
- •1. Исследование электрических свойств проводниковых материалов
- •1.1. Основные понятия и определения
- •1.2. Описание установки
- •1.3. Проведение испытаний
- •1.3.1. Определение удельного сопротивления различных проводников при комнатной температуре
- •1.3.2. Определение температурных зависимостей сопротивления
- •1.4. Обработка результатов
- •1.5. Контрольные вопросы
- •2. Исследование электрических свойств полупроводниковых материалов
- •2.1. Основные понятия и определения
- •2.2. Описание установки
- •2.3. Проведение испытаний
- •2.4. Обработка результатов
- •2.5. Контрольные вопросы
- •3. Исследование фотоэлектрических свойств полупроводниковых материалов
- •3.1.Основные понятия и определения
- •3.2. Описание установки
- •3 3. Проведение испытаний
- •3.3.1. Исследование спектральной зависимости фотопроводимости
- •3.3.2. Исследование зависимости фотопроводимости от интенсивности облучения
- •3.4. Обработка результатов
- •3.5. Контрольные вопросы
- •6. Исследование свойств конденсаторных материалов
- •6 1 Основные понятия и определения
- •6.2. Описание установки
- •6.3. Проведение испытаний
- •6.3.1. Подготовка к испытанию
- •6.3.2. Измерение емкости и tgδ образцов при комнатной температуре
- •6.3.3.Определение температурных зависимостей емкости и tgδ.
- •6.4. Обработка результатов
- •6.5. Контрольные вопросы
- •7. Исследование свойств сегнетоэлектрических материалов
- •7.1. Основные понятия и определения
- •7.2. Описание установки
- •7.3. Проведение испытаний
- •7.3.1. Градуировка горизонтальной и вертикальной осей
- •7.3.2. Исследование основной кривой заряда сегнетоэлектрического конденсатора
- •7.3.3. Исследование зависимости реверсивной диэлектрической проницаемости от напряженности постоянного электрического поля
- •7.3.4. Исследование температурной зависимости начальной диэлектрической проницаемости
- •7.4. Обработка результатов
- •7.5. Контрольные вопросы
- •8. Исследование свойств металлических ферромагниных материалов
- •8.1. Основные понятия и определения
- •8.2. Описание установки
- •8.3. Проведение испытания
- •8.3.1. Подготовка к испытанию и градуировка осей осциллографа
- •8.3.2. Исследование основной кривой намагничивания и зависимости потерь в образце от магнитной индукции
- •8.3.3. Исследование частотной зависимости потерь
- •8.3.4. Исследование частотной зависимости эффективной магнитной
- •8.4. Обработка результатов
- •8.5. Контрольные вопросы
- •Материалы электронной техники
8.2. Описание установки
Испытательная установка (см. рис.) состоит из пульта (обведен пунктиром), осциллографа, генератора синусоидальных сигналов звуковой частоты и милливольтметра переменного напряжения.
|
Cхема для испытания свойств ферромагнитных материалов |
Испытуемый материал изготовлен в виде тороидального сердечника, на который нанесены две обмотки - первичная с числом витков W1 и вторичная с числом витков W2.
К пластинам горизонтального отклонения осциллографа (вход канала I) прикладывают напряжение UX = UR, снимаемое с резистора RT и пропорциональное току I, протекающему в обмотке W1, следовательно, пропорциональное напряженности магнитного поля Н, поскольку
H = W1 I /(2πrср), (8.3)
где 2πrср - средняя длина линий напряженности поля.
На вертикальный вход осциллографа (вход канала II) подают напряжение UY = UC , снимаемое с конденсатора СИ интегрирующей цепочки, которое определяется выражением:
UC = (1/CИ)·∫ iИ dt, (8.4)
где iИ - ток в интегрирующей цепочке.
Если RИ » 1/(ωCИ), то iИ ≈ E2 / RИ, где Е2 - ЭДС во вторичной обмотке.
Согласно закону Ленца Е2 = W2 S (dB / dt), где S - сечение образца.
В этом случае формула (8.4) принимает следующий вид:
UC = (1/RИ CИ ) ·∫ E2 dt = (W2 S B) / (RИ CИ), (8.5)
т.е. UC пропорционально индукции в образце.
При одновременном приложении напряжений UR и UС к пластинам осциллографа на его экране можно наблюдать ПГ, характеризующую зависимость В(Н).
Для исследования частотной зависимости μЭФ в образце создается слабое магнитное поле, соответствующее начальному участку кривой намагничивания. Значение напряженности магнитного поля контролируется по падению напряжения UR на резисторе RT. Измеряя напряжение на входе схемы UВХ, можно найти падение напряжения UL на катушке индуктивности с исследуемым сердечником.
8.3. Проведение испытания
8.3.1. Подготовка к испытанию и градуировка осей осциллографа
Соединить выход генератора сигналов с гнездом G пульта, к гнезду PU подключить внешний вольтметр. Входы каналов I и II осциллографа соединить с гнездами Х и Y пульта соответственно. Вывести на минимум против часовой стрелки регулятор выхода генератора сигналов. Нажать кнопки "Х-Y" на передней панели осциллографа слева и справа от экрана и переключатели "х10↕х1" каналов I и II. Переключатель S1 пульта поставить в положение "Калибровка" (К). Включить приборы в сеть. С помощью ручек ↕ и ↔ добиться положения луча в центре экрана. Установить частоту сигнала 50 Гц. При помощи регулятора выхода генератора получить на экране осциллографа предельную ПГ (значение напряжения UR, измеряемого внешним вольтметром, примерно равено 1 В).
Ручками усиления осциллографа произвести коррекцию ПГ так, чтобы координаты ее вершин по горизонтальной оси X0 равнялись 3 дел. шкалы, считая от центра экрана, а координаты по вертикальной оси Y0 были в пределах 2,5…3 дел. При дальнейшей работе ручки усиления не трогать!
Измерить и записать напряжения UX = UR и UY = UС, устанавливая в соответствующие положения переключатель S2.
Вывести на минимум против часовой стрелки регулятор выхода генератора сигналов.