать микрокалькулятор. Результат округляется до трех значащих цифр.
Представленная последовательность действий может быть полезной при решении как расчетных, так и качественных задач.
Примеры оформления решения задач
1. Условие: Оценить минимальный размер области локализации электрона, энергия которого не превышает 10эВ.
Краткая запись |
Анализ данных |
Решение |
|
условия |
|||
|
|
||
|
|
|
|
Дано: |
|
В рамках квантовой механики для лю- |
|
We=10эВ |
We=16∙10-19Дж |
бой частицы справедливы соотношения |
|
неопределенностей: |
|||
|
|
||
me=9.1∙10-31кг |
|
x p h , |
|
|
|
здесь h=6,63∙10-34 – постоянная Планка, |
|
Найти: x-? |
|
||
|
|
|
Δp – погрешность измерения импульса частицы. Из этого соотношения, полагая, что максимальное значение погрешности не может превышать импульс частицы получим для минимального размера области локализации электрона выражение:
x h p .
Отсюда видно, что минимальный размер области локализации частицы совпадает с длиной ее волны де Бройля. В нерелятивистском случае энергия электрона и его импульс связаны соотношением:
We p2 .
2me
Из этого выражения получаем p 2meWe . Тогда окончательное выражение для минимального размера области локализации электрона будет иметь вид:
x h2meWe .
Подставляем числа

|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
14 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
x |
|
|
|
|
6,63 10 34 |
|
|
|
6,63 |
10 9 |
0,3886нм . |
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
9,1 10 31 |
16 10 19 |
17,06 |
|||||||||||||||||
2 |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||
Проверяем размерности: |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
x |
|
|
|
Дж с |
|
|
Дж с2 |
|
|
|
|
|
|
кг м2 с2 |
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
м . |
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
с2 кг |
|
|||||||||
|
Дж кг |
|
|
кг |
|
|
|
|
Ответ: Минимальный размер области локализации электрона, энергия которого не превышает 10 эВ, равен x=3,89 Å.
ПО ВЫПОЛНЕНИЮ ИНДИВИДУАЛЬНЫХ ЗАДАНИЙ
Каждое индивидуальное задание представляет собой набор нескольких задач, относящихся к определенному разделу физики. Цель индивидуального задания – практическое освоение теоретического курса и приобретение навыков решения задач, имеющих как учебный, так и прикладной характер.
Решенные примеры не заменяют учебный и лекционный материал, поэтому перед выполнением задач следует ознакомиться с соответствующими разделами теоретического курса лекций или учебников, которые приведены в рекомендуемом списке литературы.
Впроцессе расчетов следует обратить внимание на согласованность единиц измерения величин, входящих в формулы. (Не забывайте писать, в каких единицах получен результат). Рекомендуемые единицы измерения приведены в перечне используемых обозначений. Все арифметические вычисления следует выполнять с точностью до трёх значащих цифр, принятой для инженерных расчётов.
После решения задач, входящих в задание, листы с решениями брошюруются и снабжаются титульным листом с обязательным указанием дисциплины, номера варианта задания и данных студента.
При представлении задач обязательными элементами являются:
–текст задачи и числовые исходные данные;
–расчётные формулы;
–проверка размерностей.
Впроцессе защиты индивидуального задания студентам могут быть предложены контрольные вопросы и задачи из соответствующего раздела курса.
15
Небрежно оформленные и выполненные не по своему варианту индивидуальное задания к защите не принимаются.
Выполнение индивидуальных заданий максимально приближает обучение к практическим интересам с учетом имеющейся информации и является результативным методом закрепления знаний.
МЕТОДИЧЕСКИЕ РЕКОМЕНДАЦИИ ПО ОРГАНИЗАЦИИ САМОСТОЯТЕЛЬНОЙ РАБОТЫ ПРИ СОСТАВЛЕНИИ ОТЧЕТА ПО ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫМ ИССЛЕДОВАНИЯМ
№ п/п |
Тема |
|
Номер источника |
|
|
|
|
|
|
1 |
Ионизирующие излучения ядерных установок |
1 |
осн. (С. 15-17), |
|
интернет-источники |
||||
|
|
|||
2 |
Дозиметрия ионизирующего излучения |
1 |
осн. (С. 21-26), |
|
интернет-источники |
||||
|
|
|||
|
|
1 |
осн. (С. 29-44), |
|
3 |
Эффекты смещения. Усиление дозы |
1 |
осн. (С. 52-54), |
|
|
|
интернет-источники |
||
|
Ядерные реакции, сопровождающие воздей- |
1 |
осн. (С. 54-56), |
|
4 |
2 |
доп. (С. 210-213), |
||
ствие ионизирующих излучений |
||||
|
интернет-источники |
|||
|
|
|||
5 |
Модель процесса генерации радиационно- |
1 |
осн. (С. 106-109), |
|
индуцированного заряда |
интернет-источники |
|||
|
||||
6 |
Латентное накопление поверхностных со- |
1 |
осн. (С. 132-134), |
|
стояний |
интернет-источники |
|||
|
||||
|
|
1 |
осн. (С. 145-148), |
|
7 |
Граничные ловушки |
1 |
доп. (С. 35-37), |
|
|
|
интернет-источники |
||
8 |
Модифицированные схемотехнические моде- |
1 |
доп. (С. 64, 65,78,89-92), |
|
ли элементов интегральных схем |
интернет-источники |
|||
|
||||
|
Вторичные переходные радиационные эф- |
1 |
доп. (С. 79-82), |
|
9 |
фекты: вторичный фототок, тиристорный эф- |
|||
интернет-источники |
||||
|
фект |
|||
|
|
|
Подготовка рефератов направлена на развитие и закрепление у студентов навыков самостоятельного глубокого, творческого и всестороннего анализа научной, методической и другой литературы по актуальным проблемам дисциплины; на выработку навыков и умений грамотно и убедительно излагать материал, четко формулировать теоретические обобщения, выводы и практические рекомендации.
Рефераты должны отвечать высоким квалификационным требованиям в отношении научности содержания и оформления.
16
Темы рефератов, как правило, посвящены рассмотрению одной проблемы. Объем реферата может быть от 5 до 15 страниц машинописного текста (список литературы и приложения в объем не входят).
Текстовая часть работы состоит из введения, основной части и заключения.
Во введении студент кратко обосновывает актуальность избранной темы реферата, раскрывает конкретные цели и задачи, которые он собирается решить в ходе своего небольшого исследования.
Восновной части подробно раскрывается содержание вопроса (вопросов) темы.
Взаключении кратко должны быть сформулированы полученные результаты исследования и даны выводы. Кроме того, заключение может включать предложения автора, в том числе и по дальнейшему изучению заинтересовавшей его проблемы.
Всписок литературы студент включает только те документы, которые он использовал при написании реферата.
Вприложении (приложениях) к реферату могут выноситься таблицы, графики, схемы и другие вспомогательные материалы, на которые имеются ссылки в тексте реферата.
МЕТОДИЧЕСКИЕ РЕКОМЕНДАЦИИ ПО ПОДГОТОВКЕ
КЗАЧЕТУ
Впериод подготовки к зачету студенты вновь обращаются к пройденному учебному материалу. При этом они не только закрепляют полученные знания, но и получают новые.
Литература для подготовки к зачету рекомендуется преподавателем либо указана в учебно-методическом комплексе. Для полноты учебной информации и ее сравнения лучше использовать не менее двух учебников. Студент вправе сам придерживаться любой из представленных в учебниках точек зрения по спорной проблеме (в том числе отличной от преподавательской), но при условии достаточной научной аргументации.
Основным источником подготовки к зачету является конспект лекций, где учебный материал дается в систематизированном виде, основные положения его детализируются, подкрепляются современными фактами и информацией, которые в силу новизны не вошли в опубликованные печатные источники. В ходе подготовки к зачету студентам необходимо обращать внимание не только на уровень запоминания, но и на степень понимания излагаемых проблем.
17
МЕТОДИЧЕСКИЕ РЕКОМЕНДАЦИИ ПО ИЗУЧЕНИЮ РЕКОМЕНДОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
Изучение дисциплины следует начинать с проработки данных методических указаний по самостоятельной работе, особое внимание уделяя целям и задачам, структуре и содержанию курса.
Студентам рекомендуется получить в библиотеке ВГЛТУ учебную литературу по дисциплине, необходимую для эффективной работы на всех видах аудиторных занятий, а также для самостоятельной работы по изучению дисциплины.
Успешное освоение курса предполагает активное, творческое участие студента путем планомерной, повседневной работы.
18
Библиографический список Основная литература
1. Таперо К.И. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения / К.И. Таперо, В.Н. Улимов, А.М. Членов. - : БИНОМ. Лаборатория знаний, 2012. – 304 с.: ил.
Дополнительная литература
1.Панюшкин Н.Н. Физика полупроводников и полупроводниковые приборы: Учебное пособие / Н.Н. Панюшкин. – Воронеж : ВГЛТУ им. Г.Ф. Морозова, 2016. - 131 с. – Режим доступа http: // Znanium.com/Catalog/product/858616.
2.Радиационные эффекты в кремниевых структурах [Текст] : мет. указания для практических занятий. Индивидуальные задания / Н. Н. Панюшкин ВГЛТА. - Воронеж, 2018. - 80 с. - Электронная версия в ЭБС ВГЛТУ (подготовка к печати).
3.Радиационные эффекты в кремниевых структурах [Электронный ресурс] : методические указания для самостоятельной работы студентов по специальности 09.05.01 / Н. Н. Панюшкин [и др.] ; ВГЛТУ. - Воронеж, 2018. - 34 с. – ЭБС ВГЛТУ (подготовка к печати).
6.2.Перечень ресурсов информационно-телекоммуникационной сети «Интернет»
Для освоения дисциплины необходимы следующие ресурсы информационно телекоммуникационной сети «Интернет»:
1.Основная литература – электронная библиотечная система (ЭБС) «Лань»: http://e.lanbook.com/
2.Дополнительная литература – ЭБС Znanium: http://znanium.com/
3.Электронный ресурс библиотеки ФГБОУ ВО «ВГЛТУ»: http://new.vgltu.ru/BiblSite/index.htm
4.Единое окно доступа к образовательным ресурсам: http://window.edu.ru/catalog/resources/uchebnik-fizika-dlya-vuzov
5.Свободная энциклопедия: https://ru.wikipedia.org/
6.Словари, определения: http://dic.academic.ru/
7.Радиационные эффекты в квантово-размерных полупроводниковых структурах:
http://science.misis.ru/ru/views/896/13963/
8.Радиационные эффекты в интегральных микросхемах: http:window.edu.ru/resource/865/55865/files/rad_effect_ins.pdf
9.Радиационные эффекты:
http:cosmic – rays. ru/books11/20171104.pdf
10.Радиационные эффекты в полупроводниках: http://sun.ts.ru/mminfo/000063105/285/imag/285-095.pdf
19
Учебное издание
Панюшкин Николай Николаевич. Камалова Нина Сергеевна Евсикова Наталья Юрьевна Матвеев Николай Николаевич
Радиационные эффекты в полупроводниковых структурах
Методические указания для самостоятельной работы студентов по всем специальностям