1.1.3. Расчет мощности модулятора

Мощность модулятора Р_Ω – является исходной величиной для расчёта низкочастотного тракта и зависит от способа модуляции. Расчет проводится после определения параметров транзистора.

При коллекторной модуляции мощность, потребляемая от источника питания:

=

где - постоянная составляющая коллекторного тока в несущем режиме.

- высота импульса коллекторного тока

_{m- из исходных данных.}

Мощность модулятора:

Р_Ω [Вт] = 0,5∙m²∙P_0нес =

Нагрузкой модулятора будет сопротивление:

=

=

2.2. Определим коэффициент усиления по мощности:

где ƒ_max – максимальная частота усиления по мощности биполярного транзистора.

2.1.7.Максимальная частота усиления мощности fmax.

Поскольку при расчете ГВВ транзистор используется в области высоких частот, на параметры транзистора влияет его инерционность, т.е. на энергетические показатели ГВВ: выходная мощность, КПД, коэффициент усиления по мощности уменьшаются. Поэтому при определении f_max необходимо учитывать инерционность транзистора и работу ГВВ в режиме с отсечкой коллекторного тока θ_ВЧ :

в общем случае определяется по формуле:

Далее производится расчет параметров выбранного транзистора

2.3.Параметры биполярного транзистора и усилителя мощности по схеме с общим эмиттером (ум с оэ)

_{Определим параметры транзисторов:}

2.3.1. Входное сопротивление

_{В справочнике имеется}

=2.65 Ом

_КТ927А:

Для данного тр-ра

S_П – крутизна по эмиттерному переходу :

_КТ927А:

I_K1 – ток первой гармоники коллекторного тока

I_Kmax – высота импульса коллекторного тока, выбирается в зависимости от требуемой мощности

t_П – температура перехода [^◦С] (см. справочник, предельные эксплуатационные данные) для выбранного транзистора t_П=200⁰С

2.3.2. Сопротивление эмиттера r_э рассчитывается по формуле:

2.3.3. L – индуктивность выводов, если нет данного параметра в справочнике, то

L ~ (1…1,5) [ ] ∙ ℓ [мм],

где ℓ – длина вывода, определяется из чертежа выбранного транзистора.

_КТ827А:

L_Б =2.1 нГн

L_Э =2.1 нГн