
- •1.Поток излучения. Понятие о спектре электромагнитных излучений. Принцип измерений распределения потока по спектру. Энергетические величины.
- •3.Особенности глаза как приемник. Световой поток. Его связь с потоком излучения. Кривая видимости. Различие светового и энергетического потоков в диапазоне 400-700 нм.
- •6. Источник света. Их спектральная характеристика. Классификация источников света по типу излучения. Формула Планка и Вина.
- •7. Фотометрические свойства источников излучения. Классификация по геометрическим величинам: точечный и протяженный источники света, фотометрическое тело.
- •10. Закон Вебера-Фехнера. Световая величина, связываемая со светлотой. Порог различения. Метод измерения светлоты в порогах .Формула выражающая Закон Вебера-Фехнера.
- •11. Оптическая плотность, определение термина. Типы оптических плотностей: регулярная, диффузная.
- •12. Микрокристаллы их форма состав. Характеристики размеров их влияние на контрастность и светочувствительность. Типы строения фотоматериалов
- •13. Характеристическая кривая фотографического материала
- •14. Сенситомерический бланк.
- •15. Факторы, влияющие на форму и положение характеристической кривой
- •16.Центры чувствительности и центры вуалирования (на микрокристале). Возникновение центров светочувст. Центры вуалирования их отличие от центров светочувст.
- •21.Фиксирование проявленного изображения. Смысл и химическая и сущность процесса. Почему подкисляется фиксирующий раствор.
- •23.Общие сведения о спектральной сенситометрии. Принципы определения спектральной чувствительности. Монохроматическая характеристическая кривая
16.Центры чувствительности и центры вуалирования (на микрокристале). Возникновение центров светочувст. Центры вуалирования их отличие от центров светочувст.
Светочувс S микрокрист галогенида серебра связына с природой галогенида и степенью дисперсности AgHal.
Квант света поглощается ионом галогенида серебра. Выделивш при этом электрон движеться внитри кристалл реш, пока не попадет в зону пониженной энергии (яму), являющуюся центром светочувс. Элект сообщает центру отрицат заряд, нейтрал положит заряж ионом серебра: Halֿ+ hv → Halֿ+ e, Ag+e→ Agْ
Образов атом серебра увел глубину ямы, увел вероятность захвата электро при действии следующее кванта света. Это продолжаеться до тех пор, пока не образ крупный достаточно устойчив центр скрытого изображ.
Галоген серебра – мат печ формы. Толщина от 6 до 20 10 в -6 мк.
AgْBr+ hv фотолиз→ eֿ→Agْ+Brْ (бром акти)
AgNO3 + KBr↓→ AgBr↓ + K NO3 блестящий осадок (K NO3 силитра)
Центр светочувствит, презревшие – центр вуалирования.
17.Образование скрытого изображения при средних освещенностях. Две стадии процсса. Элементарный акт. Особенности образования скрытого изображения при высоких и низких освещенностях. Регрессия скрытого изображения.
При действии света на фотографический слой часть микрокристаллов галогенида серебра, повергшихся экспонированию, приобретает новое качество. На экспонированных микрокристаллах AgHal увеличивается количество металлического серебра, распределенного довольно неравномерно по поверхности и в объеме микрокристалла. Образование в процессе фотолиза серебро Hal+hv->Hal+e, Ag+e->Ag0/. Является центром скрытого изображения.
Галогенид серебра присутствует в светочувствительном слое в виде микрокристаллов и имеет кубическую ионную решетку в вершинах которой находятся ионы Ag+ и Hal- . однако такое идеальное строение кристаллической решетки не объясняло наличие светочувствительности микрокристаллов AgHal, поскольку связ между узлами решетки велики и свет оказывает недостаточное действие для отрыва атома из решетки.в 1938 году генри и мотт предложили теорию, объясняющую механизм образования скрытого фотографического изображения. Они обратили внимание на то что в микрокристаллах AgHal присутствуют примесные центры в основном сульфидсеееребрянные и частично серебряные. Кроме того в строении самой решетки имеется ряд дефектов:трещины, дислокации и тд. Из-за всех этих несовершенств строение решетки микрокристалл AgHal становится чувствительным к свету , т.е. является центром светочувствительности.
Регрессия скрытого изображения качество ухудшается появл ореол.
Старые материалы все с вуалью образованы с пленкой в изгот свето чувс и перезревают вуалируются со временем
AgHal+hv→e→ Ag+Hal(акти)
Микрокристалл неидеальн дифекты кристалл реш. Скрытый центр обладает ат-ми серебра Проявление — окислительно-восстановительная реакция которая идет в присутствии мет Ag катализатора. Больше Ag — быстрей реакция. Образ центр светочув при среднем, бол — отличается, выход серебра меньше. Меньше - медленно собираются и рассасываются.
При применение материала не по назначению (при низк и высок освещ) следует найти диапазон времен экспонирования, в которм соблюд закон взаимозаместим. И если практическое время экспон выходт за эти пределы, внести поправку в условия эксп в соответ с изоопакой. Изоопаки приводятся в справочниках.
18. Общие сведения о проявлении. Состав проявителя и общие сведения о назначении его компонентов. Схема процесса. Составные части проявителя. Консервирующие вещества и их роль. Противовуалирующие вещества.
Под проявление понимают избирательный процесс восстановления экспонированных микрокристаллов галогенида серебра в эмульсионном слое фотоматериала, приводящий к превращению скрытого изображения в видимое..реация процесса: nAgHal+mHRed<->nAg0+mOx+nHal-+nH+
Где Hal-Cl, Br,I;HRed-проявляющее в-во, Ох- окисленная форма проявляющего в-ва. Проявление представляет собой окислительно воствновительный процесс.
Проявит представл собой водные р-ры, сост из: проявл вещ-ва, ускоряющ вещ-ва, консервирующие противовуалирующ
Проявляющ – вода+проявл орг вещ с бензольним кольцом орта пара положении OH CH3
Рн 8-12
Вода – универсальный растворитель
Ag+Redֿ→ Oxֿ→ Agْ← Реакц пытаются задавить KBr – задержив реакц при обрат исп опаласк в кислой ванне Рн 4-7
Для ускорения процесс проявл исп щелочи (NaOH). Гидрохинон Рн снижает
Буферн вещ-во что бы поддержи проявл Рн борная кис-та
Противуалирующ KBr, бензотриазол недопускает образ вуали.
Сохран – Na2SO3 сульфид, прояв чернеет ←SO4 сульфад востанавл проявитель.
Кинетика проявления. Определения термина. Кривые кинетики и их построение. Влияние состава проявителя и режимов проявления на кинетику.
Кинетика проявления.
Если сообщить участку фотоматериала какую-либо экспозицию (Н1) и поместить материал в проявитель, то экспонированный участок начнет постепенно темнеть, пока не достигнет максимальной для этих условий оптической плотности. Скорость увеличения плотности и достигаемая плотность зависят от полученных участками количеств освещения – экспозиций Нi. Графически зависимости оптической плотности от времени проявления DH=const (τпр)показывают кинетику проявления участков, получивших заданную экспозицию. Такие кривые приведены на рисунке. Проявляется материал, которому сообщены экспозиции Н1 и Н2 , причем Н2 > Н1. Из рисунка видно, что кривые DH=const (τпр) имеют нелинейный характер.
Рисунок
Кривые кинетики проявления.
Начнем проявлять сенситограмму – копию шкалы-клина.(рис 1) Для фиксированных времен проявления построим характеристические кривые D(lgH). Совокупность таких кривых называют семейством характеристических кривых (рис2).Обычно его строят, увеличивая время проявления в одинаковое число раз,н-р,0,5;1;2;4;8;16 мин. Зависимость скорости проявления от экспозиции приводит к росту коэффициента контрастности фотоматериала в процессе проявления, вплоть до достижения участками, получившими большую экспозицию, высоких оптических плотностей. Их проявление замедляется, а малоэкспонированные участки продолжают проявляются. Коэффициент контрастности начинает уменьшаться. Таким образом, при длительном проявлении коэффициент контрастности проходит через максимум. Непрерывно изменяется светочувствительность и возрастает плотность вуали. Графики изменения сенситометрических параметров фотографического материала от времени проявления в фотографической сенситометрии называют кривыми кинетики проявления. Типичные кривые кинетики (график зависимости светочувствительности S, коэффициента контрастности γ и плотности вуали Dmin от времени проявления τпр ) приведены на рис 3 Dо= Dmin – Dосн (на денситометре можно измерить только Dmin , представляющую сумму плотностей основы и вуали).
рисунок
Чтобы материал имел заданные характеристики, необходимые не только определенные проявитель и условия проявления, но и определенное время проявления.
Влияние режимов проявления.
Процесс проявления вуали и мало экспонированных участков имеет химическую кинетику. Его ускоряет все, что повышает скорость химической реакции. Один из самых эффективных способов ускорения реакции – повышение температуры проявителя. Изменение интенсивности перемешивания, т.е. скорости доставки в эмульсионный слой проявителя, мало влияет на проявление вуали и участков малой оптической плотности. А с участками получившими большую экспозицию процесс проявления имеет диффузионную кинетику. Дело в том , что реакция проявления происходит за счет проявляющего вещества, содержащегося внутри набухшего эмульсионного слоя. Возрастание скорости реакции с повышением температуры, конечно, происходит, но в большей степени на процесс влияет перемешивание, интенсифицирующее доставку активных веществ к границе растров – эмульсионный слой диффузию веществ в слое.
При повышении температуры проявителя кривые кинетики γ(τпр) и qср (τпр) проходят через максимум при меньших временах проявления. При повышении интенсивности перемешивания скорость проявления и контраст изображения возрастают. Повышается градиент кривой в верхнем криволинейном участке и увеличивается равномерность проявления сплошных участков. Эти изменения происходят вплоть до определенной скорости перемешивания, после чего его дальнейшая интенсификация на проявлении сказываются.