- •Краткая история развития электроники
- •Емкость р-n перехода
- •1) Статические параметры:
- •Варикап
- •Система вторичных параметров
- •Маркировка транзисторов
- •Условные обозначения имс
- •Термины и определение. Классификация микросхем
- •Пленочные и гибридные интегральные микросхемы
- •Пленочные индуктивности
- •Пленочные проводники и контактные площадки (пп и кп)
- •Полупроводниковые интегральные микросхемы
- •Биполярный транзистор
- •Диоды интегральных микросхем
- •Конденсаторы полупроводниковых имс
- •Диэлектрический способ изоляции
- •Изоляция элементов имс тонкой пленкой диэлектрика
- •Разновидности пзс
- •Параметры пзс
- •Применение пзс в вычислительной технике
- •Использование пзс в устройствах связи
- •Общие сведения об электронных лампах
- •Электронные лампы
- •Надежность электронных приборов
Разновидности пзс
Анализ ПЗС с трехтактным питанием. ПЗС состоит из входного устройства, системы переноса зарядов и выходного устройства. Входное устройство содержит исток Р+ и управляющий затвор. При подаче входного напряжения на управляющий затвор под ним образуется канал и происходит переброс дырок из истока в первую ячейку системы переноса — МДП - конденсатор.
В схемах с трехтактным питанием все ячейки объединены в три секции. В первой секции объединены все ячейки, расположенные под номерами 1, 4, 7, 10 и т. д., во вторую секцию — под номерами 2, 5, 8, 11 и т. д., в третью — 3, 6, 9, 12 и т. д. На ячейки от специального тактового генератора подаются обратные напряжения через три контактные площадки с выводами от каждой ячейки МДП - конденсатора (рис. 121,а). Более высокое обратное напряжение подается на одну из трех ячеек, на две других — меньшее напряжение.
Такт 1 (рис. 121,б). Более высокое обратное напряжение подано на секцию 1, при этом на первую ячейку поступила информация в виде электрического сигнала, который надо передать на выход (допустим, логическая единица). Это значит, что в потенциальной яме первой ячейки накоплен определенный заряд, несущий информацию единицы. Так как на соседней ячейке потенциал ниже, то этот заряд накоплен и хранится до следующего такта.
Такт 2 (рис. 121,в). На секцию 2 подается повышенное напряжение, на секции 1 и 3 — пониженное. Так как под второй ячейкой образовалась глубокая потенциальная яма; то заряд первой ячейки перейдет во вторую и будет там храниться. Обратное напряжение на второй ячейке больше, чем на первой и третьей, поэтому заряд не может уйти на эти ячейки, так как между ними создано тормозящее поле.
Такт 3 (рис. 121,г). На секцию 3 подается повышенное напряжение, на секции II и 2 — пониженное. В этом случае между второй и третьей ячейкой создается ускоряющее поле для электронов и заряд со второй ячейки перемещается в третью.
Таким образом осуществляется направленный перенос зарядов со входа на выход. Выходной электрод — сток Р+.
Анализ ПЗС с двухтактным питанием. Такие ПЗС проще по конструкции ПЗС с трехтактным питанием, так как требуют всего две шины питания и две контактные площади. Однако при этом возникает трудность — симметрия слева и справа, каждой ячейки ПЗС по отношению к двум соседним, так как по обе стороны данной ячейки существуют две глубокие потенциальные ямы и заряд будет передаваться в оба направления. Чтобы избежать этого явления, искусственно создается асимметрия, для чего под каждым затвором МДП - конденсатора толщина меняется так, чтобы в сторону переноса, например направо, толщина была меньше. Чем меньше толщина диэлектрика, тем поле обратного напряжения действует сильнее и глубина потенциальной ямы будет больше. В результате создается электрическое поле переноса только в одном направлении. Существуют и другие разновидности ПЗС.
Параметры пзс
Эффективность передачи зарядов показывает, какая часть зарядов переносится из одной потенциальной ямы в ближайшую следующую. Эффективность переноса зарядов
Одно
из особенно больших достоинств ПЗС —
большая эффективность, которая
достигает в лучших приборах 99,999%. Так
как
очень близко к 1, то удобнее пользоваться
обратным параметром - неэффективностью
передачи, или коэффициентом потерь
,
который
достигает для лучших образцов10-5.
Естественно, что чем больше шагов
переноса, тем больше потери.
Основная причина снижения эффективности в том, что часть зарядов захватывается ловушками, т. е. образованными на границе между диэлектриком и полупроводником поверхностными состояниями, структура которых отличается от требуемой, и способными притянуть к себе заряд. Эффективность будет тем больше, чем меньше время переноса заряда, а это значит, чем меньше расстояние между ячейками, чем выше подвижность носителей заряда, чем больше напряжение переноса.
Уровень шумов ПЗС определяется захватом некоторого количества носителей приповерхностными ловушками. Через некоторое время эти носители освобождаются из ловушки, увеличивая накопленный заряд в какой-либо ячейке. Эти шумы получили название шумов переноса. Создание скрытого слоя уменьшает уровень шумов переноса.
Диапазон тактовых частот ПЗС ограничен снизу и сверху. Нижняя частота связана с наличием термогенерации носителей заряда за счет температуры. Основные носители оттесняются вглубь под действием тактового напряжения, а неосновные притягиваются к поверхности и накапливаются у границы раздела диэлектрика с полупроводником. Эти заряды накапливаются в потенциальных ямах независимо от напряжения сигнала. Чем выше температура, тем больше этих зарядов. Так как заметное накопление зарядов в ячейке за счет термогенерации может произойти за сотые доли секунды, то, чтобы термогенерация не повлияла на переносимый заряд, нижняя тактовая частота должна составлять не менее единиц килогерц. Верхняя частота связана с перебросом заряда из ячейки в другую соседнюю и достигает десятков мегагерц.
Области применения ПЗС
Фоточувствительные приборы. Одно из основных направлений применения ПЗС — создание фоточувствительных твердотельных приборов, заменяющих вакуумные электронные передающие трубки.
Принцип действия такого прибора, созданного на основе ПЗС, заключается в том, что в отдельной ячейке МДП - конденсатора происходит непосредственное преобразование энергии светового потока в электрическую энергию. Если энергия кванта света превышает энергию, соответствующую ширине запрещенной зоны между зоной проводимости и валентной зоной, то происходит явление генерации — образование электрона и дырки проводимости. Эти носители заряда в полупроводнике под действием электрического поля, образованного за счет тактового напряжения, разделяются. Основные носители оттесняются в глубь полупроводника, неосновные притягиваются к границе раздела, накапливаясь в потенциальной яме. Накопленный заряд пропорционален световому потоку, падающему на поверхность ячейки, и времени.
Таким образом, в ячейках ПЗС производится запись световой информации в виде зарядов различной величины, затем заряды перемещаются поочередно на выход, где преобразуются в электрическое напряжение следующих поочередно импульсов, амплитуда которых пропорциональна освещенности. Устройство преобразователя — пластинка небольших размеров, на которую проектируется с помощью объектива световой поток от изображения. Через прозрачный диэлектрик свет воздействует на полупроводники каждой ячейки, образованной МДП - конденсатором.
На поверхности пластины размещено несколько сот тысяч элементарных МДП - конденсаторов. Каждому элементу изображения соответствует отдельный МДП - конденсатор. По сравнению с вакуумными передающими трубками данный прибор, обеспечивая такие же качественные показатели, имеет несравнимо меньшие габаритные размеры и массу, потребляет гораздо меньшую мощность, а самое главное, имеет большие надежность и срок службы.
Созданные на основе ПЗС устройства преобразования света в электрические сигналы в настоящее время успешно используют для измерений отдаленных и малодоступных объектов, например толщины раскаленного проката, лесоматериалов, размеров слитков кремния. Эти же приборы позволяют считывать различные надписи — номера вагонов, индексы на конвертах и т. д. Очень перспективно применение этих приборов в робототехнике.
