Заключение.

Совершенно очевидно, что электронно-лучевая литография не может просто заменить фотолитографию — слишком велика разни­ца в процессах химической обработки, методах переноса рисунка и способах совмещения. Миниатюризация электронных устройств приводит к необходимости изменения всей их структуры. Из ска­занного следует, что внедрение в производство ЭЛЛ приведет к существенным изменениям технологического цикла в целом.

Высокие требования к разрешающей способности усложняют применение ЭЛЛ. Например, существуют тонкие краевые эффек­ты, проявляющиеся в зависимости от метода травления. Их необ­ходимо учитывать при формировании рисунка. Эта задача весьма актуальна при стремлении разработчиков ИС к увеличению от­ношения высоты к ширине топологических элементов. Кроме того, для сохранения процента выхода годных необходимо, чтобы точ­ность совмещения и воспроизведения ширины линий росла про­порционально уменьшению размеров элементов. Даже небольшие флуктуации дозы облучения или небольшие изменения условий проявления резиста могут привести к изменению как профиля эле­ментов топологии, так и ширины линий.

Многие задачи этого круга уже решены. Размещение на кри­сталле тестовых структур позволило оперативно корректировать режим экспонирования, степень пере- или недопроявления, а так­же точность совмещения.

Созданы резисты, совместимые с различными методами пере­носа изображения. Для обеспечения высокой точности совмеще­ния разработаны несколько типов меток совмещения и множество алгоритмов выполнения этой операции. Разработаны также под­робные алгоритмы всего процесса с учетом особенностей и разли­чий отдельных этапов.

В настоящей главе обсуждены некоторые методы электронно­лучевой литографии, описаны способы построения массивов дан­ных о топологии и рассмотрены методы состыковки полей скани­рования при изготовлении ИС с большой площадью кристалла.

Обзор электронных устройств, выполняемых методами ЭЛЛ, иллюстрирует диапазон возможностей этого технологического ме­тода. К этим устройствам относятся биполярные и МДП-транзисторы, приборы на ПАВ, ЦМД, ИС. При их производстве возни­кают проблемы специфического характера, поддающиеся, впрочем, разрешению. Установлено, что облучение электронами влияет на параметры изготавливаемых изделий, однако термическая обра­ботка устраняет этот эффект.

Все сказанное преследовало цель показать возможность приме­нения электронно-лучевой литографии в разных областях произ­водства изделий электронной техники. Исследования готовых при­боров выявили новые закономерности, свойственные устройствам с малыми размерами элементов. Практически все опытные образ­цы приборов, сделанные с помощью ЭЛЛ, имеют преимущество перед обычными по быстродействию и потребляемой мощности. Это обстоятельство содействует росту интереса к ЭЛЛ, подтверждаемому большим числом работ, опубликованных в последние несколько лет.