- •Оглавление
- •Глава 1. Усилители биопотенциалов 8
- •Глава2 Функциональные устройства на операционных усилителях для медицинских изделий 74
- •Предисловие
- •Список принятых сокращений и обозначений
- •Введение
- •Глава 1. Усилители биопотенциалов
- •Контакт усилителя биопотенциалов с кожей через электроды
- •1.2. Входные цепи усилителей биопотенциалов.
- •1.3. Операционные усилители в цепях регистрации биопотенциалов.
- •1.4. Применение инвертирующих и неинвертирующих усилителей в медицинском приборостроении
- •1.5. Схемы подавления синфазных помех с помощью дифференциальных и инструментальных усилителей
- •1.6. Подключение усилителей биопотенциалов к микроэлектродам
- •1.7. Усилители с гальванической развязкой
- •Тренировочные задания
- •Тестовые задания
- •Глава2 Функциональные устройства на операционных усилителях для медицинских изделий
- •2.1. Линейные узлы математической обработки биологических сигналов
- •2.1.1. Схемы масштабирования и аналоговые сумматоры
- •2.1.2. Усилители переменного тока
- •2.1.3. Схемы интегрирования
- •2.1.4. Схемы дифференцирования
- •2.2. Активные электрические фильтры
- •2.2.1. Классификация и основные характеристики фильтров
- •2.2.2. Типовые схемы активных фильтров
- •2.2.3. Методы расчета фильтров на основе анализа передаточных функций
- •2.2.4. Подавление помех активными фильтрами
- •2.3. Линейные преобразователи сигналов
- •2.4. Нелинейные преобразователи аналоговых сигналов
- •2.4.1. Сравнивающие устройства (компараторы)
- •2.4.2. Логарифмирующие и экспоненциальные преобразователи
- •2.4.3. Выпрямители
- •2.4.4. Множительно-делительные устройства
- •2.4.5. Использование диодных структур для реализации типовых и произвольных нелинейных зависимостей
- •2.5. Элементы аналоговой памяти
- •2.5.1. Устройства выборки-хранения
- •2.5.2. Амплитудные (пиковые) детекторы
- •Тренировочные задания
- •Тестовые задания
- •Глава 3 Генераторы сигналов
- •3.1. Генераторы синусоидальных (гармонических) сигналов
- •3.2. Аналоговые генераторы прямоугольных импульсов
- •3.3. Интегральные таймеры и генераторы на их основе
- •3.4. Генераторы линейно-изменяющегося напряжения
- •3.5. Функциональные генераторы
- •3.6. Модуляторы
- •3.7. Фазочувствительные детекторы
- •Тренировочные задания
- •Рубежный тест к главе 3
- •Глава 4 Вторичные источники электропитания
- •4.1. Основные структурные схемы
- •4.2 Основные схемы выпрямителей
- •4.3 Сглаживающие фильтры
- •4.4 Линейные стабилизаторы напряжения
- •4.5. Схемотехника импульсных стабилизаторов напряжения
- •4.6. Инверторные схемы
- •Тренировочные задания
- •Тестовые задания
- •Глава 5 Аналоговые коммутаторы
- •5.1. Коммутаторы на полевых транзисторах
- •5.2. Аналоговые мультиплексоры и матричные коммутаторы
- •5.3. Характеристики и эксплуатационные параметры аналоговых коммутаторов
- •Тренировочные задания
- •Рубежный тест к главе 5
- •Глава 6 Устройства непрерывно-дискретного преобразования сигналов
- •6.1. Цифроаналоговые преобразователи
- •6.1.1. Схемотехника параллельных цап
- •6.1.2. Последовательные цап
- •6.1.3. Параметры цап
- •6.2. Аналогово-цифровые преобразователи
- •6.2.1. Процедура аналогово-цифрового преобразования и основные параметры ацп
- •6.2.2. Схемотехника ацп
- •6.2.3. Особенности реализации и использования сигма-дельта ацп
- •6.2.4. Технические характеристики и применение ацп
- •Тренировочные задания
- •Тестовые задания
- •Глава 7. Приборы с зарядовой связью.
- •7.1. Устройство пзс.
- •7.2. Принцип организации пзс-матриц.
- •7.3. Параметры и характеристики пзс.
- •Тренировочные задания.
- •Тестовые задания
- •Глава 8 Интерфейсы для подключения узлов медицинской техники к микропроцессорам, микроконтроллерам и пэвм
- •8.1. Интерфейсы магистралей пэвм
- •8.1.1. Организация системной магистрали типа isa
- •8.1.2. Организация обмена по шине isa
- •8.1.3. Обмен с внешними устройствами по шине pci
- •8.1.4. Взаимодействие медицинского оборудования с пэвм через последовательный порт типа rs232
- •8.1.5. Подключение оборудования к пэвм через интерфейс usb.
- •8.2. Интерфейсы ацп
- •8.3. Цифровые интерфейсы узлов медицинской техники
- •Тренировочные задания
- •Тестовые задания
- •Глава 9. Компьютерные технологии расчета и проектирования узлов медицинской техники.
- •9.1. Особенности технологического процесса проектирования средств медицинской техники с использованием сапр
- •9.2. Основные объекты медицинских изделий, проектируемых с помощью сапр.
- •9.3. Автоматизация проектирования печатных плат и биомедицинских лабораторий на их основе.
- •Заключение.
- •Библиографический список.
- •Итоговый тест
2.4.5. Использование диодных структур для реализации типовых и произвольных нелинейных зависимостей
Для реализации типовых нелинейных зависимостей выходного напряжения от входного используют специализированные нелинейные функциональные преобразователи различных типов и назначений.
В качестве первого примера рассмотрим работу схемы с потенциально-заземленннами диодами рассмотрим на примере схемы, представленной на рис. 2.39а.
В исходном состоянии при нулевом сигнале диод VD1 закрыт небольшим отрицательным напряжением е1, равным падению напряжения на открытом диоде VD2. При увеличении входного напряжения напряжение в точке е1 изменяется в соответствии с выражением
.
При е1=0 диод VD1 открывается тогда
,
где ЕП – напряжение переключения (излома).
Пренебрегая малой величиной rд, получаем
.
При дальнейшем увеличении Uвх выходное напряжение меняется по линейному закону.
Uвх
Uвх
Рис. 2.39. Варианты схем реализаций типовых нелинейных зависимостей
Рис. 2.39. Схема реализации кусочно-линейной зависимости с потенциально заземленными диодами в обратной связи
Если
в схеме выполняется соотношение
,
относительная погрешность такого
диодного элемента может быть определена
как
.
На практике эта погрешность находится в пределах 0.1 %.
На рис. 2.39б, в, г показаны схемы, реализующие нелинейные характеристики в трех остальных квадрантах. Потенциально-заземленные диоды могут включаться и в цепи обратной связи, при этом они будут работать на запирание. Пример такой схемы приведен на рис.2.39д. При нулевом входном напряжении все диоды VD1…VDn открыты. Общее сопротивление обратной связи определяется параллельно включенными сопротивлениями R0...Rn. По мере увеличения Uвх диоды поочередно закрываются, сопротивление обратной связи начинает увеличиваться, что в свою очередь будет увеличивать коэффициент передачи усилителя и обеспечивать реализацию кусочно-линейной зависимости выходного напряжения от входного. Крутизна каждого из участков будет определяться соответствующими резисторами-делителями.
Пример
схемы с диодами, работающими по типу
ограничителей,
приведен
на рис.2.40а. В исходном состоянии (Uвх=0)
диод открыт. Напряжение на выходе
изменяется по закону
.
При входном напряжении
диод VD
запирается, отключая Uвх
от усилителя. Здесь диод работает на
запирание.
Рис. 2.40. Односторонние диодные ограничители
В
другом варианте схемы (рис.2.40б) диод VD
работает на отпирание. Здесь при Uвх=0
диод закрыт положительным Еоп.
До открытия диода
.
Как только напряжение на аноде диода,
определяемое выражением
,
станет равным Еоп,
диод откроется и зафиксирует в точке
делителя потенциал Еоп,
не зависящий от дальнейшего нарастания
Uвх.
При этом Uвых=-Eоп(R0/R2).
В практике использования аналоговых функциональных преобразователей к схемам типовых нелинейностей относят обычно схемы, воспроизводящие ограничение координат по модулю (характеристика ограничения), характеристики зоны нечувствительности, вычисление модуля и т.д.
На
рис.2.41а показана схема, воспроизводящая
характеристики ограничения. При нулевом
входном напряжении диоды VD1
и VD2
закрыты небольшими напряжениями открытых
диодов VD3
и VD4.
При увеличении входного напряжения
напряжение на выходе меняется по
линейному закону
.
Через диод VD3
протекает разность токов i=i1-i2-
При i=0
диод VD4
закроется и на диоде установится
напряжение
.
Переключение диода VD3 осуществляется, когда Uвх=Eп при Ud=0. При дальнейшем увеличении Uвх коэффициент усиления резко падает из-за уменьшения сопротивления обратной связи за счет параллельного включения R0 и R2 и рост выходного сигнала ограничивается.
При этом величину Eп можно определить из последней формулы по условию Uд=0
.
Остаточный угол γ определяется отношением R2/R. Чтобы уменьшить этот угол нужно, чтобы R>>R2.
Схему, воспроизводящую зону нечувствительности, можно получить, поставив диодную схему на входе ОУ. Другие схемы воспроизведения типовых нелинейностей можно найти в соответствующей литературе.
С помощью рассмотренных звеньев можно реализовать различные функциональные зависимости. Рассмотрим методы реализации таких схем. Пусть требуется реализовать кривую ОАВС, показанную на рис.2.41б. Представим эту кривую в виде трех лучей 1, 2 и 3. Тогда кривая ОАВС может быть получена сумматором на операционном усилителе, а отдельные лучи можно получить схемами типа изображенных на рис. 2.39, рассчитав соответствующие коэффициенты передачи и напряжения переключения диодов.
Рис. 2.41. Реализация схемы двухстороннего ограничения (а) и заданной кусочно-линейной зависимости (б)
