136Москатов Е. А. Электронная техника. Начало. http://moskatov.narod.ru

связана с определѐнными трудностями. Конденсаторы с ѐмкостью более 20 нФ и катушки индуктивности обычно не выполняют на подложке ГИС, а задействуют как навесные компоненты. В больших ГИС – сокращѐнно БГИС – в качестве внешних деталей применяют бескорпусные полупроводниковые микросхемы [150, с. 18]. Соединение компонентов ГИС с выводами корпуса осуществляют пайкой, микросваркой и т.п.

9.4. Полупроводниковые микросхемы

Подложки полупроводниковых микросхем обычно выполняют из монокристаллического кремния p-типа. Изготовление электроннодырочных переходов полупроводниковых ИМС осуществляют обычно посредством эпитаксиального наращивания или способом диффузионно-планарной технологии. Планарная технология подразумевает создание деталей и электрических соединений в подложке

водной плоскости [145, с. 329]. Эпитаксиальное наращивание заключено в напылении разогретого полупроводника на некоторые участки поверхности подложки. Диффузионная технология состоит

впроникновении разогретых газообразных примесей в отведѐнные для этого участки подложки. В результате возникают многослойные образования, каждый слой которых обладает заданным типом проводимости. Резисторы, конденсаторы и прочие пассивные компоненты полупроводниковых ИМС обладают много большими габаритами, чем активные компоненты, такие как транзисторы. С целью минимизации размеров диоды в полупроводниковых ИМС предпочитают заменять транзисторами в диодном включении.