
- •Предисловие
- •1. Простейшие компоненты
- •1.1. Резисторы
- •1.2. Варисторы и негисторы
- •1.3. Терморезисторы
- •1.4. Конденсаторы
- •1.5. Ионисторы
- •1.6. Моточные компоненты
- •1.6.1. Катушки индуктивности и дроссели
- •1.6.2. Трансформаторы и пьезотрансформаторы
- •2. Полупроводники и переходы
- •2.1. Общие сведения об электропроводности веществ
- •2.1.1. Диэлектрики, проводники, сверхпроводники и полупроводники
- •2.1.2. Носители заряда. Проводимости полупроводников: собственная и примесная
- •2.1.3. Диапазоны энергий и распределение носителей заряда в них
- •2.2. Электронно-дырочный переход
- •2.2.1. Получение электронно-дырочного перехода
- •2.2.4. Пробои электронно-дырочных переходов
- •2.3. Переход и диод Шоттки: получение и включения в прямом и обратном направлении
- •2.4. Гетеропереходы
- •2.5. Эффекты полупроводников
- •2.5.1. Эффект Ганна
- •2.5.2. Эффект поля
- •2.5.3. Эффект Суля
- •2.5.4. Эффекты Пельтье и Зеебека
- •2.5.5. Туннельный эффект
- •2.5.6. Эффект Холла
- •3. Полупроводниковые диоды
- •3.1. Конструкция и основные параметры полупроводниковых диодов
- •3.1.1. Общие сведения о полупроводниковых диодах
- •3.1.2. Конструкции и простейшие способы изготовления полупроводниковых диодов
- •3.1.3. Некоторые основные параметры полупроводниковых диодов
- •3.2. Выпрямительные диоды
- •3.3. Импульсные диоды
- •3.4. Варикапы
- •3.5. Стабилитроны и стабисторы
- •3.6. Светодиоды
- •3.7. Полупроводниковые лазеры
- •3.8. Фотодиоды
- •4. Биполярные транзисторы
- •4.1. Общие сведения о транзисторах
- •4.2. Конструкция некоторых биполярных транзисторов
- •4.3. Принцип действия биполярных транзисторов
- •4.4. Схемы включения биполярных транзисторов
- •4.4.1. Схема включения транзистора с общим эмиттером
- •4.4.2. Схема включения транзистора с общим коллектором
- •4.4.3. Схема включения транзистора с общей базой
- •4.5. Биполярные фототранзисторы
- •4.6. Влияние частоты на усилительные свойства биполярных транзисторов
- •4.7. Влияние температуры на режимы работы биполярных транзисторов
- •5. Полевые транзисторы
- •5.1. Общие сведения о полевых транзисторах
- •5.2. Полевые транзисторы с управляющим переходом
- •5.2.1. Конструкция полевых транзисторов с управляющим переходом
- •5.2.2. Принцип действия полевых транзисторов с управляющим переходом
- •5.3. Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •5.3.1. Полевые транзисторы со встроенным каналом
- •5.3.2. Полевые транзисторы с индуцированным каналом
- •5.4. Режимы работы полевых транзисторов
- •5.4.1. Динамический режим работы транзистора
- •5.4.2. Ключевой режим работы транзистора
- •6. Биполярные транзисторы с изолированными затворами
- •6.1. Общие сведения о БТИЗ
- •6.2. Конструкция и принцип действия БТИЗ
- •6.3. Основные параметры БТИЗ
- •7. Тиристоры
- •7.1. Общая информация о тиристорах
- •7.2. Динисторы
- •7.3. Тринисторы
- •7.4. Запираемые тиристоры
- •7.5. Симисторы
- •7.6. Фототиристоры
- •7.7. Основные параметры тиристоров
- •8. Вакуумные и ионные компоненты
- •8.1. Общие сведения об электровакуумных приборах
- •8.2. Электровакуумные диоды
- •8.2.2. Основные параметры и анодная характеристика электровакуумных диодов
- •8.3. Триоды
- •8.3.1. Конструкция и принцип действия триодов
- •8.3.2. Основные характеристики и параметры триодов
- •8.4. Тетроды
- •8.4.1. О тетродах и влиянии экранирующих сеток на их параметры
- •8.4.2. Динатронный эффект
- •8.5. Лучевые тетроды
- •8.6. Пентоды
- •8.7. Лампы бегущей волны
- •8.8. Лампы обратной волны
- •8.10. Магнетроны
- •8.11. Мазеры
- •8.12. Тиратроны
- •8.13. Крайтроны и спрайтроны
- •9. Введение в микроэлектронику
- •9.1. Интегральные микросхемы
- •9.3. Гибридные интегральные микросхемы
- •9.4. Полупроводниковые микросхемы
- •10. Устройства отображения информации
- •10.1. Индикаторы
- •10.1.1. Светодиодные индикаторы
- •10.1.2. Жидкокристаллические индикаторы
- •10.2. Общие сведения об электронно-лучевых трубках
- •10.3. Жидкокристаллические дисплеи и панели
- •10.3.1. Общие сведения о жидкокристаллических дисплеях
- •10.3.2. Электролюминесцентная подсветка жидкокристаллических дисплеев
- •10.3.3. Светодиодная подсветка жидкокристаллических дисплеев
- •10.3.4. Время отклика жидкокристаллических дисплеев и влияние температуры на их работу
- •10.4. Плазменные панели
- •10.5. Органические светодиодные дисплеи
- •10.6. Дисплеи на углеродных нанотрубках
- •10.7. Сенсорные экраны и классификация их типов
- •10.8. Голографические системы
- •11. Аналоговые устройства
- •11.1. Усилители сигналов и их классификация
- •11.2. Основные параметры и характеристики усилителей
- •11.2.1. Основные параметры усилителей
- •11.2.2. Важнейшие характеристики усилителей
- •11.3. Работа простейшего усилителя на различных частотах
- •11.4. Выходные усилительные каскады
- •11.4.1. Однотактный трансформаторный каскад
- •11.4.2. Двухтактный трансформаторный каскад
- •11.4.3. Двухтактный бестрансформаторный каскад
- •11.5. Основные сведения о режимах работы усилителей
- •11.5.1. Проходная динамическая характеристика и общие сведения о классах усиления
- •11.5.2. Режим работы класса A
- •11.5.3. Режим работы класса B
- •11.5.4. Режим работы класса AB
- •11.5.5. Режим работы класса C
- •11.5.6. Режим работы класса D
- •11.6. Сведения об обратных связях и о влиянии, которое они оказывают на работу усилителей
- •11.6.1. Основная информация об обратных связях
- •11.6.2. Влияние обратных связей на коэффициенты усиления каскадов
- •11.7. Автогенераторы
- •11.8. Усилители постоянного тока
- •11.8.1. Усилитель постоянного тока с непосредственными связями
- •11.8.2. Дифференциальный усилитель
- •11.8.3. Операционные усилители
- •11.8.4. Обзор некоторых параметров операционных усилителей
- •Список литературы
- •Предметный указатель

178Москатов Е. А. Электронная техника. Начало. http://moskatov.narod.ru
Рис. 11.11. Автогенератор Колпитца В данном случае усилительный каскад нагружен на резонансный
контур, представленный компонентами TV1, C1 и C2. Исток транзистора VT1 подключѐн в точку соединения конденсаторов C1 и C2.
11.8. Усилители постоянного тока
Усилителем постоянного тока (УПТ) называют такое устройство с гальванической связью между каскадами, которое может усиливать не только переменную составляющую сигнала в некотором диапазоне частот, но и, самое главное, его постоянную составляющую. УПТ подразделяют на однокаскадные и многокаскадные системы; на приборы с преобразованием сигнала и обладающие прямым уси-
лением [169, с. 162].

179Москатов Е. А. Электронная техника. Начало. http://moskatov.narod.ru
11.8.1. Усилитель постоянного тока с непосредственными связями
Принципиальная схема простейшего усилителя постоянного тока с непосредственными связями с двумя биполярными n-p-n транзисторами приведена на рис. 11.12.
Рис. 11.12. УПТ с непосредственными связями Важной особенностью УПТ выступает то, что с выхода помимо пе-
ременной составляющей сигнала на вход следующего каскада поступает некоторая постоянная составляющая. Следовательно, для сохранения положения рабочей точки второго каскада сопротивление эмиттерного резистора R6 должно быть выше, чем эмиттерного резистора R4 предыдущего каскада, что инициирует возрастание глубины ООС [39, с. 259]. А сопротивление коллекторного резистора R5 второго каскада должно быть ниже, чем сопротивление резистора R3 предыдущего каскада. Описанные причины выбора номиналов компонентов приводят к тому, что всякий последующий каскад имеет более низкий коэффициент усиления, нежели предыдущий, что является недостатком.

180Москатов Е. А. Электронная техника. Начало. http://moskatov.narod.ru
В усилительных каскадах имеют место различные изменения параметров компонентов, смещения рабочих точек транзисторов ввиду непостоянства питающего напряжения, при перепадах температур и прочем. Всѐ это инициирует нежелательные медленные флюктуации выходных сигналов усилительных каскадов. Из-за гальванической связи между каскадами на входе следующего каскада происходит появление изменений, которые были вызваны предыдущим каскадом. Флюктуации сигнала на выходе усилителя постоянного тока, которые не связаны с входным сигналом и обусловлены сугубо внутренними процессами, называют дрейфом нуля. Чем существенней дрейф нуля, тем труднее обеспечить высокую чувствительность усилителя. Количественно напряжение дрейфа нуля относительно входа можно вычислить согласно формуле [39, с. 260; 169, с. 165]:
Uдр.вх = Uдр.вых / K,
где Uдр.вых – наибольшая флюктуация выходного напряжения при отсутствии сигнала на входе в течение заданного времени наблюдения, В;
а K – это коэффициент усиления.
Большой дрейф нуля – это ещѐ один недостаток рассмотренного УПТ с непосредственными связями. Меньшим дрейфом нуля обладают балансные дифференциальные усилительные каскады, что относят к их неоспоримым достоинствам.
11.8.2. Дифференциальный усилитель
Принципиальная схема дифференциального усилителя постоянного тока с двумя МДП-транзисторами изображена на рис. 11.13.

181Москатов Е. А. Электронная техника. Начало. http://moskatov.narod.ru
Рис. 11.13. Дифференциальный каскад УПТ
В данном каскаде транзисторы VT1 и VT2 должны обладать как можно более близкими параметрами и характеристиками. В идеале их усилительные качества должны быть равны. Должны быть по возможности одинаковы номинальные сопротивления коллекторных резисторов R2 и R6, а также сопротивления входных резисторов R1 и R7, задействованных половинок переменного резистора R4. Так как на практике получить полную идентичность плеч невозможно, регулировкой сопротивления резистора R4 добиваются некоторой симметрии плеч каскада УПТ. По резистору R5 течѐт ток, равный сумме токов истоков обоих транзисторов VT1 и VT2. Выходное напряжение падает на нагрузке, роль которой играет резистор R3.
Если на оба входа, то есть между затворами и истоками транзисторов VT1 и VT2, подадим равные отпирающие напряжения, то это приведѐт к идентичному приоткрыванию транзисторов, одинаково-