- •Рецензенты:
- •Оглавление
- •От авторов
- •Введение
- •1 Общие свойства технических материалов
- •1.1 Классификация технических материалов
- •1.2 Сведения о строении вещества
- •1.3 Основные понятия зонной теории
- •2 Проводниковые материалы
- •2.1 Общие сведения о проводниках
- •2.2 Основы металлургии
- •2.2.1 Диаграммы состояния сплавов
- •2.2.2 Стали и сплавы
- •2.3 Физическая природа электропроводности проводников
- •2.4 Сверхпроводящие материалы
- •2.4.1 Физика низкотемпературной сверхпроводимости
- •2.4.2 Высокотемпературные сверхпроводящие материалы на основе сложных оксидов
- •2.4.3 Применение криопроводников
- •2.5 Свойства благородных металлов
- •2.6 Цветные металлы и сплавы
- •2.7 Проводниковые конструкции из биметалла
- •2.8 Сплавы высокого сопротивления и сплавы для термопар
- •2.9 Припои и флюсы
- •2.10 Неметаллические проводящие материалы
- •3 Полупроводниковые материалы
- •3.1 Общие сведения о полупроводниках
- •3.2 Основы технологии получения электротехнических материалов
- •3.2.1 Классификация способов очистки электротехнических материалов
- •3.2.2 Получение чистых полупроводниковых материалов
- •3.2.3 Выращивание полупроводниковых монокристаллов
- •3.2.4 Легирование материалов радиационным способом
- •3.2.5 Основные свойства некоторых элементарных полупроводников и полупроводниковых соединений
- •3.3 Применение полупроводниковых материалов
- •4 Диэлектрические материалы
- •4.1 Общие сведения о диэлектриках
- •4.2 Виды поляризации диэлектриков
- •4.3 Диэлектрическая проницаемость диэлектрика
- •4.4 Электропроводность диэлектриков
- •4.5 Виды электрического пробоя диэлектриков
- •4.6 Механические, тепловые и физико-химические свойства диэлектриков
- •4.7 Общая характеристика газовой изоляции
- •4.8 Развитие разряда в однородном поле
- •4.9 Развитие разряда в неоднородном поле
- •4.10 Разряд в газе вдоль поверхности твердого диэлектрика
- •4.11 Коронный разряд на проводах линий электропередачи
- •4.12 Изоляционные конструкции оборудования высокого напряжения
- •4.13 Неорганические и органические диэлектрики
- •5 Магнитные материалы
- •5.1 Классификация магнитных материалов
- •5.1.1 Парамагнетики
- •5.1.2 Диамагнетики
- •5.1.3 Ферромагнетики
- •5.1.4 Антиферромагнетики
- •5.1.5 Ферримагнетики
- •5.1.6 Метамагнетики
- •5.1.7 Деление магнитных материалов на группы
- •5.2 Основные характеристики магнитных материалов
- •5.3 Магнитомягкие материалы
- •5.3.1 Технически чистое железо и электротехнические стали
- •5.3.2 Сплавы железа с металлами
- •5.3.3 Ферритовые материалы
- •5.3.4 Магнитодиэлектрики
- •5.4 Магнитотвёрдые материалы
- •5.4.1 Сплавы с различной технологией твердения
- •5.4.2 Магнитотвёрдые композиты
- •5.5 Разработки специальных магнитных материалов
- •5.5.1 Термомагнитные материалы
- •5.5.2 Магнитострикционные материалы
- •Список литературы
- •Конструкционные электротехнические материалы
1.2 Сведения о строении вещества
Упрощая физику явлений, будем считать, что основными элементарными частицами, из которых построены атомы, являются протоны, нейтроны и электроны. Все вещества состоят из атомов. Из атомов состоят молекулы. Из молекул состоит вещество. Вещество может находиться в газообразном, жидком или твёрдом состоянии. Для того чтобы разобраться в том, как устроены и работают современные приборы, необходимо систематизировать некоторые основные положения физики, начиная со структуры атомов и молекул [1-3,5].
Физика рассматривает атомы как частицы, состоящие из положительно заряженных ядер, окружённых электронными оболочками. Электроны относятся к категории микрочастиц, которым присущ принцип дуализма, то есть они обладают как свойствами частицы, так и свойствами волны. Ни видеть, ни осязать электроны нельзя. Поэтому, изучая их, приходится пользоваться моделями и абстракциями. Простейшей, наиболее наглядной моделью, является модель Н. Бора, в которой электроны уподобляются шарикам, вращающимся вокруг ядра по определённым орбитам. С точки зрения квантовой физики такое представление ошибочно, так как микрочастица не может одновременно обладать определёнными значениями координаты и импульса. Поэтому применительно к микрочастице понятие траектории теряет смысл. Квантовая механика в состоянии предсказать лишь вероятность нахождения электрона в данной точке пространства. Эта вероятность представляет собой «усреднённую» картину поведения электрона, что позволяет представить электрон в виде облака, которое называют орбиталью.
Если в атоме водорода, удаляясь от ядра, проследить вероятность нахождения электрона, то окажется, что у самого ядра она равна нулю, потом возрастает, достигая максимального значения на расстоянии 0,53∙10-8 см от ядра, а затем постепенно убывает. Расстояние r = 0,53∙10-8 см условно принимают за радиус орбиты в атоме водорода, а сам электрон рассматривают в виде шарика массой m = 9,1∙10-31 кг и зарядом q = 1,6∙10-19 Кл. Количество вращающихся вокруг ядра электронов определяется порядковым номером химического элемента в периодической системе Д. И. Менделеева: в атоме водорода – один электрон, в атоме гелия – два и т. д.
Движение электронов вокруг ядра происходит по строго определённым орбитам так, что на длине орбиты укладывается целое число длин волн, называемых волнами Де Бройля. При этом условии на длине орбиты образуется стоячая волна и не происходит излучения электромагнитной энергии. В противном случае электрон будет терять свою энергию, радиус орбиты станет уменьшаться и в результате электрон окажется притянутым к ядру.
Длину волны можно определить, приравняв выражения для импульсов (количества движения) электрона, исходя из его волновой и корпускулярной природы
,
где h
–
постоянная
Планка (h
=
6,62∙10-34
эВ∙с);
–
частота электромагнитных колебаний;
–
скорость движения электрона по орбите.
Учитывая,
что
=
,
получаем
формулу для длины волны
. (1.1)
Для получения стоячей волны должно выполняться условие
=
=
, (1.2)
где r – радиус орбиты; n = 1,2,3,...
Возможные радиусы круговых орбит электрона в атоме водорода можно определить, исходя из того, что центробежная сила уравновешивается силой кулоновского притяжения электрона к ядру
,
где
= 8,85∙10-12
Ф/м. Откуда получаем
. (1.3)
Значение
найдём
из выражения (1.2), подставим его в уравнение
(1.3), из которого получим уравнение
для возможных радиусов круговых орбит
в атоме водорода
. (1.4)
При п = 1 получаем r = 0,53∙10-8 см.
Находясь на какой-либо орбите, электрон обладает энергией, складывающейся из кинетической энергии движения электрона по орбите Ek и потенциальной энергии притяжения электрона к ядру Eп.
Для атома водорода
Ek
=
, (1.5)
Eп
=
. (1.6)
Подставляя в (1.5) уравнение (1.3), получаем
Ek
=
. (1.7)
Полная энергия электрона
E
=
Ek
+Eп
=
≈
. (1.8)
Подставляя (1.4) в (1.8), получаем
E
=
.
(1.9)
Подставив
значения
и
,
получим
E
=
эВ.
В начальном (невозбуждённом) состоянии электрон в атоме водорода находится на наиболее близкой к ядру орбите и обладает энергией Е = –13,6 эВ. Путём внешнего энергетического воздействия он может быть переведён на более удалённую орбиту. Такое состояние атома называется возбуждённым, оно является неустойчивым. В любом атоме электроны стремятся занять наиболее низкие энергетические уровни, поэтому спустя некоторое время электрон вернётся на первоначальную орбиту, выделив при этом квант энергии, равный разности соответствующих энергетических уровней.
В многоэлектронных атомах потенциальная энергия электрона зависит не только от его расстояния до ядра, но и от расстояний до каждого из остальных электронов, вследствие чего численные значения радиусов орбит и, соответственно, величины энергии не совпадают с численными значениями радиусов и энергии для атома водорода. Вращение электронов в этих атомах может происходить как по круговым, так и по эллиптическим орбитам. Движение электрона по круговой орбите соответствует сферическому электронному облаку, а движение по эллиптической орбите – облаку в форме гантели. При этом электроны стремятся занять наиболее низкие энергетические уровни, но при условии, что на каждом энергетическом уровне находится не более двух электронов (принцип Паули). Чем больше электронов в атоме, тем более высокие энергетические уровни они занимают. Возможные энергетические состояния электронов характеризуют четырьмя квантовыми числами.
Главное квантовое число п определяет радиус круговой орбиты или большую полуось эллиптической орбиты. Оно может принимать значение п = 1,2,3 и т. д. Чем больше п, тем больше радиус орбиты и энергия электрона. Состояния электрона, определяемые главным квантовым числом, называют энергетическими уровнями.
Орбитальное квантовое число l определяет малую полуось эллиптической орбиты. Оно может принимать значения l = 0,1,2,..., (n–1). Значение l = 0 соответствует круговой орбите. Энергетические состояния, характеризующиеся различными значениями l, называют подуровнями. Значению l = 0 соответствует s-подуровень, значению l = 1 – р-подуровень, значению l = 2 – d-подуровень, значению l = 3 – f-подуровень.
Магнитное квантовое число т определяет пространственную ориентацию эллиптической орбиты. Оно может принимать значения т = 0, ±1, ±2, ..., ±1. Каждому квантовому числу l соответствует (2 l + 1) по-разному ориентированных орбит. При l = 1 возможны три взаимно перпендикулярных р-орбиты; орбитальному квантовому числу l = 2 соответствует пять возможных пространственных ориентаций орбит, называемых d-орбитами; квантовому числу l = 3 соответствует семь f-орбит.
Спиновое квантовое число s определяет момент количества движения электрона вокруг собственной оси. Вектор момента количества движения может быть параллелен или антипараллелен вектору орбитального момента. Спин электрона равен половине постоянной Планка, поэтому он равен +0,5 или -0,5.
Под химической связью понимают взаимодействие между атомами, в результате которого образуются молекулы и твердые тела. Химическая связь осуществляется посредствам электронов, находящихся на внешних, не полностью занятых электронных оболочках. Эти электроны называют валентными. Независимо от природы сил, возникающих при сближении частиц, характер взаимодействия между атомами остаётся одинаковым (рисунок 1.4): на относительно больших расстояниях появляются силы притяжения Fnp, быстро увеличивающиеся с уменьшением расстояния x между частицами (кривая 1); на небольших расстояниях возникают силы отталкивания Fот, которые с уменьшением расстояния увеличиваются гораздо быстрее, чем Fпр (кривая 2). На расстоянии x = r0 силы отталкивания уравновешивают силы притяжения и результирующая сила взаимодействия F обращается в нуль (кривая 3). Состояние частиц, сближённых на расстояние r0, является состоянием равновесия. Существует несколько видов химических связей.
К
овалентная
связь
возникает
в результате перекрытия электронных
облаков отдельных атомов при их
сближении, вследствие чего возрастает
плотность отрицательного заряда в
межъядерном пространстве, что приводит
к появлению сил притяжения, уравновешивающих
силы взаимного отталкивания между
ядрами. Перекрытие электронных оболочек
сближающихся атомов приводит к
обобществлению электронов. В этом
случае уже нельзя говорить о принадлежности
электрона одному из атомов: электроны
принадлежат одновременно нескольким
атомам, образующим молекулу или твёрдое
тело. Подобным образом создаётся молекула
водорода: в разъединённых атомах водорода
s-орбиты
имеют сферическую симметрию с
антипараллельной ориентацией спинов.
При объединении атомов в молекулу
образуется структура, показанная на
рисунке 1.5.
Рисунок 1.4 – Виды химических связей
Рисунок 1.5 – Структура молекулы водорода
В зависимости от того, симметричную или асимметричную структуру имеют молекулы, они могут быть неполярными и полярными. В неполярных молекулах центры положительных и отрицательных зарядов совпадают (рисунок 1.6, а), в полярных они находятся на некотором расстоянии друг от друга (рисунок 1.6, б), в результате чего образуется диполь, характеризующийся дипольным моментом т = ql (q – заряд электрона).
Ковалентная связь типична для органических молекул. Вместе с тем, она может иметь место и в твердых веществах. Примером могут служить атомы алмаза, кремния и германия, которые входят в четвертую группу периодической системы элементов. Они имеют валентность, равную четырем, и в твердом теле образуют структуру, в которой каждый атом связан ковалентными связями с четырьмя ближайшими своими соседями (рисунок 1.6, в). В такой структуре происходит обобществление валентных электронов, при котором каждый атом оказывается окруженным восемью обобществленными электронами. Такая связь характеризуется очень высокой прочностью.
а б в
Рисунок 1.6 – Неполярные и полярные молекулы
Металлическая связь возникает между атомами с небольшим числом валентных электронов, что характерно для металлов. При сближении таких атомов, как и при ковалентной связи, происходит перекрывание электронных оболочек и обобществление валентных электронов с той лишь разницей, что обобществленные электроны не локализуются вблизи своих атомов, а свободно перемещаются между атомами, образуя «электронный газ». При этом атомы, отдавшие свои электроны, превращаются в положительные ионы, силы отталкивания между которыми уравновешиваются силами притяжения между ионами и электронами. В результате такой связи образуется кристаллическая структура, в которой атомы металла находятся на строго определённом расстоянии друг от друга в среде коллективизированных электронов (рисунок 1.7).
Рисунок 1.7 – Кристаллическая структура металла
Ионная связь возникает между атомами металлов, имеющими на внешней орбите один электрон, и атомами металлоидов, имеющими на внешней орбите семь электронов. В этом случае при сближении атомов происходит переход валентных электронов от металлического атома к металлоидному, в результате чего образуются разноименные ионы, между которыми возникает электростатическое притяжение.
Так происходит, например, образование кристаллов хлористого натрия (NaCl). В таких кристаллах каждый ион связан с шестью ионами противоположного знака, в результате чего образуется структура, показанная на рисунке 1.8.
Рисунок 1.8 – Структура кристалла хлористого натрия
Молекулярная связь возникает между молекулами с ковалентным характером внутримолекулярного взаимодействия.
Межмолекулярное притяжение возникает при согласованном движении валентных электронов в соседних молекулах, то есть таком движении, когда в любой момент времени электроны соседних молекул максимально удалены друг от друга и максимально приближены к положительным зарядам ядер соседних молекул (рисунок 1.9). Тогда силы притяжения валентных электронов ядром соседней молекулы оказываются сильнее сил взаимного отталкивания электронов оболочек этих молекул. За счет молекулярных связей образуется твердое состояние инертных газов, водорода, кислорода, азота. Молекулярная связь легко разрушается тепловым движением.
С
уществуют
две разновидности твёрдых тел: аморфные
и кристаллические.
Аморфные тела характеризуются
случайным (хаотическим) расположением
частиц (атомов, ионов или молекул). В
кристаллических телах частицы расположены
строго упорядоченно, на определённом
расстоянии друг от друга, образуя
пространственную кристаллическую
решетку. Частицы, расположенные в узлах
решётки, не могут покидать состояние
равновесия, так как при удалении от этих
положений появляются силы, стремящиеся
вернуть их обратно. Единственной формой
движения этих частиц являются беспорядочные
колебания около положения равновесия.
Энергия каждого такого колебания
квантована. Порцию энергии тепловых
колебаний называют фононом.
Рисунок 1.9 – Молекулярная связь между соседними молекулами
Кристаллические тела могут существовать в виде отдельных крупных кристаллов (монокристаллы) или же состоять из отдельных зёрен (поликристаллы).
В поликристаллах в пределах каждого зерна частицы расположены периодически, но при переходе от одного зерна к другому на границах раздела эта периодичность нарушается. Монокристаллы обладают анизотропией, то есть их механические, физические, тепловые и другие свойства различны в разных направлениях. Поликристаллы изотропны, то есть их свойства одинаковы во всех направлениях.
Кристаллические
тела состоят из большого числа одинаковых
многогранников. Каждый такой многогранник
называется элементарной ячейкой
кристалла. Элементарные ячейки
характеризуются длиной ребер a,
b,
c,
называемых
постоянными решетки, и углами между
ребрами
(рисунок 1.10). Оси x,
y,
z,
совпадающие
с ребрами a,
b,
c,
называются
кристаллографическими осями. За начало
координат этих осей выбирают один
из узлов решетки.
Рисунок 1.10 – Элементарная ячейка кристалла
Большинство материалов в твёрдом состоянии имеют только один определённый тип кристаллической решётки. Однако некоторые из веществ могут существовать в виде двух или нескольких кристаллических структур, это явление называется полиморфизмом. Примером может служить углерод, который существует либо в виде графита, либо в виде алмаза.
Твёрдые тела, имеющие кристаллическую структуру, обладают неоднородностью своих свойств в различных направлениях. При определении свойств кристаллов принято указывать расположение кристаллографических плоскостей и направлений, перпендикулярных этим плоскостям. Для этого используют индексы Миллера.
