3.2. Идентификация имплантированного 16n

С использованием стандартных методов[45], потери энергии и отбившихся от 80 MeV16N7+ионов пробивает Edetector определяются 47 MeVand 3 МэВ, соответственно, оставляя в среднем 33 MeVto на хранение в DSSSD. 16Н имплантации определяются путем применения соответствующих сокращений (EDSSSD, Е)-значения, как показано на фиг.2. Подавляющее большинство имплантатов 16N содержится в основном локусе EDSSSD≈33 MeVand E≈700. Шпунт-В Е-детектор производит вертикальные полосы над основным локусом. Вертикальные полосы в основные результаты локус из 16Н имплантации, которые вызывают лишь частичный сигнал в Эде-тектор, потому что они попадают в детектор близко к периферии активной области. Включая эти полосы, мы увеличиваем количество выявленных имплантатов 16N примерно на 5%. В 16Н им-плантации составляют 83%от общего числа графов на рис.2. Другие главные компоненты луча 13C5+, 14N6+, 15N7+, 13C6 + и протоны. Никакое другое состояние заряда 16N не имплантируется в DSSSD. Класс событий с аномальными ответ DSSSD, но с Е-сигнал, который согласуется с ожидаемым для 16Н implanta-ний, также были определены. Происхождение этих событий, которые составляют всего 2% от числа выявленных имплантатов 16N, не до конца понятно. Мы включаем их в конечный результат как систематическую неопределенность.

3.3. Идентификация adecays

При кинетической энергии 33 МэВ типичная глубина имплантации ионов 16Н в DSSSD составляет 27(2) мкм с колебаниями 0,33 мкм. Поскольку апартикулы распада полностью остановлены менее чем в 10 мкм кремнии, можно предположить детекцию полной энергии для всех распадов. Спектр разложения, полученных в ходе луча-офф практически фоновом режиме-бесплатно, см. рис.3. Высокоэнергетический хвост реакции?-частиц простирается до 0,8 МэВ. Между 1 MeVand 3.5 MeVwe увидеть сигнал от ßadecay из 16Н. Счетчики выше 3,5 MeVresult с поверхности DSSSD загрязнения с долгоживущих α-частиц эмиттеров (происходящих из стандартных калибровочных источников). Из рисунка.3мы оценить их вклад ниже 3.5 MeVto быть незначительным. Поэтому все подсчеты между 1,0 и 3,5 MeVare предположительно равны 16N.., и мы отмечаем, что пространственные распределения событий распада и имплантации находятся в хорошем согласии, что было подтверждено тестом Колмогорова–Смирнова.

Вставка на рисунке.3shows сравнение наших данных в R-матрица соответствовать Тан и соавт.[15], смещенный на +6 Кевин, чтобы сделать ставку-тер соответствовал данным. Сдвиг общий результат несколько эффектов, в том числе ßsumming, ßrecoil и различная реакция детекторов Си aparticles и ионами 12С. Мы оценили сдвиг, связанный с каждым из этих эффектов, и общий сдвиг, полученный таким образом, находится в хорошем согласии с наблюдаемым сдвигом. Как видно из сравнения формы двух спектров также в хорошем согласии.

4. Нормализация

Процедура подсчета имплантатов 16N и адекеев с задержкой? описана в Разделах 3.Однако для определения коэффициента разветвления, bßa, необходимо также cor-rect для эффективности обнаружения экспериментальной установки. Главную роль здесь играют два эффекта: во-первых, мы ищем распады только тогда,когда ворота луча закрыты, а это означает, что мы должны применить коэффициент коррекции, Con/off, который зависит от полураспада 16N и длительности включения/выключения ворот луча. Во-вторых, существует проблема "мертвого" времени на сбор данных, который особенно влияет на данные изъяты с лучом открытые ворота. Для определения необходимых корректирующих факторов, Condeadand Coffdead, отслеживались необработанные и принятые триггерные сигналы.