элтех вся хуйня / Новая папка / lab_TTL11 (Восстановлен)
.docx
Министерство образования Российской Федерации
НИУ ВШЭ Московский государственный институт электроники и математики
Кафедра электроники и электротехники
Лабораторная работа.
«Изучение статических и динамических
характеристик транзисторно-транзиторных логических интегральных схем(ТТЛ). »
Выполнила :
Шумшурова Н.
Проверил:
Козынко П.А.
Москва 2013
1. ЦЕЛИ РАБОТЫ:
Целями лабораторной работы являются:
- Изучение особенностей режимов работы и параметров интегральных ТТЛ-схем;
- Исследование передаточных характеристик ТТЛ-схем;
- Исследование переходных характеристик схем, характеризующих быстродействие схемы;
- Приобретение навыков работы с интегральными схемами;
- Приобретение навыков расчета схем с помощью программы схемотехнического анализа РSPICE.
РАБОЧЕЕ ЗАДАНИЕ.
-
Исследование передаточной характеристики Uвых=f(Uвх) производится по схеме, изображенной на рис. 4.
Измеряются величины входного напряжения на входе микросхемы и на выходе схемы.
|
Uвх, В |
0,0009 |
5,41 |
4,43 |
3,5 |
2,34 |
1,85 |
1,66 |
|
Uвых, В |
4,082 |
0,04 |
0,04 |
0,04 |
0,04 |
0,038 |
0,038 |
|
Uвх, В |
1,55 |
1,41 |
1,35 |
1,25 |
1,03 |
0,81 |
0,6 |
|
Uвых, В |
0,038 |
0,038 |
0,6 |
0,88 |
3,62 |
3,9 |
4,1 |
|
Uвх, В |
0,39 |
0,2 |
0,1134 |
|
|||
|
Uвых, В |
4,082 |
4,081 |
4,083 |
||||
2. Исследование входной характеристики
схеме, изображенной на рис.5.
Изменяется величина тока и напряжения на одном из выходов микросхемы. Второй вход микросхемы подключен к источнику напряжения, формирующему потенциал U1=2,4 В. К выходку исследуемой микросхемы подключается микросхема нагрузки. Входная характеристика снимается для каждого входа микросхемы отдельно и результаты измерения заносятся в таблицу 2.
|
Uвх, В |
5,93 |
5,46 |
4,45 |
3,5 |
2,34 |
1,85 |
1,66 |
|
Iвх, mА |
0,0149 |
0,0126 |
0,012 |
0,011 |
0,0106 |
0,0099 |
-0,0012 |
|
Uвх, В |
1,51 |
1,42 |
1,31 |
1,24 |
1,01 |
0,8 |
0,6 |
|
Iвх, mА |
-0,255 |
-0,489 |
-0,591 |
-0,65 |
-0,72 |
-0,84 |
-0,87 |
|
Uвх, В |
0,4 |
0,2 |
0,1145 |
0,001 |
|
||
|
Iвх, mА |
-0,95 |
-0,97 |
-0,986 |
-1,012 |
|||
По данным таблицы 2 построить зависимость
3. Измерение статистической потребляемой мощности от источника питания производится по схеме, изображенной на рис.6.
.
Для измерения потребляемой мощности микросхемой миллиамперметр включается последовательно между источником питания и разъемом, на который подается напряжение питания. Измеряется величины тока питания и напряжения питания при изменении напряжение на входе от U0 до U1.
Результаты измерений заносятся в таблицу 3.
По данным табл. 3 построить зависимость Uпит=5 В
|
Uвх, В |
5,90 |
4,43 |
2,89 |
1,55 |
1,46 |
1,44 |
1,4 |
|
Iпит, mA |
13,8 |
13,7 |
13,6 |
13,5 |
13,5 |
18 |
23 |
|
Pпот, mВТ |
68,5 |
68,5 |
68,5 |
68,5 |
68,5 |
85 |
115 |
|
Uвх, В |
1,39 |
1,31 |
1,26 |
1,21 |
1,06 |
0,85 |
0,58 |
|
Iпит, mA |
21 |
15,1 |
12,4 |
11,8 |
11,06 |
11,07 |
11,12 |
|
Pпот, mВТ |
105 |
75 |
62 |
58 |
55,3 |
55,3 |
55,6 |
|
Uвх, В |
0,23 |
0 |
|
|
|
|
|
|
Iпит, mA |
11,19 |
11,23 |
|
|
|
|
|
|
Pпот, mВТ |
55,9 |
56,2 |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
LTSpice
A1 0 N001 0 N002 0 N003 0 0 AND
V1 N001 0
R1 0 N003 1
R2 N002 N001 1
.DC V1 0 5 0.1
.backanno
.end
