V. Методические указания

Фокусное расстояние f магнитной линзы определяется соотношением

1/f = 1/l₁ + 1/l₂, (1.1)

где l₁ - расстояние от объекта до плоскости короткой магнитной линзы; l₂ - расстояние от изображения до плоскости короткой магнитной линзы.

Число ампер-витков фокусирующей катушки IN связано с анодным напряжением U_a (В), радиусом катушки R (рис.1) и фокусным расстоянием f:

, (1.2)

где для исследуемого ЭЛП R=1,75см, N=2000.

Угол поворота плоскости траектории электрона после прохождения линзы определяется как

, (1.3)

где H - напряжённость магнитного поля на оси фокусирующей катушки при различных координатах z, отсчитываемых от плоскости линзы.

VI. Отчет

Отчет по работе составляется индивидуально каждым и должен содержать:

- Титульный лист с названием работы, датой выполнения, фамилией и группой автора, фамилией преподавателя.

- Чертеж экспериментального ЭЛП;

- Наименование каждого раздела задания и результаты его выполнения в виде графиков, расчетов и подробных комментариев;

- Выводы, содержащие критическую оценку полученных результатов.

Л И Т Е Р А Т У Р А

1.Розанов Л.Н. Вакуумная техника. – М.: Высшая школа, 2007.

2.Клейнер Э.Ю. Основы теории электронных ламп. М.: Высшая школа, 1974

3. Воробьев М.Д. Полупроводниковая и вакуумная электроника. М.: Издательский дом МЭИ, 2010.

4.Лебедев И.В. Техника и приборы СВЧ. Т.2., М.: Высшая школа, 1972.

5.Воробьев М.Д. Движение электронов в электрических и магнитных полях. Основы электронной оптики. М., Изд-во МЭИ, 2016.

6.Сушков А.Д. Вакуумная электроника: Физико-технические основы. СПб.: Изд-во «Лань», 2004