- •Физические принципы получения вынужденого излучения. Неодимовый лазер.
- •Список сокращений и условных обозначений
- •Введение
- •I.1 Физические принципы получения вынужденного излучения
- •I.2 Неодимовые лазеры
- •I.3 Источники света применяемые в твердотельных лазерах
- •I.3 Основные схемы диодной накачки
- •I.3.1 Полупроводниковые лазеры
- •I.3.2 Диодная накачка неодимовых лазеров
- •I.3 Линейные чип-лазеры
- •II.1 Разработка принципиальной схемы с диодной накачкой и волоконным выходом
- •II.3 Технические требования к узлам лазера. Сопряжение физикотехнических характеристик при сборке лазера.
- •II.3.2 Лазерный диод
- •II.3.2 Плата управления (sdc)
- •II.3.3 Элемент Пельтье
БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
ФИЗИЧЕСКИЙ ФАКУЛЬТЕТ
Кафедра лазерной физики и спектроскопии
Разработка компактного неодимового лазера с диодной накачкой и волоконным выходом
Дипломная работа
студента 5 курса
Кульбицкого Р. Н.
Научный руководитель – доцент
кафедры лазерной
физики и спектроскопии
Серафимович А.И.
Минск 2013
СОДЕРЖАНИЕ
Введение………………………………………………….
Физические принципы получения вынужденого излучения. Неодимовый лазер.
I.1 Физические принципы получения вынужденого излучения. …….
I.2 Неодимовый лазер………………………………
I.3 Источники света применяемые в твердотельных лазерах..
I.3.1 Полупроводниковые лазеры………………..
I.3.2 Диодная накачка неодимовых лазеров……………………………
I.4 Линейные чип-лазеры…………………………………………………
II. Разработка и изготовления компактного неодимового лазера с диодной накачкой и волоконным выходом….
II.1 Разработка принципиальной схемы с диодной накачкой и волоконным выходом
II.2 Оптические и физикотехнические характеристики основных узлов лазера.
II.3 Технические требования к узлам лазера. Сопряжение физикотехнических характеристик при сборке лазера.
II.3.1
II.3.2
II.3.3
Список сокращений и условных обозначений
ТЛПН - твердотельный лазер с полупроводниковой накачкой
термистор
SDC
Введение
Лазеры – это современные источники когерентного излучения, обладающие целым рядом уникальных свойств. Создание лазеров явилось одним из самых замечательных достижений физики второй половины XX века, которое привело к революционным изменениям во многих областях науки и техники. К настоящему времени создано большое количество лазеров с различными характеристиками – газовых, твердотельных, полупроводниковых, излучающих свет в различных оптических диапазонах. Лазеры могут работать в импульсном и непрерывном режимах. Мощность излучения лазеров может изменяться в пределах от долей милливатта до 1012–1013 Вт (в импульсном режиме). Лазеры находят широкое применение в военной технике, в технологии обработки материалов, в медицине, оптических системах навигации, связи и локации, в прецизионных интерференционных экспериментах, в химии, просто в быту и т. д. Хотя первый оптический квантовый генератор был построен сравнительно недавно (1960 г.), современную жизнь уже невозможно представить без лазеров.
Цель настоящей работы заключается в создании относительно недорогого компактного чип-лазера малой мощности с высокой частотой следования импульсов .
I.1 Физические принципы получения вынужденного излучения
Известным фактом является то, что физической основой работы лазера служит квантовомеханическое явление вынужденного излучения. В рабочем теле лазера путём накачки создаётся избыточное количество атомов в верхнем энергетическом состоянии. Рабочее тело лазера находится в резонаторе (в простейшем случае — пара зеркал), создающем условия для накапливания фотонов с определённым направлением импульса. Первоначальные фотоны возникают за счёт спонтанного излучения, затем их поток лавинообразно усиливается благодаря вынужденному излучению.
рис1 Вынужденное испускание фотона
Классическая трёхуровневая система накачки рабочей среды используется, например, в рубиновом лазере. Рубин представляет собой кристалл корунда Al2O3, легированный небольшим количеством ионов хрома Cr3+, которые и являются источником лазерного излучения. Из-за влияния электрического поля кристаллической решетки корунда внешний энергетический уровень хрома E2 расщеплён. Именно это делает возможным использование немонохроматического излучения в качестве накачки. При этом атом переходит из основного состояния с энергией E0 в возбуждённое с энергией около E2. В этом состоянии атом может находиться сравнительно недолго (порядка 10−8 с), почти сразу происходит безызлучательный переход на уровень E1, на котором атом может находиться значительно дольше (до 10−3 с), это так называемый метастабильный уровень. Возникает возможность осуществления индуцированного излучения под воздействием других случайных фотонов. Как только атомов, находящихся в метастабильном состоянии становится больше, чем в основном, начинается процесс генерации.
Следует отметить, что создать инверсию населённостей атомов хрома Cr с помощью накачки непосредственно с уровня E0 на уровень E1 нельзя. Это связано с тем, что если поглощение и вынужденное излучение происходят между двумя уровнями, то оба эти процесса протекают с одинаковой скоростью. Поэтому в данном случае накачка может лишь уравнять населённости двух уровней, чего недостаточно для возникновения генерации.
рисунок2: а — трёхуровневая и б — четырёхуровневая схемы накачки активной среды лазера.
В неодимовом лазере генерация излучения происходит на ионах неодима Nd3+, используется четырёхуровневая схема накачки. Здесь между метастабильным E2 и основным уровнем E0 имеется промежуточный — рабочий уровень E1. Вынужденное излучение происходит при переходе атома между уровнями E2 и E1. Преимущество этой схемы заключается в том, что в данном случае легко выполнить условие инверсной населенности, так как время жизни верхнего рабочего уровня (E2) на несколько порядков больше времени жизни нижнего уровня (E1). Это значительно снижает требования к источнику накачки. Кроме того, подобная схема позволяет создавать мощные лазеры, работающие в непрерывном режиме, что очень важно для некоторых применений. Однако подобные лазеры обладают существенным недостатком в виде низкого квантового КПД, которое определяется как отношение энергии излученного фотона к энергии поглощенного фотона накачки (ηквантовое = hνизлучения/hνнакачки).
