2. Графики зависимости γ’ф / γ’фmax
Для первого резистора:
Для второго резистора:
Красная граница фотоэффекта:
Для первого резистора 545 нм
Для второго резистора 595 нм
Энергию активации фотоэффекта определяем по формуле:
Для первого резистора ΔЭ = 3,43*10-19 Дж = 2,14 эВ
Для второго резистора ΔЭ = 3,34*10-19 Дж = 2,09 эВ
4. Расчет проводимости и фотопроводимости полупроводников в зависимости от ширины щели
Проводимость полупроводника на свету вычисляем по формуле γс = 1/Rc.
Фотопроводимость вычисляем по формуле γф = γс-1/RT
Результаты расчета
Для первого резистора:
|
d, мм |
Rc1, МОм |
γс, мкСм |
γф, мкСм |
d/dmax |
|
0,01 |
0,862 |
1,160 |
1,095 |
0,0025 |
|
0,02 |
0,73 |
1,370 |
1,305 |
0,005 |
|
0,03 |
0,62 |
1,613 |
1,548 |
0,0075 |
|
0,05 |
0,52 |
1,923 |
1,858 |
0,0125 |
|
0,1 |
0,35 |
2,857 |
2,792 |
0,025 |
|
0,2 |
0,224 |
4,464 |
4,399 |
0,05 |
|
0,3 |
0,165 |
6,061 |
5,996 |
0,075 |
|
0,5 |
0,123 |
8,130 |
8,065 |
0,125 |
|
1 |
0,075 |
13,333 |
13,268 |
0,25 |
|
2 |
0,051 |
19,608 |
19,543 |
0,5 |
|
4 |
0,04 |
25 |
24,935 |
1 |
Для второго резистора:
|
d, мм |
Rc2, МОм |
γс, мкСм |
γф, мкСм |
d/dmax |
|
0,01 |
14,25 |
0,070 |
0,008 |
0,0025 |
|
0,02 |
13,7 |
0,073 |
0,010 |
0,005 |
|
0,03 |
12,65 |
0,079 |
0,017 |
0,0075 |
|
0,05 |
10,7 |
0,093 |
0,031 |
0,0125 |
|
0,1 |
6,6 |
0,152 |
0,089 |
0,025 |
|
0,2 |
2,5 |
0,4 |
0,338 |
0,05 |
|
0,3 |
1,2 |
0,833 |
0,771 |
0,075 |
|
0,5 |
0,4 |
2,5 |
2,438 |
0,125 |
|
1 |
0,09 |
11,111 |
11,049 |
0,25 |
|
2 |
0,03 |
33,333 |
33,271 |
0,5 |
|
4 |
0,01 |
100 |
99,938 |
1 |
5. Графики зависимости lg(γф) от lg(d/dmax)
Для первого резистора:
Для второго резистора:
Выводы
1) Зависимость между величиной длины волны падающего света и относительной фотопроводимостью имеет сложный нелинейный характер.
2) Зависимость фотопроводимости от интенсивности падающего света можно с большой точностью аппроксимировать прямой линией.
3) Использованный прибор называется монохроматором потому, что с помощью него можно выделять свет с нужным интервалом частот («монохроматизировать»).