4.5 Переключатель тока

Переключатель тока выполняется обычно на биполярных транзисторах и представляет собой дифференциальный усилительный каскад (рис. 4.5.1-а), работающий в режиме большого сигнала, но без насыщения транзисторов.

В нем, в зависимости от входного напряжения, ток эмиттерной цепи I₀, создаваемый источником Е_П, протекает либо через T1, либо через Т2, т. е. переключается из одного плеча схемы в другое. На (базу транзистора T1 подается входное управляющее напряжение, а на базу транзистора Т2 - постоянное опорное напряжение Е_ОП ≈ 0,5(U_{ВХ.МАКС} + U_ВХ.МИН). Коллекторные цепи транзисторов подключены к общей шине (Е_К = 0).

Если принять аппроксимацию входной характеристики транзисторов, как показано на рисунке 4.5.1-б, то для полного переключения тока I₀ из одного плеча в другое достаточно уменьшить напряжение U_БЭ у открытого транзистора на величину ∆U_БЭ, а у закрытого - увеличить на ∆U_БЭ. Следовательно, ширина активного участка передаточных характеристик (области переключения) дифференциального каскада (рис. 4.5.1- в) составляет 2∆U_БЭ (порядка 0,2...0,ЗВ). При U_ВХ ≤ Е_ОП - ∆U_БЭ транзистор T1 закрыт, а Т2 открыт, напряжение U_К1 = 0, U_К2 = -α I₀R_К.При U_ВХ. ≥ Е_0П + ∆U_БЭ T1 открыт, а Т2 закрыт, соответственно U_К1 ≈- -α I₀R_К, U_К2 = 0, Заметим, что в последнем случае при увеличении U_ВХ напряжение U_К1 продолжает несколько спадать и после переключения транзисторов. Однако спад невелик, так как коэффициент передачи каскада ОЭ на транзисторе T1 с эмиттерной нагрузкой R_Э, равный примерно R_К/R_Э, значительно меньше единицы. Дальнейшее увеличение U_ВХ может привести к насыщению транзистора T1. Если принять условие насыщения U_БК ≥ 0, то на высокий уровень входного напряжения необходимо наложить ограничение:

Таким образом, требуемые статические состояния переключателя тока обеспечиваются при

(4.5.1)

Рисунок 4.5.2 иллюстрирует работу переключателя временными диаграммами.

Быстродействие переключателя тока может быть высоким. Это обусловлено следую щи/ми факторами.

Во-первых, открытые транзисторы не переходят в насыщение, вследствие чего в переходных процессах отсутствует этап рассасывания избыточных зарядов.

Во-вторых, транзистор Т2 работает в режиме схемы ОБ, при которой достигается наиболее высокая скорость его переключения.

В-третьих, для переключения токаI₀ требуются небольшие перепады входного сигнала. Полагая, что они создаются аналогичными переключателями тока, имеется возможность использовать резисторы R_К с малым сопротивлением (сотни ом), что значительно уменьшает влияние емкости С_К транзисторов на время переключения.Общая длительность переходного процесса при переключениях может составлять десятые доли наносекунды. Однако, учитывая, что наилучшие частотные свойства транзисторов проявляются при значительных коллекторных токах, потребляемая от источника питания мощность велика (десятки милливатт).

4.6 Способы повышения быстродействия транзисторных ключей

Рассмотрим наиболее широко распространенные схемные способы повышения быстродействия ТК, среди которых можно выделить:

1) форсирование динамического режима включения и отключения с помощью RС-цепей;

2) использование фиксирующих диодов;

3) использование нелинейной обратной связи;

4) применение переключателей тока.

Форсирование динамического режима включения и отключения (рис.4.6.1-а).

Шунтирование части базового резистора R_Б1 конденсатором С создает зарядную цепь С R_Б1 в которой в момент включения устанавливается ток

По мере заряда конденсатора базовый ток уменьшается, и в установившемся режиме становится равным

Изменение базового тока происходит в соответствии с уравнением

(4.6.1)

где τ_ВКЛ = С(R_Б1||R_Б2).

Запирание транзистора также сопровождается динамическим форсированием из-за разряда конденсатора С, добавляющего к постоянному запирающему смещению экспоненциально уменьшающийся потенциал, величина которого в начальный момент времени равна U_С(0) = I_Б.ВКЛ(∞)R_Б1. Изменение базового тока отключения происходит в соответствии с уравнением

(4.6.2)

где

На рис. 4.6.1-б показаны временные диаграммы изменения базового и коллекторного токов и заряда в базе сплошными линиями для схемы с динамическим форсированием, штриховыми - без нее. Из этих диаграмм видно, что динамическое форсирование позволяет существенно уменьшить время рассасывания, обеспечивая одновременно малую длительность фронтов импульсов.

Фиксирующие диоды.Устранить насыщение можно путем фиксации потенциала коллектора открытого транзистора на уровне E_Ф (рис. 4.6.2), причем |Е_Ф|<|Е_К|, но |Е_Ф| > |U_KH|, где U_KH - напряжение на коллекторе в режиме насыщения. По мере отпирания транзистора потенциал U_K коллектора растет (т. е. уменьшается по абсолютному значению), при |U_K| ≤ |Е_Ф| диод D отпирается и потенциал коллектора фиксируется на уровне Е_Ф (если пренебречь напряжением на открытом диоде). Теперь при токе базы I_Б > I_БН=Е_К/βR_К коллекторный ток равен βI_Б; часть этого тока

идет через резистор R_К остальная часть - через диод D.

При запирании транзистора коллекторный ток начинает убывать с постоянной времени τ_Р, но потенциал коллектора остается постоянным и равным Е_Ф до тех пор, пока диод D не закроется. Передний фронт импульса напряжения укорачивается, так как он формируется на коротком участке. Задний же фронт, как и в насыщенном транзисторе, формируется с запаздыванием, которое можно устранить введением в схему отрицательной обратной связи (ООС), препятствующей насыщению транзистора.

Нелинейная обратная связь (рис. 4.6.3). В этой схеме насыщение транзистора предотвращается тем, что коллекторный потенциал с помощью диода D фиксируется на уровне потенциала базы.

При включении транзистора в первый момент времени потенциал анода диода D равен почти -Е_К, а потенциал катода

Диод закрыт и базовый ток транзистора равен

>>I_БН

Транзистор форсированно открывается до точки 2 (рис. 4.6.3-в). В точке 2 напряжение U_K(t) = U₁ и диод открывается. Схема приобретает вид (рис. 4.6.3-б), где R_Э = R_Б1||R_Б2. Вступает в действие ООС между коллектором и базой. Теперь ток I_Б определяется величиной U_K(t), которая, в свою очередь, зависит от I_Б. Схема дотягивает до динамического установившегося значения U_K(∞), причем транзистор работает в активном (ненасыщенном) режиме. Величина U_K(∞) может быть определена из эквивалентной схемы (рис. 4.6.3-б).

Можно записать

(4.6.3)

где

Подставляя значение I_Э в уравнение (5.60), после преобразования получим

Существенного повышения быстродействия можно добиться только при использовании в качестве D диодов, имеющих малое время восстановления , т. е. высокочастотных. Для низкочастотных диодов, у которых время рассасывания заряда, накопленного в базе, велико, эффект от введения нелинейной обратной связи будет незначительным. Максимальное быстродействие ТК обеспечивается при включении в качестве диода D диода Шоттки (рис. 4.6.3-а). Так как диод отпирается при более низком напряжении между коллектором и базой, когда транзистор еще находится на границе активного режима, отпадает необходимость во введении дополнительного источника смещения.

Кроме существенного повышения быстродействия ТК с нелинейной ОС имеет и недостатки, основными из которых являются:

1) относительно большее (порядка 0,5 В и более) падение напряжения на открытом ключе;

2) худшая помехоустойчивость, что объясняется более высоким входным сопротивлением в открытом состоянии;

3) существенно худшая температурная стабильность.