ИЭ / Лабораторные / 7 лаба / №7 Поляризация и диэлектрические потери
.pdfрезонансного механизма потерь, однако в последнем случае температура не влияет на положение максимума.
Схемы замещения конденсатора. Для расчета электрических цепей (получения количественной информации о процессах, протекающих в тех или иных элементах конструкции) применяют эквивалентные схемы замещения реальных элементов. В зависимости от требуемой точности разработаны и продолжают разрабатываться множество схем замещения одного и того же реального элемента. Конденсатор можно представить в виде схемы замещения, содержащей емкость С и активные сопротивления R или r, эквивалентные теряемой мощности в реальном конденсаторе. Две основные схемы замещения: последовательная и параллельная (рис. 10).
Рис.10. Схемы замещения, эквивалентные конденсатору с диэлектриком с потерями
При последовательной эквивалентной схеме замещения конденсатора
|
tg = |
U r |
|
= |
I r |
|
= rC, |
|||||
|
UC |
|
I |
С |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
а при параллельной |
tg = |
I r |
= |
|
U r |
|
= |
1 |
. |
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
IC |
|
U C |
|
rC |
|
Если температура диэлектрика постоянная и частота задана, то можно использовать как последовательную схему замещения, так и параллельную.
Последовательная и параллельная эквивалентные схемы дают различную зависимость tg от частоты . При последовательной схеме tg увеличивается по мере роста частоты прямо пропорционально . В случае параллельной схемы tg уменьшается с увеличением частоты обратно пропорционально . Поэтому параллельную схему целесообразно использовать, если потери в реальном диэлектрике обусловлены сквозной проводимостью
диэлектрика. Если же энергия рассеивается в подводящих проводах, следует применять последовательную схему замещения.
Методы оценки ' и tg . Для определения диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь электроизоляционных материалов применяют различные методы измерения. Основными из них являются: мостовые, резонансные и волновые. При невысоких частотах (10-2–105 Гц) обычно используют мостовые методы, на высоких (105–108 Гц) – резонансные, в диапазоне СВЧ (109–1010 Гц) – волноводные и резонансные методы.
Описание измерительной установки
В работе используется мостовой метод измерения и двухэлектродная измерительная ячейка.
Подготовка к измерению
Для подготовки прибора к работе необходимо выполнить следующее:
1.Включить измерительный прибор.
2.После самотестирования прибора нажать кнопку «MENU».
3.Далее выбрать пункт «SETTING», а затем «RECALL».
4.Затем нажать цифру «1» и кнопку «ENTER».
5.Выйти из меню настроек кнопкой «EXIT».
6.Кнопкой «Mode» выбрать режим измерения C/D, что означает измерение емкости и тангенса угла диэлектрических потерь.
7.Кнопкой «CIRCUIT» выбрать параллельную эквивалентную схему замещения (PARALL).
8.Для изменения частоты напряжения нажать кнопку «FREQ» и написать значение частоты (в кГц), после чего нажать кнопку «ENTER».
Порядок выполнения работы
Ознакомиться с исследуемыми диэлектриками. Измерить толщину образцов h, диаметр электрода.
Измерить емкость образцов С и tg диэлектрических материалов на постоянной частоте, указанной преподавателем. Данные занести в таблицу 1.
Рассчитать относительную диэлектрическую проницаемость , используя формулу емкости плоского конденсатора
= C h ,
S
где h – толщина диэлектрика; S – площадь электрода.
|
|
|
|
|
|
Таблица №1 |
|
Наименование |
f, Гц |
Результаты измерений |
|
|
|||
материала |
С, Ф |
tg |
h, м |
d, м |
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Построить графики зависимостей ', tg от частоты для исследованных образцов.
Содержание отчета
Отчет должен включать:
1.Цель работы.
2.Принципиальную схему установки.
3.Расчетные формулы, использованные при вычислении относительной
диэлектрической проницаемости .
4.Примеры численных расчетов.
5.Таблицы с экспериментальными и расчетными данными.
6.Графики зависимостей =f(f), tg =f(f).
7.Выводы по работе, содержащие анализ полученных экспериментальных данных по следующей схеме:
-сопоставление полученных значений , tg , для исследуемых материалов различной природы с указанием характерных для них видов поляризации;
-объяснение зависимостей =f(f), tg =f(f).
Контрольные вопросы
1.Что такое поляризация диэлектриков?
2.Что такое поляризованность диэлектрика?
3.Что относится к «быстрым» видам поляризации?
4.Каковы отличительные признаки электронной поляризации?
5.В каких случаях в диэлектрике проявляется дипольно-релаксационная поляризация?
6.Каковы отличительные признаки ионной поляризации?
7.У каких диэлектриков ε может достигать нескольких тысяч?
8.В каких случаях в диэлектрике проявляется миграционная поляризация?
9.Что характеризует тангенс угла диэлектрических потерь?
10.Каков порядок величин ε и tgδ неполярных полимеров?
11.Каков порядок величин ε и tgδ полярных полимеров?
12.В каком случае используется последовательная эквивалентная схема замещения для реального диэлектрика?
13.В каком случае используется параллельная эквивалентная схема замещения для реального диэлектрика?
14.Как зависит параметр ε полярного полимера от температуры?
15.Как зависит параметр ε неполярного полимера от температуры?
16.Как зависит параметр ε полярного полимера от частоты?
17.Как зависит параметр ε неполярного полимера от частоты?
18.Объяснить характер зависимости tgδ от температуры.
19.Объяснить характер зависимости tgδ от частоты.