
1824
.pdf
|
|
графическое изображение на схеме |
|
|
|
|
|
|
|
При достижении |
|
напряжением |
|||
I |
определенного |
|
|
значения, |
|||
называемого |
напряжением |
пробоя |
|||||
|
в |
Uпп, в переходе П2 |
напряженность |
||||
|
|
электрического |
поля |
становится |
|||
|
|
достаточной |
|
для |
ионизации и |
||
|
|
|
|||||
|
|
образования |
|
новых |
свободных |
||
|
|
|
|||||
|
б |
носителей |
зарядов, |
|
при |
этом |
|
|
сопротивление |
перехода П2 |
резко |
||||
|
|
ауменьшается и тиристор открывается
о |
|
|
U |
(рис. 122). |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
||
Uпп |
|
|
Ввиду |
|
незначительного |
||
|
|
|
|
||||
|
|
|
внутреннего |
|
сопротивления |
||
|
|
|
|
открытого |
тиристора |
падение |
|
|
Рис. 122. Вольт-амперная |
|
|||||
|
|
напряжения |
на |
нем (участок бв |
|||
|
характеристика |
|
вольт-амперной |
характеристики) |
|||
|
диодного тиристора |
|
составляет всего 1–2 В. Ток, |
||||
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
протекающий |
|
через |
тиристор, |
В отличие от диодного триодный тиристор имеет три электрода: А – анод, К – катод и У – управляющий электрод (рис. 123).
|
|
|
|
|
|
ε1 |
|
|
ε2 |
|
|
|
|
|
|
|
ε3 |
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
– |
|
+ |
|
+ |
|
– |
|
|
|
|
|
– |
|
+ |
|
|
|
|
|
|
|
А |
|
|
|
|
– |
|
+ |
|
+ |
|
– |
|
|
|
|
|
– |
|
+ |
|
|
|
К |
||
+ |
|
|
|
|
– |
|
+ |
|
+ |
|
– |
|
|
|
|
|
– |
|
+ |
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
– |
|
+ |
|
+ |
|
– |
|
|
|
|
|
– |
|
+ |
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
р1 |
|
– |
+ |
n1 |
+ |
– |
|
|
р2 |
|
– |
+ |
n2 |
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
– |
|
+ |
|
+ |
|
– |
|
|
|
|
|
– |
|
+ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
U |
П1 |
|
|
П2 |
|
|
|
|
|
|
П3 |
|
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
Iупр |
У |
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Uупр |
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
– |
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
+ |
|
|
|
|
Rн
–
Рис. 123. Структура триодного тиристора


ставляет 1–2% от тока основной цепи. Тиристор закрывается, когда напряжение между анодом и катодом становится равным нулю или изменяется его полярность на
противоположную.
Таким образом, тиристор имеет два устойчивых состояния: закрытое, при котором его сопротивление очень велико, и открытое, при котором его сопротивление практически равно нулю. Благодаря этому свойству тиристоры применяются для бесконтактной коммутации цепей и в схемах управляемых выпрямителей.
7.4. Управляемые выпрямители
Управляемый выпрямитель – это выпрямитель, на выходе которого величина напряжения может изменяться по заданному закону. В таких выпрямителях вместо диодов применяются триодные тиристоры, позволяющие изменять момент их перехода в открытое состояние. Переход тиристора из закрытого состояния в открытое происходит под действием управляющего импульса.
Простейшим тиристорным выпрямителем является однополупериодный (рис. 126). В основную цепь тиристора между анодом и катодом подается переменное напряжение, амплитуда которого меньше напряжения включения тиристора. Поэтому при отсутствии управляющего импульса тиристор закрыт.
|
|
u2, i |
u2 |
|
|
|
i |
|
Im1 |
|
i |
~u2 |
Im2 |
ωt |
|
Iупр |
|
|
|
Rн |
uн |
Iупр |
|
i |
|
|
ωt |
|
|
α1 |
|
|
|
|
|
|
|
α2 |
|
Рис. 126. Электрическая схема и временные диаграммы однополупериодного тиристорного выпрямителя

При наличии прямого напряжения между анодом и катодом и при подаче импульса в цепь управления тиристор открывается и будет открыт до тех пор, пока напряжение u2 не станет равным нулю (см. рис. 126). Угол α (α1, α2) называется углом отпирания тиристора. При изменении угла отпирания изменяется амплитудное значение тока Im, протекающего через тиристор и сопротивление нагрузки, а следовательно, изменяются среднее значение выпрямленного тока, т.е. постоянная составляющая тока нагрузки, и напряжение на нагрузке.
Нетрудно заметить, что средняя величина выпрямленного напряжения будет тем больше, чем меньше угол α отпирания тиристора. Если пренебречь падением напряжения на тиристоре, то зависимость среднего напряжения на нагрузке от угла отпирания определяется по выражению
U0 |
2U2 |
(1 cos ). |
(255) |
|
|||
|
2π |
|
Таким образом, изменяя угол α от π до нуля, можно регулировать напряжение на нагрузке от нуля до максимальной величины, составляющей 0,45U2, где U2 – действующее значение переменного напряжения.
7.5. Регулятор переменного тока
Регулятор содержит два триодных тиристора Д1 и Д2, включенных встречно-параллельно (рис. 127).
u2, i |
u2 |
|
i |
Im1 Im2 |
i |
ωt |
|
~u2 |
|
|
Iупр1 |
|
|
|
|
|
Iупр1 |
Д1 |
Rн |
|
|
Д2 |
uн |
ωt |
||
Iупр2 |
|
|
|
α1 |
|
|
|
|
α2 |
i |
Iупр2 |
|
ωt |
π+α1
π+α2

Рис. 127. Регулятор переменного тока на двух тиристорах и его временная диаграмма
В момент времени, соответствующий фазовому сдвигу α1=ωt, управляющий импульс Iупр1 поступает на тиристор Д1, анод которого имеет положительный потенциал относительно катода. Тиристор Д1 открывается,
в результате чего в течение времени 1 через сопротивление нагрузки
Rн протекает ток. В следующую половину периода управляющий импульс Iупр2 поступает на тиристор Д2, который пропускает ток через сопротивление нагрузки Rн с момента времени π+α1 до момента 2π (т.е. в
течение времени 2 1 1 , как и тиристор Д1).
Таким образом, ток и, следовательно, напряжение на сопротивлении нагрузки Rн являются переменными и имеют форму усеченных полуволн синусоиды. Действующее значение этого напряжения зависит от угла отпирания
Uн |
1 |
|
|
sin2 |
. |
(256) |
|
|
|||||
|
|
|
2 |
|
Обычно в регуляторах переменного тока используют специальные симметричные тиристоры, называемые симисторами. Симистор представляет собой два встречно-параллельно включенных тиристора с общим выводом управляющих электродов, выполненных в одном монокристалле кремния. Регулятор на симисторе (рис. 128) обладает такими же свойствами, что и регулятор на двух тиристорах.
|
|
|
u2, i |
u2 |
|
|
|
|
i |
~u2 |
|
|
Im1 Im2 |
i |
|
|
ωt |
||
Д |
|
|
|
|
Iупр |
Rн |
uн |
Iупр |
|
|
|
|
|
|
i |
|
|
α1 |
ωt |
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
α2 |
|
|
|
|
|
π+α1 |

Рис. 128. Регулятор переменного тока на симисторе и его временная диаграмма
Для управления симистором используются импульсы различной полярности.
7.6. Биполярные транзисторы
Работа биполярных транзисторов основана на явлениях взаимодействия двух близко расположенных p-n переходов. Различают плоскостные и точечные биполярные транзисторы.
Плоскостной биполярный транзистор представляет собой трехслойную структуру типа p-n-p или типа n-p-n (рис. 129).
Транзистор называется биполярным потому, что физические процессы в нем связаны с движением носителей заряда обоих знаков (свободных дырок и электронов).
Эмиттер |
База |
Коллектор |
|
р-тип |
|||
n-тип |
n-тип |
||
εкб |
|
– |
– |
– |
– |
+ |
|
– |
– |
– |
|
|
Iэ |
– – – – |
+ |
|
– – – |
Iк |
||||||
Э |
– |
– |
– |
– |
+ |
|
– |
– |
– |
К |
|
|
– |
– |
– |
– |
+ |
|
– |
– |
– |
|
|
|
– |
– |
– |
– |
+ |
|
– |
– |
– |
|
|
|
– |
– |
– |
– |
+ |
|
– |
– |
– |
|
|
Еэ=Uэб |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Б |
|
|
|
|
|
Uкб=Ек |
|
|
|
|
|
|
|
|
Iб |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
К К
Б Б
Э Э

Рис. 129. Структура транзистора n-p-n и условное графическое изображение транзисторов
типа n-p-n и p-n-р на схеме
Средний слой транзистора называется базой Б, один крайний слой – коллектором К, а другой крайний слой – эмиттером Э. Каждый слой представляет собой электрод и имеет вывод. Посредством выводов транзистор включается в схему. В схемах транзисторных усилителей полярность напряжения Ек должна быть такой, чтобы коллекторный p-n переход был закрыт для основных носителей заряда (см. рис. 129). Таким образом, напряжение Ек является обратным для коллекторного p-n перехода.
Полярность напряжения Еэ должна быть такой, чтобы эмиттерный p-n переход был открыт. Свободные электроны диффундируют из эмиттера в базу, создавая ток эмиттера Iэ. Если между коллектором и базой включен источник питания Ек, то большая часть электронов, поступивших из эмиттера в базу, втягивается сильным электрическим полем с напряженностью εкб коллекторного p-n перехода, создавая ток цепи коллектора Iк. Незначительная часть свободных электронов, поступивших из эмиттера в базу, образует ток базы Iб. Таким образом,
Iэ=Iк+Iб. (256)
Врассмотренном случае база является общим электродом для входной
ивыходной цепей. Такая схема включения биполярного транзистора называется схемой с общей базой (ОБ).
Однако чаще транзисторные каскады строятся по схемам с общим коллектором (ОК) и с общим эмиттером (ОЭ).
Наибольшее распространение на практике получила схема с общим эмиттером (рис. 130).
|
Iк |
|
Iк |
|
+ |
|
– |
+ |
Iб |
– |
Iб |
Uкэ |
Uкэ |
||
Uбэ |
Iэ |
Uбэ |
Iэ |
|
|
||
– |
– |
+ |
+ |

|
а) |
б) |
Рис. 130. Включение по схеме с общим эмиттером транзисторов: |
||
|
|
а – типа n-p-n; б – типа p-n-p |
Работу биполярного транзистора, включенного по такой схеме, |
||
определяют |
выходными |
статическими характеристиками Iк=f(Uкэ) при |
Iб=const и |
входными |
статическими характеристиками Iб=f(Uбэ) при |
Uкб=const (рис. 131).
Биполярные транзисторы характеризуются h-параметрами. Эти параметры можно рассчитать по заданным статическим характеристикам.
Каждый h-параметр имеет свой физический смысл. |
|
|||||||||||
|
Сопротивление со стороны входа транзистора |
|
||||||||||
|
|
h |
dUбэ |
|
|
при Uкэ=const. |
(257) |
|||||
|
|
dIб |
||||||||||
|
|
11 |
|
|
|
|||||||
|
Коэффициент передачи по напряжению |
|
||||||||||
|
|
h |
|
|
dUбэ |
при Iб=const. |
(258) |
|||||
|
|
|
dUкэ |
|||||||||
|
|
12 |
|
|
|
|
|
|
||||
|
Коэффициент усиления по току |
|
|
|||||||||
|
|
h |
|
dIк |
при Uкэ=const. |
(259) |
||||||
|
|
|
||||||||||
|
|
21 |
|
|
|
|
dIб |
|
|
|||
|
Проводимость со стороны выхода транзистора |
|
||||||||||
|
|
h |
|
dIк |
|
при Iб=const. |
(260) |
|||||
|
|
|
||||||||||
|
|
22 |
|
|
|
|
dUкэ |
|
|
|||
|
Численные значения h-параметров обычно составляют: h11=103÷104 Ом; |
|||||||||||
h12=2∙10-4÷2∙10-3; h21=20÷200; h22=10-5÷10-6 См. |
|
|||||||||||
Iб |
Uкэ1 |
Uкэ2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
Iк |
Iб4 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Iб3
Iб2
Iб1
Uбэ |
Uкэ |

а) б) Рис. 131. Входные (а) и выходные (б) статические характеристики биполярного транзистора
(Uкэ2>Uкэ1; Iб4>Iб3>Iб2>Iб1)
Основное преимущество биполярных транзисторов состоит в высоком быстродействии при достаточно больших токах коллектора.
Недостатком биполярных транзисторов является относительно небольшое входное сопротивление при включении по схеме с ОЭ.
Взависимости от предельно допустимой мощности рассеяния на коллекторе различают транзисторы малой, средней и большой мощности.
Взависимости от предельно допустимой частоты тока и напряжения различают низкочастотные, среднечастотные и высокочастотные транзисторы.
7.7. Нагрузочный режим работы биполярного транзистора
При работе транзисторов в усилителях используется нагрузочный (динамический) режим работы транзистора. Усилителями называются устройства, в которых с помощью малых изменений величины на их входе происходит управление значительно большими изменениями той же либо другой величины на их выходе. В усилителях управляющей величиной (входным сигналом) являются напряжение, ток или мощность, которые
необходимо |
усилить, |
а |
управляемой величиной (выходным сигналом) |
||||||||||||||||||||||||
являются |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
напряжение, |
|
ток |
|
или |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
+Ек |
||
мощность, |
получаемые |
от |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Rк |
|
|
|
IкRк |
|||||||||||||
независимого |
источника |
|
|
|
|
|
R2 |
|
|
|
|
|
|||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||
питания Ек (рис. 132). |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Ср2 |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
T |
|
|
|
|
|||||||||||||||
Чтобы |
|
на |
|
выходе |
|
|
|
iвх |
Ср1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||
усилительного |
|
каскада |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
получить выходной |
сигнал |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
uвых |
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
uвых, |
изменяющийся |
в |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
uвх |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Uкэ |
||||||||||||||
зависимости |
|
от |
входного |
|
R1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
сигнала uвх, в коллекторную |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
цепь |
транзистора |
|
T |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
включается |
|
нагрузочное |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
сопротивление Rк. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
Уравнение |
нагрузочного |
|
|
|
|
Рис. 132. Усилительный каскад |
|||||||||||||||||||||
режима для цепи коллектора |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
на транзисторе |
|||||||||||||||||
имеет вид |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
При |
Uкэ=Ек–IкRк. |
|
(261) |
|
|
|
Iк |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
изменении |
входного |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Iб4 |
|||||||||
сигнала uвх |
изменяется ток |
|
|
Ек |
2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
I |
к |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
базы, |
что |
|
приводит |
к |
Rк |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Iб3 |
|||||
изменению |
|
тока |
|
цепи |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
коллектора Iк, |
следовательно, |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|

статических выходных характеристик транзистора (рис. 133). Нагрузочная характеристика является прямой, не проходящей через
начало координат. Для ее построения по уравнению нагрузочной характеристики (Uкэ=Ек–IкRк) определяются координаты двух точек, характеризующих два крайних режима работы транзистора (см. рис. 133):
1) Iк=0, Uкэ=Ек; 2) Uкэ=0, Iк Ек .
Rк
Точки пересечения нагрузочной характеристики со статическими являются рабочими точками в усилительном каскаде при соответствующих токах базы.
Графоаналитический метод с использованием нагрузочной характеристики, построенной на семействе статических характеристик, широко применяется при анализе работы усилительных схем.
Ключевой режим работы транзистора от усилительного отличается тем, что транзистор может находиться только в двух состояниях: в состоянии отсечки, которому соответствует точка 1 на нагрузочной характеристике, и в состоянии насыщения, которому соответствует точка 2 (см. рис. 133). Особенность этого режима состоит в том, что на коллекторе транзистора рассеивается очень маленькая мощность, и поэтому, в отличие от усилительного режима, отпадает необходимость использования радиатора даже для мощных транзисторов. Мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора, можно определить по формуле
Р I2R , |
(262) |
к к к |
|