Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Узлы и элементы.doc
Скачиваний:
1
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
23.27 Mб
Скачать

2.4.5. Использование диодных структур для реализации типовых и произвольных нелинейных зависимостей

Для реализации типовых нелинейных зависимостей выходного напряжения от входного используют специализированные нелинейные функциональные преобразователи различных типов и назначений.

В качестве первого примера рассмотрим работу схемы с потенциально-заземленннами диодами рассмотрим на примере схемы, представленной на рис. 2.39а.

В исходном состоянии при нулевом сигнале диод VD1 закрыт небольшим отрицательным напряжением е1, равным падению напряжения на открытом диоде VD2. При увеличении входного напряжения напряжение в точке е1 изменяется в соответствии с выражением

.

При е1=0 диод VD1 открывается тогда

,

где ЕП – напряжение переключения (излома).

Пренебрегая малой величиной rд, получаем

.

При дальнейшем увеличении Uвх выходное напряжение меняется по линейному закону.

Uвх

Uвх

Рис. 2.39. Варианты схем реализаций типовых нелинейных зависимостей

Рис. 2.39. Схема реализации кусочно-линейной зависимости с потенциально заземленными диодами в обратной связи

Если в схеме выполняется соотношение , относительная погрешность такого диодного элемента может быть определена как

.

На практике эта погрешность находится в пределах 0.1 %.

На рис. 2.39б, в, г показаны схемы, реализующие нелинейные характеристики в трех остальных квадрантах. Потенциально-заземленные диоды могут включаться и в цепи обратной связи, при этом они будут работать на запирание. Пример такой схемы приведен на рис.2.39д. При нулевом входном напряжении все диоды VD1…VDn открыты. Общее сопротивление обратной связи определяется параллельно включенными сопротивлениями R0...Rn. По мере увеличения Uвх диоды поочередно закрываются, сопротивление обратной связи начинает увеличиваться, что в свою очередь будет увеличивать коэффициент передачи усилителя и обеспечивать реализацию кусочно-линейной зависимости выходного напряжения от входного. Крутизна каждого из участков будет определяться соответствующими резисторами-делителями.

Пример схемы с диодами, работающими по типу ограничителей, приведен на рис.2.40а. В исходном состоянии (Uвх=0) диод открыт. Напряжение на выходе изменяется по закону . При входном напряжении диод VD запирается, отключая Uвх от усилителя. Здесь диод работает на запирание.

Рис. 2.40. Односторонние диодные ограничители

В другом варианте схемы (рис.2.40б) диод VD работает на отпирание. Здесь при Uвх=0 диод закрыт положительным Еоп. До открытия диода . Как только напряжение на аноде диода, определяемое выражением , станет равным Еоп, диод откроется и зафиксирует в точке делителя потенциал Еоп, не зависящий от дальнейшего нарастания Uвх. При этом Uвых=-Eоп(R0/R2).

В практике использования аналоговых функциональных преобразователей к схемам типовых нелинейностей относят обычно схемы, воспроизводящие ограничение координат по модулю (характеристика ограничения), характеристики зоны нечувствительности, вычисление модуля и т.д.

На рис.2.41а показана схема, воспроизводящая характеристики ограничения. При нулевом входном напряжении диоды VD1 и VD2 закрыты небольшими напряжениями открытых диодов VD3 и VD4. При увеличении входного напряжения напряжение на выходе меняется по линейному закону . Через диод VD3 протекает разность токов i=i1-i2- При i=0 диод VD4 закроется и на диоде установится напряжение

.

Переключение диода VD3 осуществляется, когда Uвх=Eп при Ud=0. При дальнейшем увеличении Uвх коэффициент усиления резко падает из-за уменьшения сопротивления обратной связи за счет параллельного включения R0 и R2 и рост выходного сигнала ограничивается.

При этом величину Eп можно определить из последней формулы по условию Uд=0

.

Остаточный угол γ определяется отношением R2/R. Чтобы уменьшить этот угол нужно, чтобы R>>R2.

Схему, воспроизводящую зону нечувствительности, можно получить, поставив диодную схему на входе ОУ. Другие схемы воспроизведения типовых нелинейностей можно найти в соответствующей литературе.

С помощью рассмотренных звеньев можно реализовать различные функциональные зависимости. Рассмотрим методы реализации таких схем. Пусть требуется реализовать кривую ОАВС, показанную на рис.2.41б. Представим эту кривую в виде трех лучей 1, 2 и 3. Тогда кривая ОАВС может быть получена сумматором на операционном усилителе, а отдельные лучи можно получить схемами типа изображенных на рис. 2.39, рассчитав соответствующие коэффициенты передачи и напряжения переключения диодов.

Рис. 2.41. Реализация схемы двухстороннего ограничения (а) и заданной кусочно-линейной зависимости (б)