
1824
.pdf

изолированным затвором между каналом и затвором внесен изолирующий слой. У транзисторов с изолированным затвором, которые называют транзисторами МДП-типа (металл-диэлектрик-полупроводник), ток затвора уменьшен до величины IЗ=10–13–10–16 А.
Контрольные вопросы по электронике
1.Какой материал называется полупроводником n-типа? 1) тот, в котором основные носители зарядов – электроны; 2) тот, в котором основные носители зарядов – дырки; 3) тот, в котором присутствуют электронно-дырочные пары.
2.Какой материал называется полупроводником р-типа?
1)тот, в котором основные носители зарядов – электроны;
2)тот, в котором присутствуют электронно-дырочные пары;
3)тот, в котором основные носители зарядов – дырки.
3. Что называется p-n переходом?
1)контакт двух одинаковых полупроводников с дырочной проводимостью;
2)контакт двух полупроводников с разными типами проводимостей;
3)контакт двух одинаковых полупроводников с электронной проводимостью.
4.Назовите наиболее важное свойство p-n перехода, которое позволило широко использовать полупроводники.
1) его электрическое сопротивление минимально;
2) его электрическое сопротивление максимально; 3) его электрическое сопротивление не зависит от параметров цепи;
4) его электрическое сопротивление зависит от полярности напряжения, приложенного к электродам в области p-n перехода.
5.Что представляет собой прямой ток в p-n переходе?
1)ток, обусловленный движением только электронов;
2)ток, обусловленный движением основных носителей зарядов;
3)ток, обусловленный движением неосновных носителей зарядов.
6. Что представляет собой обратный ток в p-n переходе?
1)ток, обусловленный движением дырок;
2)ток, обусловленный движением основных носителей зарядов;

3)ток, обусловленный движением неосновных носителей зарядов.
7.Что представляет собой полупроводниковый диод?
1)полупроводник с одним p-n переходом, который хорошо проводит ток только в одном направлении;
2)полупроводник с одним p-n переходом, который хорошо проводит ток во всех направлениях;
3)полупроводник с одним p-n переходом, который ограничивает электрический ток.
8. Что такое электрический пробой p-n перехода?
1)механическое разрушение p-n перехода;
2)необратимое разрушение p-n перехода при его перегреве;
3)резкое (лавинное) увеличение обратного тока при неизменном обратном напряжении;
4)резкое (лавинное) увеличение прямого тока при неизменном прямом напряжении.
9. Как условно на электрической схеме обозначается диод?
1) 2) 3) 4)
10. Как условно на электрической схеме обозначается управляемый тиристор?
1) |
2) |
3) |
4) |
11. Что представляет собой полупроводниковый тиристор?
1)полупроводниковый прибор с двумя p-n переходами, позволяющий усиливать электрический сигнал;
2)полупроводниковый прибор с одним p-n переходом, который хорошо проводит ток в прямом направлении;


15. Какова форма тока, протекающего через сопротивление нагрузки?
1) iн
U
2) |
t |
iн |
|
Rн |
|
3) |
t |
iн |
t
16.Существует ли связь между входными и выходными характеристиками транзисторов и вольт-амперной характеристикой диода?
1) не существует;
2) существует. Входная характеристика транзистора подобна прямой ветви вольт-амперной характеристики диода;
3) существует. Выходная характеристика транзистора подобна прямой ветви вольт-амперной характеристики диода.
17.В чем отличие управляемых выпрямителей от неуправляемых?
1)управляемые выпрямители совмещают выпрямление переменного напряжения с управлением его величиной;
2)управляемые выпрямители совмещают выпрямление переменного напряжения с усилением;
3)управляемые выпрямители совмещают выпрямление переменного напряжения с отключением цепи при резком его увеличении.
18. Запирается ли тиристор после снятия управляющего импульса?
1) да; 2) нет, если сохраняется полярность напряжения, приложенного между
анодом и катодом; 3) это зависит от длительности управляющего импульса.
19. Какой выпрямитель изображен на схеме?

U |
1) |
двухполупериодный |
мостовой |
||
|
|||||
|
неуправляемый; |
|
|
|
|
|
2) |
однофазный управляемый |
|||
|
выпрямитель с |
нулевым |
выводом |
||
|
трансформатора; |
|
|
|
|
|
3) |
|
двухполупериодный |
||
|
неуправляемый |
выпрямитель |
с |
||
|
нулевым выводом трансформатора. |
|
|||
ФИУ |
|
|
|
|
|
20. Каким отрезком на графике вольт-амперной характеристики тиристора определяется величина напряжения прямого пробоя?
I |
1) |
бв; |
г |
2) |
гв; |
|
3) |
аг; |
|
4) |
аб. |
в
б
U
а
21. В каких соотношениях находятся величины токов цепи управления на приведенных графиках вольт-амперных характеристик управляемого тиристора?
I
1) Iу1>Iу2>Iу3; 2) Iу1=Iу2=Iу3; 3) Iу1<Iу2<Iу3.
Iу3 Iу2 Iу1
U



1)1 – транзистор типа n-p-n, 3 – транзистор типа p-n-р;
2)1 – транзистор типа p-n-р, 2 – транзистор типа n-p-n;
3)3 – транзистор типа n-p-n, 1 – транзистор типа p-n-р;
4)4 – транзистор типа n-p-n, 2 – транзистор типа p-n-р.
33. По какой схеме включен транзистор?
1) с ОБ;
2) с ОК;
3) с ОЭ.
34.Какое напряжение должно быть в цепи «коллектор–эмиттер» (Uкэ) и
вцепи «база–эмиттер» (Uбэ) при работе транзистора в усилительной схеме?
1)Uкэ – прямое, Uбэ – обратное;
2)Uкэ – обратное, Uбэ – прямое;
3)не имеет значения.
35. Какое соотношение между токами базы на приведенных графиках коллекторных статических характеристик транзистора?
Iк |
Iб4 |
|
1) Iб1>Iб2>Iб3>Iб4; |
||
|
Iб3
2) Iб1=Iб2=Iб3=Iб4;
3) Iб1<Iб2<Iб3<Iб4.
Iб2
Iб1
Uкэ
36. Для чего в цепи «коллектор–эмиттер» транзисторного усилительного каскада служит сопротивление Rк?
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
+Екэ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Rк |
|
|
|
|
|
1) |
для |
получения |
нагрузочного |
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
Rб |
|
|
|
|
С2 |
|
режима; |
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2) |
для |
увеличения выходного |
||
|
С1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
сопротивления |
усилительного |
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
каскада; |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
uвх |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
3) для увеличения сопротивления |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
в цепи «коллектор–эмиттер».
37. Чем характеризуется состояние отсечки при работе транзистора в ключевом режиме?